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Isoladores (2050)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Saís Alta, Baxa Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Corrente - Sanda de Pico Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Distorção de Largura de Pulso (Máx) Tensão - Fornecimento de Sanda Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA NOTA Qualifica
TLP104(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (v4, e 1.5100
RFQ
 ECAD 4721 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP104 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 1Mbps - 1.61V 25Ma 3750VRMS 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP701HF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701HF (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 2825 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Última Vez compra -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) Acoplamento ptico CSA, CUL, UL, VDE 2 6-SDIP download 1 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1.57V 25 MA 5000VRMS 20kV/µs 700ns, 700ns 500ns 10V ~ 30V
TLP781(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GH, F) -
RFQ
 ECAD 5401 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4-GRHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9905 (tpl, f 4.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLX9905 DC 1 Fotovoltaico 6-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 - - 7V 1.65V 30 mA 3750VRMS - - 300µs, 1ms - Automotivo AEC-Q101
TLP2768(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 6523 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP2768 DC 1 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 2.7V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP2768 (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 MA 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (MBHA-TL, F) -
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9118 (MBHA-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (y, f) -
RFQ
 ECAD 2810 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (ilimito) 264-TLP632 (YF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (y, e 0,5500
RFQ
 ECAD 1756 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP182 (YE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-LF1, e 0,9200
RFQ
 ECAD 5464 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD (0.300 ", 7,62 mm) TLP628 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5,5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 10µs, 10µs 400mv
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tokud-TPL, f -
RFQ
 ECAD 2831 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Chumbo - 1 (ilimito) 264-TLP127 (Tokud-tplftr Ear99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6660 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP716 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-SDIP download 264-TLP716F (ABB-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9160t (tpl, f 7.4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 MOSFET 16-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 1.65V 30 mA 5000VRMS - - 1ms, 1ms (max) -
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4dltgrl, f -
RFQ
 ECAD 4669 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4Dltgrlf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (OGI-TL, F (O -
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLX9291 (OGI-TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7347 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP631 - 1 (ilimito) 264-TLP631 (GB-TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4TP4, e 2.6700
RFQ
 ECAD 6851 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5772 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 56ns, 25ns 1.55V 8Ma 5000VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7485 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 Transistor Asa de Gaivota de 6-SDIP - 264-TLP719 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - 800ns, 800ns (Máx) -
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (FANUC, F) -
RFQ
 ECAD 7970 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (FANUCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2530 DC 2 Transistor Com base 8-SMD download 264-TLP2530 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 7% a 16mA 30% a 16mA 300ns, 500ns -
TLP700A(TP,6) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (TP, 6) -
RFQ
 ECAD 6219 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP700 - 1 (ilimito) 264-TLP700A (TP6) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP350(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp350 (z, f) -
RFQ
 ECAD 3886 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP350 - 1 (ilimito) 264-TLP350 (ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (C20TL, UC, F. -
RFQ
 ECAD 1639 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download 264-TLP190B (C20TLUCF Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
TLP523(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (F) -
RFQ
 ECAD 6046 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimito) 264-TLP523 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP2631 - 1 (ilimito) 264-TLP2631 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP351F(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp351f (d4, z, f) -
RFQ
 ECAD 8434 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP351 - 1 (ilimito) 264-TLP351F (D4ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-LF6, f -
RFQ
 ECAD 5826 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP155 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP525G(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 3696 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD (0.300 ", 7,62 mm) CSA, Cul, ul 1 Triac 4-SMD download 264-TLP525G (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 100 ma 600µA Não 200V/µs 10mA -
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (D4-LF4, e 3.0900
RFQ
 ECAD 4731 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2270 AC, DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 8-so download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 20MBD 1.3ns, 1ns 1.5V 8Ma 5000VRMS 2/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 8939 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 4.5V ~ 30V 8-DIP download 264-TLP754 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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    15.000 m2

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