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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Agência de Aprovação | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Atual - Espera (Ih) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) | Circuito de Passagem Zero | Estático dV/dt (Min) | Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) | Hora de ligar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP2719(LF4,E | - | ![]() | 9289 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2719 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-SO | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP2719(LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | - | 20V | 1,6V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | 55% @ 16mA | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLX9291(TOJ2TL,F(O | - | ![]() | 1059 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLX9291(TOJ2TLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781(D4GRT6-TC,F | - | ![]() | 4172 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4GRT6-TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP785(D4GL-F6,F | - | ![]() | 5321 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785(D4GL-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP292(BL-TPL,E | 0,5600 | ![]() | 307 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP161J(T5TR,U,C,F | - | ![]() | 6551 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J(T5TRUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385(D4-GR,E | 0,5500 | ![]() | 4492 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP385(D4-GRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP292-4(LGB,E | 1.7900 | ![]() | 6005 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% a 500 µA | 600% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP184(GB,SE | 0,5100 | ![]() | 2065 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP121(GRH,F) | - | ![]() | 9586 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP121 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP121(GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | TLP361J(F) | - | ![]() | 8284 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP361 | você | 1 | Triac | 4-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,15V | 50 mA | 5000Vrms | 600 V | 100 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | |||||||||||||||
![]() | TLP121(BL,F) | - | ![]() | 8069 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP121 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP121(BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | TLP185(V4GBTL,SE | - | ![]() | 3535 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP185 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP185(V4GBTLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
![]() | TLP781F(D4GR7PSE,F | - | ![]() | 6924 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4GR7PSEFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP2098(F) | - | ![]() | 4586 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores | TLP2098 | CA, CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 3V ~ 20V | 6-MFSOP, 5 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP2098F | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57V | 20mA | 3750 Vrms | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
![]() | TLP781F(YH-LF7,F) | - | ![]() | 4883 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(YH-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP2168(F) | - | ![]() | 7498 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TLP2168 | CC | 2 | Abrir coletor | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 20MBd | 30ns, 30ns | 1,57V | 25mA | 2500 Vrms | 2/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
![]() | TLP120(HO-GB,F) | - | ![]() | 4907 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP120 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP120(HO-GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP734(D4GRTP5,M,F | - | ![]() | 5336 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734(D4GRTP5MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4LATRE | 1.7600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 500µA | 600% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP631(BL,F) | - | ![]() | 9685 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP631 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP3083F(D4,LF4F | 1.7800 | ![]() | 4869 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD, asa de gaivota, 5 derivações | TLP3083 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15V | 50 mA | 5000Vrms | 800V | 100 mA | 600µA | Sim | 2kV/µs (Típico) | 5mA | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP2601(LF1,F) | - | ![]() | 3893 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | 0°C ~ 70°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP2601 | CC | 1 | Coletor aberto, Schottky fixado | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP2601(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 10MBd | 30ns, 30ns | 1,65V | 20mA | 2500 Vrms | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
![]() | TLP266J(V4T7,E | 0,9200 | ![]() | 6891 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP266J(V4T7E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrms | 600 V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | |||||||||||||||
![]() | TLP9104(OGI-TL,F) | - | ![]() | 2225 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLP9104(OGI-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 4N35(CURTO,F) | - | ![]() | 2000 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N35 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 30V | 1,15V | 60 mA | 2500 Vrms | 40% @ 10mA | - | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP626-4(F) | - | ![]() | 5003 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Última compra | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP626 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 8µs, 8µs | 55V | 1,15V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP512(NEMIC,TP1,F | - | ![]() | 9630 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP512(NEMICTP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2530(F) | 1.7600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP2530 | CC | 2 | Transistor | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 2500 Vrms | 7% @ 16mA | - | 300ns, 500ns | - | |||||||||||||||
| TLP2309(TPR,E | 1.2600 | ![]() | 6442 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP2309 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8mA | - | 20V | 1,55V | 25 mA | 3750 Vrms | 15% a 16mA | - | 1µs, 1µs (máx.) | - |

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