SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (LF4, e 1.8500
RFQ
ECAD 6302 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5702 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1.65V 20mA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP5772H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (e 2.4900
RFQ
ECAD 2448 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5772 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-SO download 1 (ilimito) 264-TLP5772H (e Ear99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1.4V 8Ma 5000VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP2766F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (TP, F) -
RFQ
ECAD 2401 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP2766 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP2766F (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns, 15ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 (TPL, e 1.4100
RFQ
ECAD 4087 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2304 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 15 MA 1MBD - 1.55V 25Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP716F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp716f (f) -
RFQ
ECAD 7837 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP716F (F) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns, 15ns 1.65V 20mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (F) -
RFQ
ECAD 5641 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2468 DC 1 ColeCionador Aberto 2.7V ~ 5,5V 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2468F Ear99 8541.49.8000 100 25 MA 20MBD 30ns, 30ns 1.57V 25Ma 3750VRMS 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP2766(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 (F) -
RFQ
ECAD 5844 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP2766 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP2766 (F) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns, 15ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (TP4, e 1.9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4-TPL, e 0,8400
RFQ
ECAD 2042 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 20µs
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV, F) -
RFQ
ECAD 4856 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP137 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP137 (BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 200% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP266J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (TPR, e 0,9000
RFQ
ECAD 6709 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TLP Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP266 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 mA 3750VRMS 600 v 70 MA 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA 30µs
TLP512(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (Hitachi, F) -
RFQ
ECAD 4572 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP512 - 1 (ilimito) 264-TLP512 (Hitachif) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (e 1.1200
RFQ
ECAD 75 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2348 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TLP2348 (e Ear99 8541.49.8000 125 50 MA 10Mbps 3ns, 3ns 1.55V 15m 3750VRMS 1/0 30kV/µs 120ns, 120ns
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLT7, f -
RFQ
ECAD 5763 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4BLT7FTR Ear99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (e) -
RFQ
ECAD 3395 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP155 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (LF1, F) -
RFQ
ECAD 3080 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD (0.300 ", 7,62 mm) TLP525 CSA, Cul, ul 1 Triac 4-SMD download 264-TLP525G (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 100 ma 600µA Não 200V/µs 10mA -
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH-TL, SE 0,6000
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP719F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp719f (f) -
RFQ
ECAD 3997 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP719 DC 1 Transistor Com base 6-SDIP - 264-TLP719F (F) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - - -
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (4lgbtre 1.6300
RFQ
ECAD 1661 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF5, F) -
RFQ
ECAD 2022 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP631 - 1 (ilimito) 264-TLP631 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk, F) -
RFQ
ECAD 2768 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 2 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP2531 (Tosykf) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% a 16mA - - -
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 4538 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP137 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP137 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403 (F) -
RFQ
ECAD 3046 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2403 DC 1 Darlington Com Base 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2403F Ear99 8541.49.8000 100 60mA - 18V 1.45V 20 MA 3750VRMS 500% A 1,6mA - 300ns, 1µs -
TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (TP1, f 2.0100
RFQ
ECAD 2537 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (5 leads), Asa de Gaivota TLP3073 CQC, cur, ur 1 Triac 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 1.15V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 ma 1MA (Typ) Não 2kV/µs (Typ) 5mA -
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4-gr, f -
RFQ
ECAD 1238 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4-GRF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (QCPL4532, f -
RFQ
ECAD 4357 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 DC 2 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP2531 (QCPL4532F Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% a 16mA 30% a 16mA 200ns, 300ns -
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPL, e 0,5400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GH, f -
RFQ
ECAD 7042 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (D4-GRHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB, e 0,8300
RFQ
ECAD 4747 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP188 DC 1 Transistor 6-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(BLL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BLL-TP6, F) -
RFQ
ECAD 7168 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (BLL-TP6F) tr Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

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