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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP768J (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 7613 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto - - - TLP768 - - - - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP768J (SCF) Ear99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP2391(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391 (e 1.3000
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2391 AC, DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 10MBD 3ns, 3ns 1.55V 10mA 3750VRMS 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP185(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (gr, e) -
RFQ
 ECAD 8594 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 9µs, 9 µs 300mv
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GB, f -
RFQ
 ECAD 1379 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4-GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4-fungr, f -
RFQ
 ECAD 7829 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-FUNGRF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 3007 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BL-TP, SE 0,6100
RFQ
 ECAD 7938 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP293-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (v4latre 1.6400
RFQ
 ECAD 6745 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP714F(D4HW1TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (D4HW1TP, F) -
RFQ
 ECAD 3728 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP714F (D4HW1TPF) Ear99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP734(D4GRHT5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4GRHT5, M, F. -
RFQ
 ECAD 2332 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimito) 264-TLP734 (D4GRHT5MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-C172, F) -
RFQ
 ECAD 4589 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP734 DC 1 Transistor 6-DIP - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP734 (D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 4000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP751(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5641 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP751 DC 1 Transistor Com base 8-DIP - Rohs Compatível Não Aplicável TLP751 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 5000VRMS 10% A 16MA - 200ns, 1µs -
TLP265J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (v4, e 0,8400
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP265J (V4E Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 20µs
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 7752 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP190 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download 264-TLP190B (TPLUCF) Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
TLP250H(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-TP1, F) 1.7900
RFQ
 ECAD 7192 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP250 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 8-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável Ear99 8541.49.8000 1.500 2.5 a - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP2710(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (TP, e 1.6000
RFQ
 ECAD 3111 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2710 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 10 MA 5MBD 11ns, 13ns 1.9V (Máximoo) 8Ma 5000VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP121(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GR-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2963 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GR-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4TP4, e 1.9900
RFQ
 ECAD 8441 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-TP1, f -
RFQ
 ECAD 7743 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (D4-BL-TP1F Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 9974 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp183 (grl, e 0,5100
RFQ
 ECAD 9052 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (GRLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP2766A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp2766a (tp, e 1.6700
RFQ
 ECAD 7843 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2766 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 10 MA 20MBD 5ns, 4ns 1.8V (Max) 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2 (F) -
RFQ
 ECAD 5043 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 2 Transistor 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP292-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (v4, e 1.8100
RFQ
 ECAD 6387 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP785(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB, F. 0,2214
RFQ
 ECAD 1711 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. TLP785 DC 1 Transistor download 1 (ilimito) 264-TLP785 (GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
4N35(SHORT-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Short-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 6362 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto 4n35 - 1 (ilimito) 264-4N35 (Short-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130 (GB-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9661 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP130 AC, DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP550 ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp550, f) -
RFQ
 ECAD 8887 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GB, e 0,5000
RFQ
 ECAD 1400 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (GBE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6n137f -
RFQ
 ECAD 3245 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 0 ° C ~ 70 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N137 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 5,5V 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 1/0 200V/µs, 500V/µs (Typ) 75ns, 75ns
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