SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4BLTR,E 0,5600
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ECAD 7685 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP781F(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GRL,F) -
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ECAD 7229 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-GRLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP550(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(NEMICO,F) -
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ECAD 7182 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550(NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP532(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(BL-TP1,F) -
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ECAD 8683 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532(BL-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP620-2(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(D4-LF2,F) -
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ECAD 9789 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP620 CA, CC 2 Transistor 8-DIP download 264-TLP620-2(D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2370(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(V4,E 1.7700
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ECAD 2020 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2370 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 20Mbps 3s, 2s 1,5 V 8mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP121(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(TPL,F) -
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ECAD 9597 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781(TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(TELS,F) -
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ECAD 4761 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781(TELSF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP160G(DMT7-TPR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(DMT7-TPR,F -
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ECAD 3481 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimitado) 264-TLP160G(DMT7-TPRFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP719F(AD-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(AD-TP,F) -
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ECAD 4645 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) CC 1 Transistor Asa de gaivota 6-SDIP - 264-TLP719F(AD-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (máx.) -
TLP183(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL,E 0,5100
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ECAD 4755 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP183 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP183(BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(GB-TP,E 1.6000
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ECAD 4016 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP292(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(Y-TPL,E 0,5200
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ECAD 9731 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP781(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F) -
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ECAD 3773 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) TLP781F 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-LF4,M,F -
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ECAD 1623 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F(D4-LF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(D4GL-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GL-F6,F -
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ECAD 5321 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4GL-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRT6-TC,F -
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ECAD 4172 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781(D4GRT6-TCFTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4ADGBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4ADGBT7,F -
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ECAD 4496 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4ADGBT7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785F(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRL,F -
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ECAD 9716 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP283(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP283(TP,F) -
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ECAD 9180 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) TLP283 CC 1 Transistor 4-POP download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA - 100V 1,15 V 50 mA 2500 Vrms 100% @ 1mA 400% @ 1mA 7,5µs, 70µs 400mV
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372(V4,E 1.9100
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ECAD 8743 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2372 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,2 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8mA 20Mbps 2,2ns, 1,6ns 1,53 V 8mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP265J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7,E 0,8400
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ECAD 1508 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP265 CQC, cUR, UR, VDE 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP265J(V4T7E EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 50 mA 3750 Vrms 600 V 70 mA 1mA (tipo) Não 500V/µs (Típico) 7mA 20µs
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(U,C,F) -
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ECAD 5785 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -40°C ~ 80°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP191 CC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 150 24µA - 8V 1,4 V 50 mA 2500 Vrms - - 200µs, 3ms -
TLP532(GR-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(GR-TP5,F) -
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ECAD 2528 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532(GR-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP785F(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-YH,F -
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ECAD 9200 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(D4-YHF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP624-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(SANYD,F) -
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ECAD 6744 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP624 - 1 (ilimitado) 264-TLP624-2(SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2405(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2405(F) -
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ECAD 3997 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TLP2405 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 4,5 V ~ 20 V 8-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP2405F EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57V 25mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(TP4,F 1.7900
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ECAD 8342 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD, asa de gaivota, 5 derivações TLP3083 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15V 50 mA 5000Vrms 800V 100 mA 600µA Sim 2kV/µs (Típico) 5mA -
TLP209D(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP209D(TP,F) 2.9000
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ECAD 8964 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Ativo TLP209 - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 2.500
TLP781F(D4-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-LF7,F) -
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ECAD 6163 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque