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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) NOTA Qualifica
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4-LF4, F) -
RFQ
 ECAD 2051 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP250 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 8-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP250HF (D4-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50ns, 50ns 1.57V 5mA 3750VRMS 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (TPL, U, F) -
RFQ
 ECAD 5638 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (ilimito) 264-TLP160G (TPLUF) tr Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-FD, F) -
RFQ
 ECAD 5912 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-Y-FDF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (NCN-TL, F) -
RFQ
 ECAD 1211 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9104A (NCN-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2531 DC 2 Transistor Com base 8-SMD download 264-TLP2531 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% a 16mA 30% a 16mA 200ns, 300ns -
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (GB-TPL, e -
RFQ
 ECAD 4079 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - CAIXA Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4dltgrl, f -
RFQ
 ECAD 4669 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4Dltgrlf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (y, f) -
RFQ
 ECAD 2810 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (ilimito) 264-TLP632 (YF) Ear99 8541.49.8000 50
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (OGI-TL, F (O -
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLX9291 (OGI-TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9905 (tpl, f 4.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLX9905 DC 1 Fotovoltaico 6-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 - - 7V 1.65V 30 mA 3750VRMS - - 300µs, 1ms - Automotivo AEC-Q101
TLP2768(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 6523 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP2768 DC 1 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 2.7V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP2768 (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 MA 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (MBHA-TL, F) -
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9118 (MBHA-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2723 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP2530 DC 2 Transistor Com base 8-SMD download 264-TLP2530 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 7% a 16mA 30% a 16mA 300ns, 500ns -
TLP2766(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP2766 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP2766 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns, 15ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP2631 - 1 (ilimito) 264-TLP2631 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-LF6, f -
RFQ
 ECAD 5826 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 8939 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 ColeCionador Aberto, Schottky Apertuado 4.5V ~ 30V 8-DIP download 264-TLP754 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP155 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP750(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 6698 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimito) 264-TLP750 (D4-Sanydf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB, F) 0,6400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2312(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (TPL, e 1.7100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2312 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.2V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER - 1 (ilimito) 264-TLP2312 (TPLETR Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 5Mbps 2,2ns, 1,6ns 1.53V 8Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP781(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-G, F) -
RFQ
 ECAD 8794 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP531(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 4859 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimito) 264-TLP531 (BL-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GB-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 7795 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (GB-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GRL, F) -
RFQ
 ECAD 7537 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimito) 264-TLP732 (D4-GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (LF4, e 3.0900
RFQ
 ECAD 8042 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2270 AC, DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 8-so download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 20MBD 1.3ns, 1ns 1.5V 8Ma 5000VRMS 2/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP714F(4HWTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (4HWTP, f -
RFQ
 ECAD 7589 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP714 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP714F (4HWTPF Ear99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP2361(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (v4, e 1.0400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2361 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 3750VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (v4, e 1.6000
RFQ
 ECAD 5859 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

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    15.000 m2

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