SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP785(D4B-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4B-T6,F -
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ECAD 2387 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4B-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP121(GRH-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TP,F) -
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ECAD 5792 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(GRH-TPF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP161G(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(T7TL,U,C,F -
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ECAD 6233 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP161G - 1 (ilimitado) 264-TLP161G(T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(TPL,E 1.0200
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ECAD 6657 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 105°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2363 CC 1 Abrir coletor 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 mA 10Mbps 23s, 7s 1,5 V 25mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4(GB-TP,J,F -
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ECAD 6888 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita Cortada (CT) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) TLP280 CA, CC 4 Transistor 16-POP download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
4N27(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N27(CURTO,F) -
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ECAD 8912 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) 4N27 CC 1 Transistor com Base 6-DIP - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 4N27(CURTO) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2µs, 2µs 30V 1,15 V 80 mA 2500 Vrms 20% @ 10mA - - 500mV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KMGBTL,F(O -
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ECAD 5179 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLX9185 CC 1 Transistor 6-POP - 264-TLX9185(KMGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3µs, 5µs 80 V 1,27 V 30 mA 3750 Vrms 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5µs, 5µs 400mV
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GR,M,F) -
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ECAD 3504 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(C20,E 3.3700
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ECAD 2174 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP3910 CC 2 Fotovoltaico 6-SO download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - - 24V 3,3V 30 mA 5000Vrms - - 300µs, 100µs -
TLP388(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB-TPL,E 0,8000
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ECAD 4334 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP388 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4,F) -
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ECAD 6927 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP293-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4-GB,E 1.6300
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ECAD 4183 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP669L(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L(S,C,F) -
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ECAD 4419 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP download 264-TLP669L(SCF) EAR99 8541.49.8000 1 1,2 V 30 mA 5000Vrms 800V 100 mA 600µA Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP161J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T7TL,U,C,F -
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ECAD 8555 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161J(T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP759F(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4,J,F) -
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ECAD 3790 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP759 CC 1 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP759F(D4JF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP620-4(HITACHI,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(HITACHI,F -
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ECAD 8382 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 16 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP620 CA, CC 4 Transistor 16-DIP download 264-TLP620-4(HITACHIF EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP265J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TL,E 0,8400
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ECAD 4119 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP265 CQC, cUR, UR, VDE 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 50 mA 3750 Vrms 600 V 70 mA 1mA (tipo) Não 500V/µs (Típico) 7mA 20µs
TLP5772(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(D4-TP,E 0,9772
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ECAD 4079 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP5772 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 10V~30V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP5772(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15s, 8s 1,65V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
4N38A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38A(CURTO,F) -
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ECAD 9550 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) 4N38 CC 1 Transistor com Base 6-DIP - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 4N38A(CURTO) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 80 V 1,15 V 80 mA 2500 Vrms 10% @ 10mA - 3µs, 3µs 1V
TLP531(MBSIN-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(MBSIN-TP5,F -
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ECAD 5651 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531(MBSIN-TP5FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP750(D4-O-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF1,F) -
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ECAD 2156 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750(D4-O-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP627MF(LF2,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(LF2,E -
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ECAD 9308 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP627 CC 1 Darlington 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP627MF(LF2E EAR99 8541.49.8000 50 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110µs, 30µs 1,2 V
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-BL,F -
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ECAD 2555 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4-BLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785F(D4GBF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GBF7,F -
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ECAD 2561 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(D4GBF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP5705H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4-TP,E 1.9100
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ECAD 840 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) CC 1 Empurre-Puxe, Totem 15V~30V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55V 20mA 5000Vrms 1/1 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP532(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(YG,F) -
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ECAD 7001 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532(YGF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-FD,F -
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ECAD 6200 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-GR-FDF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH,F) -
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ECAD 6831 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781(YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP570(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(LF1,F) -
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ECAD 2392 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP570 - 1 (ilimitado) 264-TLP570(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP754(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(TP1,F) -
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ECAD 6092 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 125°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP754 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 30 V 8-DIP download Compatível com RoHS Não aplicável TLP754(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500 15 mA - - 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque