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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, E) -
RFQ
 ECAD 5477 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 4µs, 7µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 7µs, 7 µs 300mv
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (f 1.7400
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,400 ", 10,16 mm), 5 leads CQC, CSA, Cul, UL, VDE 1 Triac 6-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP3083F (f Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 ma 600µA Sim 2kV/µs (Typ) 5mA -
TLP161G(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (T7TR, U, C, F. -
RFQ
 ECAD 7059 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimito) 264-TLP161G (T7TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (gr, f) -
RFQ
 ECAD 6523 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 2 Transistor 8-DIP download 264-TLP620-2 (GRF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(D4-YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH-LF6, f -
RFQ
 ECAD 9575 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4-YH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP2366(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (TPL, e 1.4000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2366 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 10 MA 20MBD 15ns, 15ns 1.61V 25Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0,6000
RFQ
 ECAD 9189 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 5901 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP371 - 1 (ilimito) 264-TLP371 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7485 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 Transistor Asa de Gaivota de 6-SDIP - 264-TLP719 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - 800ns, 800ns (Máx) -
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4funbll, f -
RFQ
 ECAD 3703 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4funbllf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 9831 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP504 DC 4 Transistor 16-DIP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP383(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4-GB, e -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download 1 (ilimito) 264-TLP383 (D4-GBETR Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (OGI-TL, F (O -
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLX9291 (OGI-TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPL, e 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 2158 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (GRL-TP7F) Tr Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP385(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GB-TPL, e 0,5500
RFQ
 ECAD 6711 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GR-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 1320 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP785F(D4B-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4b-f7, f -
RFQ
 ECAD 8709 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4B-F7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP5702(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (D4-LF4, e 1.5500
RFQ
 ECAD 6558 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície TLP5702 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) 264-TLP5702 (D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 125 - 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
4N35(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (TP1 CURTO, F) -
RFQ
 ECAD 9664 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto 4n35 - 1 (ilimito) 264-4N35 (TP1F CURTO) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP2745(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 (e -
RFQ
 ECAD 9400 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2745 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 30V 6-SO - 1 (ilimito) 264-TLP2745 (e Ear99 8541.49.8000 125 50 MA - 3ns, 3ns 1.55V 15m 5000VRMS 1/0 30kV/µs 120ns, 120ns
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6660 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP716 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-SDIP download 264-TLP716F (ABB-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116 (f) -
RFQ
 ECAD 6702 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2116 DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2116F Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20mA 2500VRMS 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (Y-TP7F) Tr Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 7360 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-TP1, F. -
RFQ
 ECAD 5890 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (D4-GB-TP1F Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP121(GRH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRH-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 3273 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GRH-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP620-4(BL-FNC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (BL-FNC, F) -
RFQ
 ECAD 6875 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 4 Transistor 16-DIP download 264-TLP620-4 (BL-FNCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-G, F) -
RFQ
 ECAD 8794 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP620-4(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 8762 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
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