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Optoisoladores(1738)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP185(BL-TPL,SE | 0,6000 |  | 5987 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP185 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||
 | TLP9121A(HNEGBTL,F | - | | 3405 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(HNEGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2391(TPL,E | 1.3100 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP2391 | CA, CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 10MBd | 3s, 3s | 1,55V | 10mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||
 | TLP626(TP1,F) | - | | 1950 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 8µs, 8µs | 55V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | |||||||
 | TLP2116(TP,F) | - | | 5260 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TLP2116 | CC | 2 | Empurre-Puxe, Totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 mA | 15MBd | 15ns, 15ns | 1,65V | 20mA | 2500 Vrms | 2/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||
 | TLP628MX2 | - | | 4261 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP628 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP628MX2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 5,5µs, 10µs | 350V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 10µs, 10µs | 400mV | |||||||
| TLP731(D4-BL-LF2,F | - | | 4488 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731(D4-BL-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP385(TPL,E | 0,5500 | | 5885 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||
| TLP781F(D4-FUN,F) | - | | 1717 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4-FUNF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
 | TLP292-4(TPR,E | 1.7900 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||
| TLP160J(V4T7,U,C,F | - | | 5917 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160J(V4T7UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP513(F) | - | | 5066 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP513 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP513(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP731(D4-GB-LF4,F | - | | 2820 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731(D4-GB-LF4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP759F(D4IMF4,J,F | - | | 4027 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP759 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759F(D4IMF4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||
 | TLP293(BLL-TPL,E | 0,5100 | | 3760 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP293 | CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 200% @ 500µA | 400% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||
| TLP331(BV-LF2,F) | - | | 6523 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP331(BV-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP785(D4GH-F6,F | - | | 8482 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785(D4GH-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
| TLP105(DPW-TPL,F) | - | | 6810 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores | TLP105 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 4,5 V ~ 20 V | 6-MFSOP, 5 derivações | download | 264-TLP105(DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57V | 20mA | 3750 Vrms | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||
| TLP785F(GRL,F | - | | 9716 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F(GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
| TLP734F(D4-LF4,M,F | - | | 1623 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F(D4-LF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4ADGBT7,F | - | | 4496 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4ADGBT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
 | TLP781(F) | - | | 3773 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | TLP781F | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
| TLP731(D4-GB-LF2,F | - | | 4902 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731(D4-GB-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP750(D4-LF1,F) | - | | 8677 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP750(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4MB-F2,J,F | - | | 2825 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759(D4MB-F2JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||
 | TLP632(F) | - | | 9713 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP632 | CC | 1 | Transistor | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP632F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||
| TLP183(GB-TPR,E | - | | 7572 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP183 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP183(GB-TPRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||
 | TLP2719(LF4,E | - | | 9289 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2719 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-SO | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP2719(LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | - | 20V | 1,6V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | 55% @ 16mA | - | - | |||||||
| TLX9291(TOJ2TL,F(O | - | | 1059 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLX9291(TOJ2TLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRT6-TC,F | - | | 4172 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4GRT6-TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV |
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