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Optoisoladores(1738)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Agência de Aprovação | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Atual - Espera (Ih) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) | Circuito de Passagem Zero | Estático dV/dt (Min) | Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) | Hora de ligar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP104(TPL,E | 1.5100 |  | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP104 | CC | 1 | Abrir coletor | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8mA | 1Mbps | - | 1,61V | 25mA | 3750 Vrms | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
 | TLP266J(T7-TPL,E | 0,9000 | | 18 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | cUL, UL | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | |||||||||||||||
 | TLP785(GRL,F | 0,6600 | | 100 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP785(GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
 | TLP293-4(LGB,E | 1.6300 | | 8376 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP293 | CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% a 500 µA | 600% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP718(TP,F) | - | | 9914 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) | TLP718 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 4,5 V ~ 20 V | Asa de gaivota 6-SDIP | download | 264-TLP718(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,6V | 20mA | 5000Vrms | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | TLP504A(GB,F) | - | | 7486 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP504 | CC | 2 | Transistor | 8-DIP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP631(GB,F) | - | | 7988 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP631 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP3043(S,C,F) | - | | 3306 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores | TLP3043 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP (corte), 5 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000Vrms | 400V | 100 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | TLP2719(TP4,E | 1.7500 | | 945 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2719 | CC | 1 | Abrir coletor | 4,5 V ~ 20 V | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | 1MBd | - | 1,6V | 25mA | 5000Vrms | 1/0 | 10kV/µs | 800ns, 800ns | |||||||||||||||
| TLP2631(F) | - | | 9538 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP2631 | CC | 2 | Coletor aberto, Schottky fixado | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 16 mA | 10MBd | 30ns, 30ns | 1,65V | 20mA | 2500 Vrms | 2/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| TLP631(F) | - | | 1006 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP631 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP781(GRH-TP6,F) | - | | 7605 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(GRH-TP6F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP2958(TP1,F) | - | | 7098 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP2958 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 3V ~ 20V | 8-SMD | download | 264-TLP2958(TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1,55V | 25mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP2366(V4-TPL,E | 1.5200 | | 10 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP2366 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20MBd | 15ns, 15ns | 1,61V | 25mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
| TLP759(IGM-LF2,J,F | - | | 8099 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759(IGM-LF2JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP266J(V4,E | 0,9000 | | 3690 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP266J(V4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 30 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | |||||||||||||||
| TLP127(OME-TPR,F) | - | | 4020 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP127 | CC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivações | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127(OME-TPRF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrms | 1000% @ 1mA | - | 50µs, 15µs | 1,2 V | |||||||||||||||
| TLP759(IGM-TP1,J,F | - | | 7999 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP759 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-SMD | download | 264-TLP759(IGM-TP1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 25% a 10mA | 75% @ 10mA | - | - | ||||||||||||||||
| TLP185(YL-TPR,SE | - | | 3960 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP185 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP185(YL-TPRSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP250H(F) | 1.7900 | | 6747 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP250 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 10V~30V | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2,5A | - | 50ns, 50ns | 1,57V | 20mA | 3750 Vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||
| TLP3032(S,C,F) | - | | 4051 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | - | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores | TLP3032 | SEMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP (corte), 5 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP3032(SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000Vrms | 250 V | 100 mA | - | Sim | - | 10mA | - | |||||||||||||||
| TLP781(D4-GB-TP6,F | - | | 7972 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4-GB-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP785(GB-TP6,F | 0,6400 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP3062A(F | 1.6100 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores | TLP3062 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000Vrms | 600V | 100 mA | 600µA (Típico) | Sim | 2kV/µs (Típico) | 10mA | - | |||||||||||||||
| TLP187(V4-TPR,E | - | | 2654 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP187 | CC | 1 | Darlington | 6-POP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP187(V4-TPRETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 1000% @ 1mA | - | 50µs, 15µs | 1,2 V | |||||||||||||||
 | TLP751(D4-LF1,F) | - | | 4300 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP751 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-SMD | - | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP751(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 10% @ 16mA | - | 200ns, 1µs | - | ||||||||||||||
| TLP2312(E | 1.7300 | | 125 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP2312 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 chumbo | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP2312(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | 5Mbps | 2,2ns, 1,6ns | 1,53 V | 8mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP372(F) | - | | 1179 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP372 | CC | 1 | Darlington | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP372F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 1000% @ 1mA | - | 50µs, 15µs | 1,2 V | ||||||||||||||
 | TLP291(GRL-TP,SE | 0,6000 | | 1690 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP291 | CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
 | 4N37(CURTO-TP5,F) | - | | 9038 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD, asa de gaivota | 4N37 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-SMD | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 4N37(CURTO-TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 100mA | - | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrms | 100% @ 10mA | - | 3µs, 3µs | 300mV |
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