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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP161J(V4-U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4-U, C, F) -
RFQ
 ECAD 3578 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (ilimito) 264-TLP161J (V4-UCF) tr Ear99 8541.49.8000 150
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (e) -
RFQ
 ECAD 1657 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs, 7µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA 7µs, 7 µs 300mv
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4TP4, e 1.9900
RFQ
 ECAD 8441 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP751(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5641 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP751 DC 1 Transistor Com base 8-DIP - Rohs Compatível Não Aplicável TLP751 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 5000VRMS 10% A 16MA - 200ns, 1µs -
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 7752 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP190 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download 264-TLP190B (TPLUCF) Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
TLP734(D4GRHT5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4GRHT5, M, F. -
RFQ
 ECAD 2332 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimito) 264-TLP734 (D4GRHT5MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 9974 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-TP1, f -
RFQ
 ECAD 7743 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (D4-BL-TP1F Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP265J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (v4, e 0,8400
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP265J (V4E Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 20µs
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp531 (hit-bl-t1, f -
RFQ
 ECAD 3100 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimito) 264-TLP531 (hit-bl-t1f Ear99 8541.49.8000 50
TLP2761(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (LF4, e -
RFQ
 ECAD 6051 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2761 (LF4E Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (la-tr, e 1.6300
RFQ
 ECAD 7543 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP2761F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 5383 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2761 AC, DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2761F (TPF) Ear99 8541.49.8000 2.500 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP714F(D4HW1TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (D4HW1TP, F) -
RFQ
 ECAD 3728 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 30V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP714F (D4HW1TPF) Ear99 8541.49.8000 1 15 MA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP5702H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp5702h (tp, e 1.7100
RFQ
 ECAD 7878 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5702 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 15V ~ 30V 6-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6n136f -
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N136 DC 1 Transistor Com base 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% a 16mA - 200ns, 500ns -
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp9114b (San-tl, f -
RFQ
 ECAD 5590 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9114B (SAN-TLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4-TPL, e 0,8400
RFQ
 ECAD 2042 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, Curs, UR, VDE 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 20µs
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (DLT-HR, F) -
RFQ
 ECAD 9568 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781 (DLT-HRF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP120(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 9244 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP120 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Gr, e 0,5100
RFQ
 ECAD 2219 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (LF7, f -
RFQ
 ECAD 9999 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP785 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP785F (LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4GBTRE 1.7900
RFQ
 ECAD 2512 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (F) -
RFQ
 ECAD 4048 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N36 (Curto, F) -
RFQ
 ECAD 2266 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% a 10mA - 3µs, 3µs 300mv
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 Ur 1 Triac 4-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP525G (F) Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 100 ma 200µA (Typ) Não 200V/µs 10mA -
TLP385(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (gr, e 0,5500
RFQ
 ECAD 2588 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP385 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (MAT-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9349 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (MAT-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP4, e -
RFQ
 ECAD 7022 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5,5V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2761 (TP4E Ear99 8541.49.8000 1.000 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (TP1, f 2.0100
RFQ
 ECAD 2537 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (5 leads), Asa de Gaivota TLP3073 CQC, cur, ur 1 Triac 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 1.15V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 ma 1MA (Typ) Não 2kV/µs (Typ) 5mA -
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