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Optoisolators (15749)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
FODM3083 onsemi FODM3083 3.4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Onsemi - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota FODM30 Cul, ul 1 Triac 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 100 1.5V (Máximoo) 60 MA 3750VRMS 800 v 70 MA 300µA (Typ) Sim 600V/µs 5mA -
5962-8981001XA Broadcom Limited 5962-8981001XA 103.2624
RFQ
 ECAD 9526 0,00000000 Broadcom Limited - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota 5962-8981001 DC 1 Darlington Asa de Gaivota de 8 Matastas download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 1 40mA - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5MA - 2µs, 8 µs 110mv
TLP785F(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4-yh, f -
RFQ
 ECAD 9200 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4-YHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP750(D4-O-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2156 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimito) 264-TLP750 (D4-O-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
LTV-817S-TA1-A-G Lite-On Inc. LTV-817S-TA1-AG 0.1068
RFQ
 ECAD 4988 0,00000000 Lite-on Inc. LTV-8X7 Tape & Reel (TR) Ativo -30 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota LTV-817 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 160-LTV-817S-TA1-A-GTR Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA - 200mv
FODM452V Fairchild Semiconductor FODM452V 0,8100
RFQ
 ECAD 7969 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads DC 1 Transistor 5-mini-flat download Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 20V 1.6V 25 MA 3750VRMS 20% a 16mA 50% A 16MA 400ns, 350ns -
VO3052-3122 Vishay Semiconductor Opto Division VO3052-3122 -
RFQ
 ECAD 3828 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) VO305 CSA, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-DIP - 751-VO3052-3122 Ear99 8541.49.8000 2.000 1.2V 60 MA 5300VRMS 600 v 100 ma 200µA (Typ) Não 1,5kV/µs 10mA -
VOS628A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS628A-3X001T 1.0600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division VOS628A Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) AC, DC 1 Transistor 4-SSOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 5 µs, 7µs 80V 1.1V 50 MA 3750VRMS 100% A 1MA 200% A 1MA 5µs, 8 µs 400mv
TLP669L(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L (D4, S, C, F) -
RFQ
 ECAD 3275 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads TLP669 CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP - 264-TLP669L (D4SCF) Ear99 8541.49.8000 1 1.2V 30 mA 5000VRMS 800 v 100 ma 600µA Sim 500V/µs (Typ) 10mA 30µs
FOD817 Fairchild Semiconductor FOD817 -
RFQ
 ECAD 3168 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP download Ear99 8541.49.8000 1 50mA 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA - 200mv
TLP5702(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (D4, e -
RFQ
 ECAD 7371 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5702 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) 264-TLP5702 (D4E Ear99 8541.49.8000 125 50 MA - 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
EL3052M Everlight Electronics Co Ltd EL3052M -
RFQ
 ECAD 5709 0,00000000 EverLight Electronics Co Ltd - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) EL3052 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, Ul 1 Triac 6-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 3903520001 Ear99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 ma 250µA (Typ) Não 1kV/µs 10mA -
RV1S2285ACCSP-10YC#KC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2285ACCSP-10yc#KC0 1.6000
RFQ
 ECAD 7081 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 115 ° C. Montagem na Superfície 4-SOP (0,295 ", 7,50 mm de largura) RV1S2285 AC, DC 1 Transistor 4-LSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 3.500 30Ma 4µs, 5 µs 80V 1.15V 30 mA 5000VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA - 300mv
HMA2701BR4V onsemi HMA2701BR4V -
RFQ
 ECAD 9716 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 2.500 80mA 3µs, 3µs 40V 1.3V (Max) 50 MA 3750VRMS 80% a 5mA 160% @ 5MA - 300mv
SFH6106-1X001T-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-1X001T-LB -
RFQ
 ECAD 6249 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 4-SMD - Alcançar Não Afetado 751-SFH6106-1X001T-LB Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 2µs, 11µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 40% a 10mA 80% a 10mA 3µs, 18µs 400mv
HMA121CR2V onsemi HMA121CR2V -
RFQ
 ECAD 4422 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 2.500 80mA 3µs, 3µs 80V 1.3V (Max) 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA - 400mv
FOD852300W Fairchild Semiconductor FOD852300W -
RFQ
 ECAD 8528 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -30 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) DC 1 Darlington 4-DIP download Ear99 8541.49.8000 1 150mA 100µs, 20 µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% A 1MA 15000% A 1MA - 1.2V
PS2535-1-V-A Renesas Electronics America Inc PS2535-1-VA 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) PS2535 DC 1 Transistor 4-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 559-PS2535-1-VA Ear99 8541.49.8000 100 120mA 18µs, 5 µs 350V 1.2V 50 MA 5000VRMS 400% A 1MA 5500% @ 1MA - 1v
FODM3011R1 Fairchild Semiconductor FODM3011R1 0,3000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota FODM30 BSI, CSA, ul 1 Triac 4-SMD download ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 1.000 1.2V 60 MA 3750VRMS 250 v 70 MA 300µA (Typ) Não 10V/µs (Typ) 10mA -
FOD817BS Fairchild Semiconductor FOD817BS 0,1300
RFQ
 ECAD 3862 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 4-SMD download Ear99 8541.49.8000 300 50mA 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% A 5MA 260% @ 5MA - 200mv
TLP785(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785 (d4-yh, f -
RFQ
 ECAD 5168 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4-YHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
6N139SDVM Fairchild Semiconductor 6N139SDVM 0,6900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor Com base 8-SMD download Ear99 8541.49.8000 435 60mA - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% A 1,6mA - 240ns, 1,3 µs -
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP5, e 0,9200
RFQ
 ECAD 8716 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP628 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 10µs, 10µs 400mv
VO3023-X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO3023-X001 0,2596
RFQ
 ECAD 9563 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division VO3023 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Triac 6-DIP download 751-VO3023-X001TR Ear99 8541.49.8000 2.000 1.3V 50 MA 5000VRMS 400 v 100 ma 200µA (Typ) Não 100V/µs 5mA -
H11A817B3S Fairchild Semiconductor H11A817B3S -
RFQ
 ECAD 5280 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 2,4µs, 2,4 µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 130% A 5MA 260% @ 5MA - 200mv
MOC3020SM Fairchild Semiconductor MOC3020SM 0,3100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota MOC302 Ul 1 Triac 6-SMD download Ear99 8541.49.8000 967 1.15V 60 MA 4170VRMS 400 v 100µA (Typ) Não - 30Ma -
MOC3042SR2M Fairchild Semiconductor MOC3042SR2M 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota MOC304 Ul 1 Triac 6-SMD download Ear99 8541.49.8000 738 1.25V 60 MA 4170VRMS 400 v 400µA (Typ) Sim 1kV/µs 10mA -
HCPL2531SM Fairchild Semiconductor HCPL2531SM 1.2200
RFQ
 ECAD 978 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota DC 2 Transistor 8-SMD download Ear99 8541.49.8000 246 8Ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% a 16mA 50% A 16MA 250ns, 260ns -
SFH601-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2X016 1.5400
RFQ
 ECAD 826 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) SFH601 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 2µs 100V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% a 10mA 125% a 10mA 3µs, 2,3µs 400mv
MOC3021TVM Fairchild Semiconductor MOC3021TVM 0,2600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16mm) MOC302 IEC/en/din, ul 1 Triac 6-DIP download Ear99 8541.49.8000 1.142 1.15V 60 MA 4170VRMS 400 v 100µA (Typ) Não - 15m -
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