SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP266J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4-TPR,E 0,9300
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TLP Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP266 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 30 mA 3750 Vrms 600 V 70 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP732(GB-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF4,F) -
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ECAD 3479 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732(GB-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(YH-TPL,SE 0,4500
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ECAD 2619 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP185 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP785(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GRH,F -
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ECAD 6028 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(TP4,E 1.6000
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ECAD 1480 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2710 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 5MBd 11, 13 1,9 V (máx.) 8mA 5000Vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR,F) -
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ECAD 9097 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-NEMIC,F) -
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ECAD 5116 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732(D4-NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4-TPL,E 1.0600
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ECAD 1208 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2361 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP124(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(BV,F) -
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ECAD 8492 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP124 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP124(BVF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF2,F) -
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ECAD 7625 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750(D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4IM-F1,J,F -
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ECAD 8173 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) CC 1 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP759(D4IM-F1JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP265J(V4T7TR,E(T Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TR,E(T -
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ECAD 9072 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP265 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-POP - 1 (ilimitado) 264-TLP265J(V4T7TRE(TTR EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 50 mA 3750 Vrms 600 V 70 mA 1mA Não 500V/µs (Típico) 7mA 100µs
TLP383(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4BLLTL,E 0,6000
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ECAD 2511 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP383 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 200% @ 500µA 400% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP734(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C173,F) -
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ECAD 9944 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734(D4-C173F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(TOJSTLUC,F -
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ECAD 6124 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 85°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota CC Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivações download 264-TLP191B(TOJSTLUCF EAR99 8541.49.8000 1 24µA - 8V 1,4 V 50 mA 2500 Vrms - - 200µs, 3ms -
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(D4LF4,E 2.6700
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ECAD 5296 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP5772 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 15V~30V 6-SO download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1,55V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y,F) 0,6400
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ECAD 90 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-TP7,F) -
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ECAD 1848 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(GB,F) -
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ECAD 3381 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785F(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL,F -
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ECAD 6830 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(TOYOGTL,F -
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ECAD 7371 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A(TOYOGTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(D4-TP4,E -
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ECAD 1286 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2761 CA, CC 1 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP2761(D4-TP4E EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP3905(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905(TPL,E 1.8500
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ECAD 9912 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP3905 CC 1 Fotovoltaico 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 30µA (Típico) - 7V 1,65V 30 mA 3750 Vrms - - 300µs, 1ms -
TLP550(SANYD-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(SANYD-O,F) -
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ECAD 6463 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550(SANYD-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4YHF7,F -
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ECAD 8839 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(D4YHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(Y-TPL,E 0,5700
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ECAD 5381 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LGB,E 1.6400
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ECAD 9035 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(GBTPR,E 1.2300
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ECAD 4227 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF(E 0,9100
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ECAD 5073 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP628 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP628MF(E EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10µs, 10µs 400mV
TLP2962(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962(TP1,F) 1.2600
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ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 8-SMD, asa de gaivota TLP2962 CC 1 Abrir coletor 2,7 V ~ 5,5 V 8-SMD download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50 mA 15MBd 3s, 12s 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque