SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP2719(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719(LF4,E -
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ECAD 9289 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2719 CC 1 Transistor com Base 6-SO download 1 (ilimitado) 264-TLP2719(LF4E EAR99 8541.49.8000 125 8mA - 20V 1,6V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA 55% @ 16mA - -
TLX9291(TOJ2TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291(TOJ2TL,F(O -
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ECAD 1059 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLX9291(TOJ2TLF(O EAR99 8541.49.8000 1
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRT6-TC,F -
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ECAD 4172 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781(D4GRT6-TCFTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785(D4GL-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GL-F6,F -
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ECAD 5321 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4GL-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(BL-TPL,E 0,5600
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ECAD 307 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP161J(T5TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TR,U,C,F -
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ECAD 6551 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (ilimitado) 264-TLP161J(T5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP385(D4-GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-GR,E 0,5500
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ECAD 4492 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP385(D4-GRE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LGB,E 1.7900
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ECAD 6005 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB,SE 0,5100
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ECAD 2065 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP184 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH,F) -
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ECAD 9586 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(GRHF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J(F) -
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ECAD 8284 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP361 você 1 Triac 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 1,15V 50 mA 5000Vrms 600 V 100 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP121(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL,F) -
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ECAD 8069 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(BLF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GBTL,SE -
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ECAD 3535 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP185 CC 1 Transistor com Base 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP185(V4GBTLSE EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP781F(D4GR7PSE,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR7PSE,F -
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ECAD 6924 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4GR7PSEFTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2098(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098(F) -
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ECAD 4586 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores TLP2098 CA, CC 1 Empurre-Puxe, Totem 3V ~ 20V 6-MFSOP, 5 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP2098F EAR99 8541.49.8000 150 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57V 20mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(YH-LF7,F) -
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ECAD 4883 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(YH-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168(F) -
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ECAD 7498 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TLP2168 CC 2 Abrir coletor 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 20MBd 30ns, 30ns 1,57V 25mA 2500 Vrms 2/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP120(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(HO-GB,F) -
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ECAD 4907 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP120 - 1 (ilimitado) 264-TLP120(HO-GBF) EAR99 8541.49.8000 150
TLP734(D4GRTP5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4GRTP5,M,F -
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ECAD 5336 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734(D4GRTP5MF EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP292-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4LATRE 1.7600
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ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 500µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(BL,F) -
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ECAD 9685 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP631 CC 1 Transistor com Base 6-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP3083F(D4,LF4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(D4,LF4F 1.7800
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ECAD 4869 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD, asa de gaivota, 5 derivações TLP3083 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1,15V 50 mA 5000Vrms 800V 100 mA 600µA Sim 2kV/µs (Típico) 5mA -
TLP2601(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601(LF1,F) -
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ECAD 3893 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo 0°C ~ 70°C Montagem em superfície 8-SMD, asa de gaivota TLP2601 CC 1 Coletor aberto, Schottky fixado 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD download Compatível com RoHS Não aplicável TLP2601(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 10MBd 30ns, 30ns 1,65V 20mA 2500 Vrms 1/0 1kV/µs 75ns, 75ns
TLP266J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7,E 0,9200
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ECAD 6891 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TLP Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP266 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP266J(V4T7E EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 30 mA 3750 Vrms 600 V 70 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(OGI-TL,F) -
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ECAD 2225 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9104(OGI-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(CURTO,F) -
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ECAD 2000 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) 4N35 CC 1 Transistor com Base 6-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1,15V 60 mA 2500 Vrms 40% @ 10mA - 3µs, 3µs 300mV
TLP626-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4(F) -
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ECAD 5003 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Última compra -55°C ~ 100°C Através do furo 16 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP626 CA, CC 4 Transistor 16-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15V 50 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP512(NEMIC,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC,TP1,F -
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ECAD 9630 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP512 - 1 (ilimitado) 264-TLP512(NEMICTP1FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP2530(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(F) 1.7600
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ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP2530 CC 2 Transistor 8-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 - - 15V 1,65V 25 mA 2500 Vrms 7% @ 16mA - 300ns, 500ns -
TLP2309(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309(TPR,E 1.2600
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ECAD 6442 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2309 CC 1 Transistor 6-SO, 5 chumbo download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8mA - 20V 1,55V 25 mA 3750 Vrms 15% a 16mA - 1µs, 1µs (máx.) -
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque