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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6660 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP716 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-SDIP download 264-TLP716F (ABB-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9160t (tpl, f 7.4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 MOSFET 16-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 1.65V 30 mA 5000VRMS - - 1ms, 1ms (max) -
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4dltgrl, f -
RFQ
 ECAD 4669 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4Dltgrlf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (OGI-TL, F (O -
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLX9291 (OGI-TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7347 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP631 - 1 (ilimito) 264-TLP631 (GB-TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4TP4, e 2.6700
RFQ
 ECAD 6851 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5772 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 56ns, 25ns 1.55V 8Ma 5000VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7485 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 Transistor Asa de Gaivota de 6-SDIP - 264-TLP719 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - 800ns, 800ns (Máx) -
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (FANUC, F) -
RFQ
 ECAD 7970 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (FANUCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2530 DC 2 Transistor Com base 8-SMD download 264-TLP2530 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 7% a 16mA 30% a 16mA 300ns, 500ns -
TLP700A(TP,6) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (TP, 6) -
RFQ
 ECAD 6219 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP700 - 1 (ilimito) 264-TLP700A (TP6) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP350(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp350 (z, f) -
RFQ
 ECAD 3886 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP350 - 1 (ilimito) 264-TLP350 (ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (C20TL, UC, F. -
RFQ
 ECAD 1639 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download 264-TLP190B (C20TLUCF Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
TLP523(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (F) -
RFQ
 ECAD 6046 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimito) 264-TLP523 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP2631 - 1 (ilimito) 264-TLP2631 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP351F(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp351f (d4, z, f) -
RFQ
 ECAD 8434 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP351 - 1 (ilimito) 264-TLP351F (D4ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-LF6, f -
RFQ
 ECAD 5826 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP155 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP525G(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 3696 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD (0.300 ", 7,62 mm) CSA, Cul, ul 1 Triac 4-SMD download 264-TLP525G (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 100 ma 600µA Não 200V/µs 10mA -
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (D4-LF4, e 3.0900
RFQ
 ECAD 4731 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2270 AC, DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 8-so download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 20MBD 1.3ns, 1ns 1.5V 8Ma 5000VRMS 2/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 8939 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 4.5V ~ 30V 8-DIP download 264-TLP754 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP250(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 6847 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP250 - 1 (ilimito) 264-TLP250 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP1, e 0,9300
RFQ
 ECAD 8195 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP627 DC 1 Darlington 4-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 150mA 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% A 1MA - 110µs, 30µs 1.2V
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 7360 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (KBDGBTLF (o -
RFQ
 ECAD 8129 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLX9185 DC 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (KBDGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3µs, 5 µs 80V 1.27V 30 mA 3750VRMS 20% a 5mA 600% a 5mA 5 µs, 5 µs 400mv
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-L-TPL, F. -
RFQ
 ECAD 3726 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Chumbo - 1 (ilimito) 264-TLP127 (MAT-L-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J (D4-Cano) -
RFQ
 ECAD 8335 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP360 CQC, CUL, UL, VDE 1 Triac 4-DIP - 264-TLP360J (D4-Cano) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 ma 1Ma Não 500V/µs (Typ) 10mA 30µs
TLP748J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J (F) 1.8600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP748 BSI, Semko, Ur 1 Scr 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 4000VRMS 600 v 150 MA 1Ma Não 5V/µs 10mA 15µs
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 3093 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (GB-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398 (e -
RFQ
 ECAD 5334 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2398 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 3V ~ 20V 6-SO, 5 FLEDER - 1 (ilimito) 264-TLP2398 (ETR Ear99 8541.49.8000 3.000 25 MA 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20mA 3750VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (V4-TPR, e 1.9100
RFQ
 ECAD 4072 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2372 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.2V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 20 Mbps 2,2ns, 1,6ns 1.53V 8Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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