SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP266J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4-TPL,E 0,9300
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TLP Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP266 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 30 mA 3750 Vrms 600 V 70 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP785(TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(TELS,F -
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ECAD 7019 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(TELSF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRF7TC,F -
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ECAD 1337 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4GRF7TCF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
4N35(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(CURTO-TP5,F) -
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ECAD 6380 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto 4N35 - 1 (ilimitado) 264-4N35(CURTO-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(E 1.0200
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ECAD 7801 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP187 CC 1 Darlington 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 150mA 40µs, 15µs 300V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 1000% @ 1mA - 50µs, 15µs 1,2 V
TLP781(D4-Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-Y-TP6,F) -
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ECAD 3052 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781 CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781(D4-Y-TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4NKODGB7F -
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ECAD 3296 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4NKODGB7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP732(GR-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GR-LF4,F) -
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ECAD 4249 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732(GR-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C172,F) -
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ECAD 9187 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP733 CC 1 Transistor com Base 6-DIP - Compatível com RoHS Não aplicável TLP733F(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4LGB,E 1.7900
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ECAD 2917 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP161J(DMT7TR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(DMT7TR,C,F -
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ECAD 5836 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (ilimitado) 264-TLP161J(DMT7TRCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(D4-TP,E 1.6000
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ECAD 2328 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2710 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 5MBd 11, 13 1,9 V (máx.) 8mA 5000Vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP127(YASK-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(YASK-TPL,F) -
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ECAD 9683 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP127 CC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivações - 1 (ilimitado) 264-TLP127(YASK-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50 mA 2500 Vrms 1000% @ 1mA - 50µs, 15µs 1,2 V
TLP385(D4Y-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4Y-TPR,E 0,5600
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ECAD 4533 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP759F(D4MBIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4MBIMT4JF -
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ECAD 5358 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP759 CC 1 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP759F(D4MBIMT4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP590B(OMT-LF1C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP590B(OMT-LF1C,F -
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ECAD 6279 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 85°C Montagem em superfície 6-SMD, asa de gaivota, 5 derivações TLP590 CC 1 Fotovoltaico Asa de Gaivota 6-DIP download 264-TLP590B(OMT-LF1CF EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 7V 1,4 V 50 mA 2500 Vrms - - 200µs, 1ms -
TLP160G(IFT5,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(IFT5,U,F) -
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ECAD 6294 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (ilimitado) 264-TLP160G(IFT5UF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP2768F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(D4MBSTP,F -
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ECAD 9277 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) CC 1 Coletor aberto, Schottky fixado 2,7 V ~ 5,5 V Asa de gaivota 6-SDIP download 264-TLP2768F(D4MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBd 30ns, 30ns 1,55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(Y-LF5,F) -
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ECAD 4947 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531(Y-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2761(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(D4,E 1.1800
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ECAD 3928 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2761 CA, CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP2761(D4E EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP160J(V4DMT7TR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4DMT7TR,F -
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ECAD 8342 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimitado) 264-TLP160J(V4DMT7TRFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP781F(BLL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BLL-TP7,F) -
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ECAD 2449 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(BLL-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLX9378(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9378(TPL,F 3.9000
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ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLX9378 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 mA 10MBd 90ns, 30ns 1,75 V (máx.) 25mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 100ns, 100ns
TLP293(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BL,E 0,5100
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ECAD 2113 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP293(BLE EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP182(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(TPL,E 0,5200
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ECAD 1277 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP182 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP733(D4-GRL,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(D4-GRL,M,F) -
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ECAD 6919 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimitado) 264-TLP733(D4-GRLMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP714F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F(D4-MBSTP,F -
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ECAD 8895 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) TLP714 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 30 V Asa de gaivota 6-SDIP download 264-TLP714F(D4-MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP785F(D4YHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4YHT7,F -
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ECAD 7277 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(D4YHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP759(TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(TP1,J,F) -
Solicitação de cotação
ECAD 6281 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP759 CC 1 Transistor 8-DIP download Compatível com RoHS Não aplicável TLP759(TP1JF) EAR99 8541.49.8000 1.500 8mA - 20V 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP290(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(SE 0,5100
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ECAD 5250 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP290 CA, CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque