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Optoisolators (15749)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
MOCD207D2M Fairchild Semiconductor MOCD207D2M 1.0000
RFQ
 ECAD 7870 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) DC 2 Transistor 8-SOIC - ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7µs 70V 1.25V 60 MA 2500VRMS 100% a 10mA 200% a 10mA 7,5 µs, 5,7µs 400mv
6N136VM Fairchild Semiconductor 6N136VM 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor Com base 8-DIP download Ear99 8541.49.8000 297 8Ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% a 16mA 50% A 16MA 250ns, 260ns -
MCT5211300 Fairchild Semiconductor MCT5211300 0,2000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor Com base 6-DIP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30V 1.25V 50 MA 5300VRMS 150% a 1,6mA - 14µs, 2,5 µs 400mv
TLP2530(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (pp, f) -
RFQ
 ECAD 6811 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2530 DC 2 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP2530 (PPF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 7% a 16mA 30% a 16mA 300ns, 500ns -
VOW136-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VOW136-X017T 3.1800
RFQ
 ECAD 593 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota VOW136 DC 1 Transistor Com base 8-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 750 8Ma - 25V 1.38V 25 MA 5300VRMS 19% a 16mA - 200ns, 600ns -
SFH6139 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6139 -
RFQ
 ECAD 7531 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) SFH6139 DC 1 Darlington Com Base 8-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 2.000 60mA - 18V 1.4V 20 MA 5300VRMS 400% A 1,6mA - 600ns, 1µs -
TLP2312(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (e 1.7300
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2312 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.2V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download 1 (ilimito) 264-TLP2312 (e Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 5Mbps 2,2ns, 1,6ns 1.53V 8Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
VO617A-7X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-7X017T 0,4300
RFQ
 ECAD 969 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota VO617 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 2µs, 2µs 80V 1.35V 60 MA 5300VRMS 80% a 5mA 160% @ 5MA 3µs, 2,3µs 400mv
H11AG2300 Fairchild Semiconductor H11AG2300 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor Com base 6-DIP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30V 1.5V (Máximoo) 50 MA 5300VRMS 50% A 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
VO615A-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X007T 0,4700
RFQ
 ECAD 7995 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota VO615 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 3µs, 4,7 µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 100% a 10mA 200% a 10mA 6µs, 5 µs 300mv
FOD2743BSD Fairchild Semiconductor FOD2743BSD -
RFQ
 ECAD 9261 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 8-SMD download Ear99 8541.49.8000 90 50mA - 70V 1.07V 5000VRMS 50% A 1MA 100% A 1MA - 400mv
TLP781(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BL, F) -
RFQ
 ECAD 4491 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4-BLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP785F(GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GR-LF7, f -
RFQ
 ECAD 3252 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (GR-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
6N135 Isocom Components 2004 LTD 6N135 1.1100
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Tubo Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor Com base 8-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 6n135is Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 7% a 16mA 50% A 16MA 150ns, 700ns -
VO617A-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-4X017T 0,4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota VO617 DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 2µs, 2µs 80V 1.35V 60 MA 5300VRMS 160% @ 5MA 320% @ 5MA 3µs, 2,3µs 400mv
6N139S Fairchild Semiconductor 6N139S 0,5400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Darlington Com Base 8-SMD download ROHS3 Compatível Ear99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18V 1.3V 20 MA 2500VRMS 500% A 1,6mA - 1,5 µs, 7µs -
CNY65-3064 Vishay Semiconductor Opto Division CNY65-3064 -
RFQ
 ECAD 6948 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP - Alcançar Não Afetado 751-CNY65-3064 Obsoleto 1 50mA 2,4µs, 2,7µs 32V 1.25V 75 Ma 1390VDC 50% a 10mA 300% a 10mA 5µs, 3µs 300mv
PC3SF21YVZAH SHARP/Socle Technology PC3SF21YVZAH 0,6406
RFQ
 ECAD 9060 0,00000000 Tecnologia Sharp/Socle - Tubo Ativo - Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads PC3SF21 - 1 Triac 6-DIP - Ear99 8541.49.8000 60 - 5000VRMS 600 v 100 ma - Sim - 10mA -
TLP627-2(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (Hitomk, F) -
RFQ
 ECAD 6037 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (ilimito) 264-TLP627-2 (Hitomkf) Ear99 8541.49.8000 50
ACSL-6210-06RE Broadcom Limited ACSL-6210-06RE 2.2975
RFQ
 ECAD 4854 0,00000000 Broadcom Limited - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) ACSL-6210 DC 2 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 3V ~ 5,5V 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.8000 100 50 MA 15MBD 30ns, 12ns 1.52V 15m 2500VRMS 1/1 10kV/µs 100ns, 100ns
140827181010 Würth Elektronik 140827181010 0,9100
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Würth Elektronik WL-OCPT Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 140827 DC 2 Transistor 8-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 732-140827181010 Ear99 8541.49.8000 40 50mA 6µs, 8 µs 80V 1.24V 60 MA 5000VRMS 130% A 5MA 400% @ 5MA - 200mv
ELD211(TB) Everlight Electronics Co Ltd ELD211 (TB) -
RFQ
 ECAD 2471 0,00000000 EverLight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) ELD211 DC 2 Transistor 8-SOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 - 1,6µs, 2,2 µs 80V 1.2V 60 MA 3750VRMS 20% a 10mA - 5 µs, 4 µs 400mv
PS2561AL-1-N-A CEL PS2561AL-1-NA -
RFQ
 ECAD 6229 0,00000000 Cel Nepoc Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.49.8000 100 30Ma 3µs, 5 µs 70V 1.2V 30 mA 5000VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA - 300mv
TLP161J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 2113 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimito) 264-TLP161J (TPLUCF) tr Ear99 8541.49.8000 3.000
EL817(S1)(C)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (C) (TB) -VG -
RFQ
 ECAD 3835 0,00000000 EverLight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DC 1 Transistor 4-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.000 50mA 6µs, 8 µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200mv
PS2501-4SM Isocom Components 2004 LTD PS2501-4SM 0,6363
RFQ
 ECAD 9197 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd PS2501-4 Tubo Ativo -30 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 16-SMD, Asa de Gaivota DC 4 Transistor 16-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 58-PS2501-4SM Ear99 8541.49.8000 25 50mA 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 5300VRMS 80% a 5mA 600% a 5mA - 300mv
MOC3081SVM Fairchild Semiconductor MOC3081SVM 1.0000
RFQ
 ECAD 9114 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota MOC308 IEC/en/din, ul 1 Triac 6-SMD download Ear99 8541.49.8000 1 1.3V 60 MA 4170VRMS 800 v 500µA (Typ) Sim 600V/µs 15m -
PS2911-1-V-L-AX Renesas Electronics America Inc PS2911-1-VL-AX 2.2000
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Volume Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos PS2911 DC 1 Transistor 4-mini-flat download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 559-1551 Ear99 8541.49.8000 50 40mA 5 µs, 10 µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 150% A 1MA 300% A 1MA 40µs, 120µs 300mv
CNY17-2S-TA1 Lite-On Inc. CNY17-2S-TA1 0,1290
RFQ
 ECAD 1347 0,00000000 Lite-on Inc. CNY17 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD, Asa de Gaivota CNY17 DC 1 Transistor Com base 6-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.000 150mA 5 µs, 5 µs 70V 1.45V 60 MA 5000VRMS 63% a 10mA 125% a 10mA - 300mv
TLP9118(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (hitj-tl, f) -
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9118 (hitj-tlf) Ear99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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