SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP3906(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906 (e 1.9500
RFQ
ECAD 99 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP3906 DC 1 Fotovoltaico 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 30µA (Typ) - 7V 1.65V 30 mA 3750VRMS - - 200µs, 300µs -
TLP781F(D4-Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4-y-tp7, f -
RFQ
ECAD 9935 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-Y-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP260JTPRPF Toshiba Semiconductor and Storage TLP260JTPRPF -
RFQ
ECAD 5567 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP260 Ur 1 Triac 4-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.15V 50 MA 3000VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 30µs
TLP781F(GRH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRH-LF7, F) -
RFQ
ECAD 9323 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (GRH-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
4N26(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n26 (Curto, F) -
RFQ
ECAD 5618 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4n26 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs, 200µs 30V 1.15V 80 MA 2500VRMS 20% a 10mA - - 500mv
TLP388(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4, e 0,7900
RFQ
ECAD 8401 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2958(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 7098 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2958 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 3V ~ 20V 8-SMD download 264-TLP2958 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 25 MA 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP293(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (GRH-TPL, e 0,5100
RFQ
ECAD 5705 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 150% A 500µA 300% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP785F(D4B-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4b-t7, f -
RFQ
ECAD 2374 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4B-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2161(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161 (TP, F) -
RFQ
ECAD 3368 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2161 DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 2500VRMS 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP120(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (TPR, F) -
RFQ
ECAD 1673 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP120 (TPRF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP290(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GB-TP, SE 0,5100
RFQ
ECAD 7115 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLPN137(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlpn137 (f) 1.5600
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLPN137 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 5,5V 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 3ns, 12ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP718F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (D4, F) -
RFQ
ECAD 2847 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 20V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP718F (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000VRMS 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP748J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J (TP1, F) 1.8600
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota TLP748 BSI, Semko, Ur 1 Scr 6-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 1.15V 50 MA 4000VRMS 600 v 150 MA 1Ma Não 5V/µs 10mA 15µs
TLP250H(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-LF1, F) 1.7400
RFQ
ECAD 53 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP250 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 8-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável TLP250H (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP759(IGM-TP5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-TP5, J, F -
RFQ
ECAD 2062 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP759 DC 1 Transistor Com base 8-SMD download 264-TLP759 (IGM-TP5JF Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 25% a 10mA 75% a 10mA - -
TLP751(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-LF1, F) -
RFQ
ECAD 4300 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP751 DC 1 Transistor Com base 8-SMD - Rohs Compatível Não Aplicável TLP751 (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 1.500 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 5000VRMS 10% A 16MA - 200ns, 1µs -
TLP290-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (GB-TP, E) 1.6300
RFQ
ECAD 4383 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP290 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP383(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (TPL, e -
RFQ
ECAD 4280 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download 1 (ilimito) 264-TLP383 (TPLETR Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP781(D4-BL-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BL-SD, F) -
RFQ
ECAD 9452 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4-BL-SDF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (GB-TP, J, F. -
RFQ
ECAD 7222 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) TLP281 DC 4 Transistor 16-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP161J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (TPL, U, C, F) -
RFQ
ECAD 2113 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimito) 264-TLP161J (TPLUCF) tr Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP183(YH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (YH-TPL, e 0,4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPL, SE 0,6100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP185(BLL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BLL-TL, SE 0,6000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP127(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MBS-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5067 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Chumbo - 1 (ilimito) 264-TLP127 (MBS-TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP781F(D4BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4bl-lf7, f -
RFQ
ECAD 6770 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4BL-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP183(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BLL-TPL, e 0,5100
RFQ
ECAD 2341 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP166J(V4,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP166J (V4, C, F) -
RFQ
ECAD 3956 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP166 Ur, vde 1 Triac 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 MA 2500VRMS 600 v 70 MA 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

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