SIC
close

Optoisolators (15749)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
4N26S Lite-On Inc. 4n26s 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Lite-on Inc. 4n2x Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota 4n26 DC 1 Transistor Com base 6-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 160-1303-5 Ear99 8541.49.8000 65 100mA 3µs, 3µs 30V 1.2V 80 MA 1500VRMS 20% a 10mA - - 500mv
FOD2742BR2 onsemi FOD2742BR2 1.5900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo -25 ° C ~ 85 ° C. Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FOD2742 DC 1 Transistor 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA - 70V 1.2V 2500VRMS 100% a 10mA 200% a 10mA - 400mv
MOC5008FR2VM onsemi MOC5008FR2VM -
RFQ
 ECAD 1611 0,00000000 Onsemi GlobalOptoisolator ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montagem NA Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota MOC500 DC 1 ColeCionador Aberto - 6-SMD download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 1.000 50 MA 1MHz - - 4mA 7500VPK 1/0 - -
EL816(S)(A)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S) (A) (TD) -
RFQ
 ECAD 7555 0,00000000 EverLight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota EL816 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% a 5mA 160% @ 5MA - 200mv
SFH6106-3T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3T 0,9900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota SFH6106 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% a 10mA 200% a 10mA 3µs, 2,3µs 400mv
JANTX4N47 TT Electronics/Optek Technology Jantx4n47 29.1941
RFQ
 ECAD 8810 0,00000000 TTCENICO TT ELETRONICS/OPTEK - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco TO-78-6 METAL CAN Jantx4 DC 1 Transistor Com base TO-78-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 365-1964 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 20µs, 20µs (Máx.) 40V 1.5V (Máximoo) 40 MA 1000VDC 50% A 1MA - - 300mv
H11A2S Lite-On Inc. H11A2S -
RFQ
 ECAD 6582 0,00000000 Lite-on Inc. H11AX Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota H11a DC 1 Transistor Com base 6-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 65 150mA 2,8 µs, 4,5 µs 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% a 10mA - - 400mv
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (FANUC, F) -
RFQ
 ECAD 7970 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (FANUCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
FOD0738 Fairchild Semiconductor FOD0738 3.2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 3.000 2 MA 15MBD 12ns, 8ns 1.45V 20mA 2500VRMS 2/0 25kV/µs 60ns, 60ns
FODM121BV onsemi FODM121BV -
RFQ
 ECAD 3713 0,00000000 Onsemi - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 3.000 80mA 3µs, 3µs 80V 1.3V (Max) 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA - 400mv
TIL113S(TA) Everlight Electronics Co Ltd Til113s (ta) 0,4989
RFQ
 ECAD 3300 0,00000000 EverLight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota Til113 DC 1 Darlington Com Base 6-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 3907150084 Ear99 8541.49.8000 1.000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% a 10mA - 5µs, 100 µs (Máximo) 1.2V
HCPL-0501 Broadcom Limited HCPL-0501 3.4900
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Broadcom Limited - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) HCPL-0501 DC 1 Transistor Com base 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 516-1027-5 Ear99 8541.49.8000 100 8Ma - 20V 1.5V 25 MA 3750VRMS 15% a 16mA - 200ns, 600ns -
PS2501AL-1-W-A Renesas Electronics America Inc PS2501AL-1-WA -
RFQ
 ECAD 3686 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepoc Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota PS2501 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 559-1232 Ear99 8541.49.8000 100 30Ma 3µs, 5 µs 70V 1.2V 30 mA 5000VRMS 130% A 5MA 260% @ 5MA - 300mv
MOC3031SR2VM onsemi MOC3031SR2VM -
RFQ
 ECAD 2084 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem NA Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota MOC303 IEC/en/din, ul 1 Triac 6-SMD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MOC3031SR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 1.25V 60 MA 4170VRMS 250 v 400µA (Typ) Sim 1kV/µs 15m -
6N135SV onsemi 6N135SV -
RFQ
 ECAD 4149 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem NA Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota 6N135 DC 1 Transistor Com base 8-SMD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 1.000 8Ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 7% a 16mA 50% A 16MA 450ns, 500ns -
MCT2EW onsemi Mct2ew -
RFQ
 ECAD 6630 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) MCT2 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado McT2EW-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30V 1.25V 100 ma 5300VRMS 20% a 10mA - 1,1µs, 50 µs 400mv
MOC8030W onsemi MOC8030W -
RFQ
 ECAD 2412 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) MOC803 DC 1 Darlington 6-DIP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MOC8030W-NDR Ear99 8541.49.8000 1.000 150mA - 80V 1.15V 60 MA 5300VRMS 300% a 10mA - 3,5 µs, 95µs -
ACPL-5631L-100 Broadcom Limited ACPL-5631L-100 111.3297
RFQ
 ECAD 1527 0,00000000 Broadcom Limited - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem NA Superfície Junta de bunda 8-smd ACPL-5631 DC 2 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 3V ~ 3,6V Junta de 8-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20mA 1500VDC 2/0 1kV/µs 100ns, 100ns
ASSR-V622-302E Broadcom Limited ASSR-V622-302E 4.6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem NA Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota ASSR-V622 DC 2 Fotovoltaico Asa de Gaivota de 8 Matastas download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 50 20µA - 7V 1.3V 30 mA 3750VRMS - - 280µs, 30µs -
MOC3081SM onsemi MOC3081SM 1.4400
RFQ
 ECAD 6281 0,00000000 Onsemi - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem NA Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota MOC308 Ul 1 Triac 6-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MOC3081SM-NDR Ear99 8541.49.8000 50 1.3V 60 MA 4170VRMS 800 v 500µA (Typ) Sim 600V/µs 15m -
PS2561DL2-1Y-V-F3-A CEL PS2561DL2-1Y-V-F3-A -
RFQ
 ECAD 8911 0,00000000 Cel Nepoc Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado PS2561DL2-1Y-V-F3-ATR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 3µs, 5 µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA - 300mv
VO610A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-3X016 0,4600
RFQ
 ECAD 7254 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) VO610 DC 1 Transistor 4-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 4.000 50mA 3µs, 4,7 µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 100% a 10mA 200% a 10mA 6µs, 5 µs 300mv
CNY17-4X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X006 0,7100
RFQ
 ECAD 88 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) CNY17 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 160% a 10mA 320% a 10mA 3µs, 2,3µs 400mv
LTV-817S-B Lite-On Inc. LTV-817S-B 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Lite-on Inc. LTV-8X7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota LTV-817 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% A 5MA 260% @ 5MA - 200mv
TLP630(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 6307 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP630 AC, DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
4N36-X000 Vishay Semiconductor Opto Division 4N36-X000 0,1900
RFQ
 ECAD 3982 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% a 10mA - 10µs, 10µs -
FODM121ER2V onsemi FODM121ER2V -
RFQ
 ECAD 1287 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem NA Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 2.500 80mA 3µs, 3µs 80V 1.3V (Max) 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA - 400mv
RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 Nexperia USA Inc. RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Volume Ativo RV1S2281 - 2156-RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 1
EL3051-V Everlight Electronics Co Ltd EL3051-V 0,5606
RFQ
 ECAD 7345 0,00000000 EverLight Electronics Co Ltd - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) EL3051 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, Ul, VDE 1 Triac 6-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 3903510008 Ear99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 ma 250µA (Typ) Não 1kV/µs 15m -
6N137V onsemi 6N137V -
RFQ
 ECAD 5171 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N137 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 5,5V 8-DIP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 1.000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mA 2500VRMS 1/0 10kV/µs (Typ) 75ns, 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar