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Optoisoladores(1738)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Agência de Aprovação | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Atual - Espera (Ih) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) | Circuito de Passagem Zero | Estático dV/dt (Min) | Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) | Hora de ligar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP290(SE | 0,5100 |  | 5250 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP267J(TPR,E | 1.0100 | | 786 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP267 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrms | 600 V | 70 mA | 200µA (Típico) | Não | 500V/µs (Típico) | 3mA | 100µs | |||||||||||||||
 | TLP630(GB-TP1,F) | - | | 9493 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (0,300", 7,62mm) | CA, CC | 1 | Transistor com Base | 6-SMD | - | 264-TLP630(GB-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | TLP628M(GB,E | 0,9100 | | 5715 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP628 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5,5µs, 10µs | 350V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 10µs, 10µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP531(BL-LF1,F) | - | | 2671 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531(BL-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781(D4-TP6,F) | - | | 2044 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4-TP6F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP781F(BLL,F) | - | | 8371 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(BLLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP3910(TP,E | 3.3300 | | 2010 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP3910 | CC | 2 | Fotovoltaico | 6-SO | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | - | 24V | 3,3V | 30 mA | 5000Vrms | - | - | 300µs, 100µs | - | ||||||||||||||||
| TLP161G(IFT7,U,C,F | - | | 8697 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161G(IFT7UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP716(D4-TP,F) | - | | 7993 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) | TLP716 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Asa de gaivota 6-SDIP | download | 264-TLP716(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 15MBd | 15ns, 15ns | 1,65V | 20mA | 5000Vrms | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| TLP531(BL,F) | - | | 1240 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531(BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLX9291(TOJ2TL,F(O | - | | 1059 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLX9291(TOJ2TLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP385(GRH,E | 0,5500 | | 2485 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP385(GRHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP550-TP4,F) | - | | 2240 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550-TP4F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731(D4-GB-LF2,F | - | | 4902 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731(D4-GB-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2719(LF4,E | - | | 9289 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2719 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-SO | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP2719(LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | - | 20V | 1,6V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | 55% @ 16mA | - | - | |||||||||||||||
| TLP781F(D4GRT7,F,W | - | | 7022 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4GRT7FWTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP5702(TP,E | 1.4400 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP5702 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 15V~30V | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1A | - | 15s, 8s | 1,55V | 20mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
| TLP785(D4GH-F6,F | - | | 8482 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785(D4GH-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP731(D4-GB-LF4,F | - | | 2820 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731(D4-GB-LF4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759F(D4IMF4,J,F | - | | 4027 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP759 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759F(D4IMF4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||||||||||
| TLP293(BLL-TPL,E | 0,5100 | | 3760 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP293 | CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 200% @ 500µA | 400% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP513(F) | - | | 5066 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP513 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP513(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759(D4MB-F2,J,F | - | | 2825 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759(D4MB-F2JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP388(D4GB-TR,E | 0,7800 | | 7489 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP388 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 350V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP127(U,F) | - | | 7414 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP127 | CC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivações | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127(UF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrms | 1000% @ 1mA | - | 50µs, 15µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP759(D4KEBIMT1JF | - | | 7952 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759(D4KEBIMT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP2531(MBS,F) | - | | 6376 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP2531 | CC | 2 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP2531(MBSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 2500 Vrms | 19% @ 16mA | 30% @ 16mA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
| TLP331(BV-LF2,F) | - | | 6523 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP331(BV-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2766(TP,F) | - | | 2345 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | Asa de gaivota 6-SDIP | download | 264-TLP2766(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20Mbps | 15ns, 15ns | 1,55V | 25mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns |
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