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Optoisoladores(1738)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP525G(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(TP5,F) -
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 ECAD 1349 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 100°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) CSA, cUL, UL 1 Triac 4-DIP download 264-TLP525G(TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 2500 Vrms 400 V 100 mA 600µA Não 200 V/µs 10mA -
TLP627MF(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(LF4,E 0,9200
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 ECAD 8318 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP627 CC 1 Darlington 4-SMD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110µs, 30µs 1,2 V
TLP781F(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GB,F) -
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 ECAD 1853 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785(D4GH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GH-T6,F 0,7600
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP785 CC 1 Transistor 4-SMD download Compatível com RoHS Não aplicável EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(TP1,E 0,9100
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 ECAD 7614 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SMD (0,300", 7,62mm) TLP628 CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10µs, 10µs 400mV
TLP332(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332(BV-LF2,F) -
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 ECAD 7018 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP332 - 1 (ilimitado) 264-TLP332(BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3083(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083(F -
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 ECAD 8887 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Caixa Ativo -40°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 condutores TLP3083 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP download 264-TLP3083(F EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 5000Vrms 600 V 100 mA 600µA Sim 2kV/µs (Típico) 5mA -
TLP185(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(TPR,E) -
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 ECAD 6582 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP185 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS TLP185(TPRE) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5µs, 9µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300mV
TLP184(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GR-TPL,SE 0,5100
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 ECAD 6509 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP184 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF2,F) -
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 ECAD 1724 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9121A(ASTGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(ASTGBTL,F -
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 ECAD 6517 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A(ASTGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP550(YASK-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(YASK-O,F) -
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 ECAD 6088 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550(YASK-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB,SE 0,6100
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 ECAD 8740 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP291 CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BL,F) 0,6400
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 ECAD 9 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP9121A(OGIGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(OGIGBTL,F -
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 ECAD 1570 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A(OGIGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF1,F) -
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 ECAD 5424 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 4-SMD (0,300", 7,62mm) CA, CC 1 Transistor 4-SMD download 264-TLP626(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP2962(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962(TP1,F) 1.2600
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 8-SMD, asa de gaivota TLP2962 CC 1 Abrir coletor 2,7 V ~ 5,5 V 8-SMD download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50 mA 15MBd 3s, 12s 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LGB,E 1.6400
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 ECAD 9035 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(GBTPR,E 1.2300
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 ECAD 4227 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF(E 0,9100
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 ECAD 5073 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP628 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP628MF(E EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10µs, 10µs 400mV
TLP388(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(E 0,8000
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 ECAD 9779 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP388 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download 1 (ilimitado) 264-TLP388(E EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(Y-TPL,E 0,5700
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 ECAD 5381 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP785(D4BL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4BL-T6,F -
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 ECAD 3703 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4BL-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4-TPL,E 1.0600
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 ECAD 1208 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2361 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y,F) 0,6400
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 ECAD 90 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP383(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4BLLTL,E 0,6000
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 ECAD 2511 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP383 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 200% @ 500µA 400% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(D4LF4,E 2.6700
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 ECAD 5296 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP5772 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 15V~30V 6-SO download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1,55V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-TP7,F) -
Solicitação de cotação
 ECAD 1848 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4YHF7,F -
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 ECAD 8839 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(D4YHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR,F) -
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 ECAD 9097 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
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