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Optoisoladores(1738)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP291-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4(GB,E) 1.4600
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 ECAD 2026 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP291 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,2 V 50 mA 2500 Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785F(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GB,F -
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 ECAD 7295 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(GBF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB,E) -
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 ECAD 9774 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP184 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 5µs, 9µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300mV
TLP715(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4-MBS-TP,F -
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 ECAD 9066 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) TLP715 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 4,5 V ~ 20 V Asa de gaivota 6-SDIP download 264-TLP715(D4-MBS-TPF EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6V 20mA 5000Vrms 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP109(IGM-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM-TPR,E 1.9200
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 ECAD 7 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP109 CC 1 Transistor 6-SO, 5 chumbo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8mA - 20V 1,64V 20 mA 3750 Vrms 25% a 10mA 75% @ 10mA 450ns, 450ns -
TLP292-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(4LGBTPE 1.7900
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 ECAD 6242 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP716(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(TP,F) -
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 ECAD 5496 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) TLP716 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 4,5 V ~ 5,5 V Asa de gaivota 6-SDIP - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 1.500 10 mA 15MBd 15ns, 15ns 1,65V 20mA 5000Vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(D4,F) -
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 ECAD 9878 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2761 CA, CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP2761F(D4F) EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP781F(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GB,F) -
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 ECAD 5077 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP748J(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J(D4,F) 1.8600
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 ECAD 3983 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP748 BSI, SEMKO, UR, VDE 1 SCR 6-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1,15V 50 mA 4000Vrms 600 V 150 mA 1mA Não 5V/µs 10mA 15µs
4N28(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N28(CURTO,F) -
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 ECAD 6801 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) 4N28 CC 1 Transistor com Base 6-DIP - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 4N28(CURTO) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2µs, 2µs 30V 1,15V 80 mA 2500 Vrms 20% @ 10mA - - 500mV
TLP120(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GB,F) -
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 ECAD 5979 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP120 CA, CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP120(GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GB,F) -
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 ECAD 7338 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531(GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(TP1,F) -
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 ECAD 2803 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD, asa de gaivota TLP371 CC 1 Darlington comBase 6-SMD download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15V 60 mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 50µs, 15µs 1,2 V
TLP628M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(TP5,E 0,9200
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP628 CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10µs, 10µs 400mV
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620(F) -
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 ECAD 7538 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 100°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP620 CA, CC 1 Transistor 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP188(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(TPL,E 0,8300
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP188 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP620-4(GB-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(GB-LF5,F) -
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 ECAD 6109 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 16 DIP (0,300", 7,62mm) CA, CC 4 Transistor 16-DIP download 264-TLP620-4(GB-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15V 50 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP127(ITO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ITO-TPR,F) -
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 ECAD 6544 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP127 CC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivações - 1 (ilimitado) 264-TLP127(ITO-TPRF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15V 50 mA 2500 Vrms 1000% @ 1mA - 50µs, 15µs 1,2 V
TLP160G(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(TPR,U,F) -
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 ECAD 7480 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP160G você 1 Triac 6-MFSOP, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,15V 50 mA 2500 Vrms 400 V 70 mA 600µA (Típico) Não 200 V/µs 10mA 30µs
TLP624LF1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624LF1F -
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 ECAD 3637 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP624 CC 1 Transistor 4-SMD download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP2531(QCPL4531,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4531,F -
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 ECAD 6037 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP2531 CC 2 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP2531(QCPL4531F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65V 25 mA 2500 Vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP293-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LA-TP,E 1.6300
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 ECAD 3201 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 500µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP624-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-4(F) -
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 ECAD 8129 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 16 DIP (0,300", 7,62mm) TLP624 CC 4 Transistor 16-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15V 50 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP160J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(TPR,U,C,F) -
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 ECAD 3973 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP160J você 1 Triac 6-MFSOP, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,15V 50 mA 2500 Vrms 600 V 70 mA 1mA (tipo) Não 500 V/µs 10mA 30µs
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(GB-LF6,F) -
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 ECAD 8264 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781 CC 1 Transistor 4-SMD download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
6N138F Toshiba Semiconductor and Storage 6N138F -
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 ECAD 4239 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) 6N138 CC 1 Darlington comBase 8-DIP download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 18V 1,65V 20 mA 2500 Vrms 300% a 1,6 mA - 1µs, 4µs -
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
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 ECAD 9727 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP624 CC 1 Transistor 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
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