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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP3043(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3043 (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 3306 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads TLP3043 BSI, Semko, Ur 1 Triac 6-DIP (Corte), 5 Chumbo download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 400 v 100 ma 600µA (Typ) Sim 200V/µs 5mA -
TLP105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (f) -
RFQ
 ECAD 6829 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Última Vez compra -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP105 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 20V 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) 5A991 8541.49.8000 150 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP5701(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (TP, e 1.2700
RFQ
 ECAD 6927 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5701 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 600 mA - 50ns, 50ns 1.57V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP550 -LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp550 -lf2, f) -
RFQ
 ECAD 9120 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (TP, E) -
RFQ
 ECAD 1575 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 4µs, 7µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA 7µs, 7 µs 300mv
TLP785F(D4GRT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GRT7, f -
RFQ
 ECAD 8988 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4GRT7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP126(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 3254 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (ilimito) 264-TLP126 (TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP627MF(D4-F4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4-F4, e 0,9200
RFQ
 ECAD 7685 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP627 DC 1 Darlington 4-DIP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% A 1MA - 110µs, 30µs 1.2V
TLP2312(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (e 1.7300
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2312 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.2V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download 1 (ilimito) 264-TLP2312 (e Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 5Mbps 2,2ns, 1,6ns 1.53V 8Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP525G-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G-2 (F) -
RFQ
 ECAD 9990 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 Ur 2 Triac 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 80 MA 200µA (Typ) Não 200V/µs 10mA -
TLP759(FA1-T1S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (FA1-T1S, J, F -
RFQ
 ECAD 2446 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP759 (FA1-T1SJF Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - - -
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH, SE -
RFQ
 ECAD 3142 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor Com base 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP185 (GHSE Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BL-TPR, e 0,5600
RFQ
 ECAD 9723 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4288 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP624 - 1 (ilimito) 264-TLP624-2 (TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP184(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (Y-TPL, SE 0,4900
RFQ
 ECAD 7881 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP117(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117 (f) -
RFQ
 ECAD 2120 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP117 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) 5A991 8541.49.8000 150 10 MA 50MBD 3ns, 3ns 1.6V 25Ma 3750VRMS 1/0 10kV/µs 20ns, 20ns
TLP121(V4-GB-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (V4-GB-TPL, F. -
RFQ
 ECAD 3583 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (V4-GB-TPLF Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP759F(ISIMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (ISIMT4, J, F. -
RFQ
 ECAD 2248 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP759F (ISIMT4JF Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - - -
TLP250H(D4-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-TP5, F) -
RFQ
 ECAD 6109 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP250 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 8-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP250H (D4-TP5F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500 2 a - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP523(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 8993 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimito) 264-TLP523 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP350(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8024 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP350 Acoplamento ptico Ur 1 8-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.6V 20 MA 3750VRMS 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP250(D4-INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-Inv, F) -
RFQ
 ECAD 7335 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (D4-Invf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5231(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231 (TP, e 5.5600
RFQ
 ECAD 2329 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5231 Acoplamento ptico CQC, CSA, Cul, UL, VDE 2 16-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 1a, 1a 2.5a 50ns, 50ns 1.7V 25 MA 5000VRMS 25kV/µs 300ns, 300ns 150ns 21.5V ~ 30V
TLP250(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (F) -
RFQ
 ECAD 9971 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP250 Acoplamento ptico Ur 1 8-DIP - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 500mA, 500mA 1.5a - 1.6V 20 MA 2500VRMS 5kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP705F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp705f (f) -
RFQ
 ECAD 2534 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP705F Acoplamento ptico Ur 1 Asa de Gaivota de 6-SDIP - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 - 450mA - - 5000VRMS 10kV/µs 200ns, 200ns - 10V ~ 20V
TLP293-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4-La, e 1.6300
RFQ
 ECAD 9037 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP785(D4B-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4B-F6, f -
RFQ
 ECAD 4369 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4B-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP291(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, SE 0,6000
RFQ
 ECAD 7914 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
4N30(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N30 (Curto, F) -
RFQ
 ECAD 6210 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N30 DC 1 Darlington Com Base 6-DIP - Rohs Compatível 1 (ilimito) 4N30 (Curto) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 80 MA 2500VRMS - - 5µs, 40µs (Máximo) 1v
TLP701F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp701f (f) -
RFQ
 ECAD 2459 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP701 Acoplamento ptico - 1 Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP701F (F) Ear99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000VRMS 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
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