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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max)
TLP733(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 1010 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP733 DC 1 Transistor Com base 6-DIP - Rohs Compatível Não Aplicável TLP733 (D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 4000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP9121A(YSKGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp9121a (yskgbtl, f -
RFQ
 ECAD 5286 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A (YSKGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTRE 1.6300
RFQ
 ECAD 8493 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 9µs, 9 µs 300mv
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GR-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 1320 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP121(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp121 (y, f) -
RFQ
 ECAD 5341 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (YF) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPL, e 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4lgbtre 1.7900
RFQ
 ECAD 8134 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 9831 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP504 DC 4 Transistor 16-DIP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp759 (mbs-it, j, f) -
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP759 (MBS-ITJF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - - -
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 5868 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP137 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP137 (BV-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 200% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6n136f -
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N136 DC 1 Transistor Com base 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% a 16mA - 200ns, 500ns -
TLP351F(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp351f (d4, z, f) -
RFQ
 ECAD 8434 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP351 - 1 (ilimito) 264-TLP351F (D4ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (e) 1.0500
RFQ
 ECAD 1673 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2362 DC 1 ColeCionador Aberto 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 25 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.55V 25Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, SE 0,5900
RFQ
 ECAD 3461 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-La, e 1.7900
RFQ
 ECAD 3649 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP2531(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (F) -
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 DC 2 Transistor 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% a 16mA - 200ns, 300ns -
TLP121(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 7190 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (TPRF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 3061 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPR, SE 0,6000
RFQ
 ECAD 2461 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP2361(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (v4, e 1.0400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2361 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 3750VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRH-T7, f -
RFQ
 ECAD 2497 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4GRH-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP2735(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (D4-TP, e 1.8500
RFQ
 ECAD 3696 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2735 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 9V ~ 15V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 20 MA 10Mbps -, 4ns 1.61V 15m 5000VRMS 1/0 25kV/µs 100ns, 100ns
TLP5832(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (D4, e 2.8300
RFQ
 ECAD 1178 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 8-so download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 75 - 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP2095(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2095 (F) -
RFQ
 ECAD 6226 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP2095 AC, DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 3V ~ 20V 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2095F Ear99 8541.49.8000 150 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP785(TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TELS-T6, f -
RFQ
 ECAD 8450 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (TELS-T6FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH, SE -
RFQ
 ECAD 3142 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor Com base 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP185 (GHSE Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9376 (tpl, f 4.0500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLX9376 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 10 MA - 2ns, 2ns 1.57V 25Ma 3750VRMS 1/0 15kV/µs 35ns, 35ns
TLP523-4(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 (Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 8821 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimito) 264-TLP523-4 (SANYDF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP383(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (BL, E. -
RFQ
 ECAD 5596 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download 1 (ilimito) 264-TLP383 (BLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
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