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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Agência de Aprovação | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Atual - Espera (Ih) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) | Circuito de Passagem Zero | Estático dV/dt (Min) | Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) | Hora de ligar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP2662(F) | 1.8400 | ![]() | 980 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP2662 | CC | 2 | Abrir coletor | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP2662F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10MBd | 12s, 3s | 1,55V | 20mA | 5000Vrms | 2/0 | 20kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
![]() | TLP385(D4GH-TR,E | 0,5600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP9114B(BYD-TL,F) | - | ![]() | 7065 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLP9114B(BYD-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759(D4-TP1,J,F) | - | ![]() | 2596 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP759 | CC | 1 | Transistor | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP759(D4-TP1JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | - | 20V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||
![]() | TLP190B(TPR,U,C,F) | - | ![]() | 4583 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Última compra | -40°C ~ 85°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP190 | CC | 1 | Fotovoltaico | 6-MFSOP, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 12µA | - | 8V | 1,4 V | 50 mA | 2500 Vrms | - | - | 200µs, 1ms | - | |||||||||||||||
![]() | TLP290(Y-TP,SE | 0,4200 | ![]() | 8907 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP759(FA1-T1S,J,F | - | ![]() | 2446 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP759 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759(FA1-T1SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP185(GB-TPR,E) | - | ![]() | 7902 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP185 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5µs, 9µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP5772(E | 2.3800 | ![]() | 9395 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP5772 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 10V~30V | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15s, 8s | 1,65V | 8mA | 5000Vrms | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||
![]() | TLP627M(D4-TP1,E | 0,9200 | ![]() | 1428 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD (0,300", 7,62mm) | TLP627 | CC | 1 | Darlington | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150mA | 60µs, 30µs | 300V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 1000% @ 1mA | - | 110µs, 30µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
![]() | TLP332(F) | - | ![]() | 5578 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP332 | CC | 1 | Transistor | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 8µs, 8µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP109(IGM,E) | 1.9900 | ![]() | 6766 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP109 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | - | 20V | 1,64V | 20 mA | 3750 Vrms | 25% a 10mA | 75% @ 10mA | 450ns, 450ns | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP184(E) | - | ![]() | 9693 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5µs, 9µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 400% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP266J(T7-TPL,E | 0,9000 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | cUL, UL | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrms | 600 V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | |||||||||||||||
| TLP293-4(LGB,E | 1.6300 | ![]() | 8376 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP293 | CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% a 500 µA | 600% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP104(TPL,E | 1.5100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP104 | CC | 1 | Abrir coletor | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8mA | 1Mbps | - | 1,61V | 25mA | 3750 Vrms | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP785(GRL,F | 0,6600 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP785(GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | TLP3032(S,C,F) | - | ![]() | 4051 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | - | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores | TLP3032 | SEMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP (corte), 5 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP3032(SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000Vrms | 250 V | 100 mA | - | Sim | - | 10mA | - | |||||||||||||||
| TLP626(TA-015,F) | - | ![]() | 3445 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 264-TLP626(TA-015F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8µs, 8µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | ||||||||||||||||||
![]() | 4N25(CURTO,F) | - | ![]() | 4967 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N25 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 4N25CURTO | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2µs, 200µs | 30V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrms | 20% @ 10mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||
![]() | TLP751(D4-LF1,F) | - | ![]() | 4300 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP751 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-SMD | - | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP751(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 10% @ 16mA | - | 200ns, 1µs | - | ||||||||||||||
![]() | TLP260JTPRPF | - | ![]() | 5567 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP260 | você | 1 | Triac | 4-POP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,15 V | 50 mA | 3000 Vrms | 600 V | 70 mA | 1mA (tipo) | Não | 500V/µs (Típico) | 10mA | 30µs | ||||||||||||||||
![]() | TLP781(D4-GB-TP6,F | - | ![]() | 7972 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4-GB-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP3062A(F | 1.6100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores | TLP3062 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000Vrms | 600 V | 100 mA | 600µA (Típico) | Sim | 2kV/µs (Típico) | 10mA | - | |||||||||||||||
![]() | TLP185(YL-TPR,SE | - | ![]() | 3960 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP185 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP185(YL-TPRSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
![]() | TLP512(TP1,F) | - | ![]() | 7752 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP512(TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385(D4GH-TL,E | 0,5400 | ![]() | 4173 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP2312(E | 1.7300 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP2312 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 chumbo | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP2312(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | 5Mbps | 2,2ns, 1,6ns | 1,53 V | 8mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
![]() | TLP372(F) | - | ![]() | 1179 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP372 | CC | 1 | Darlington | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP372F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 1000% @ 1mA | - | 50µs, 15µs | 1,2 V | ||||||||||||||
| TLP2761(E | 1.1800 | ![]() | 4693 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2761 | CA, CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 15MBd | 3s, 3s | 1,5 V | 10mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns |

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