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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP550(Y,F) | - | ![]() | 7449 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP734F(D4-C174,F) | - | ![]() | 1372 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP734 | CC | 1 | Transistor | 6-DIP | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP734F(D4-C174F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 4000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||
| TLP2703(TP,E | 1.4400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2703 | CC | 1 | Darlington | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 80mA | - | 18V | 1,47V | 20 mA | 5000Vrms | 900% a 500 µA | 8000% @ 500µA | 330ns, 2,5µs | - | ||||||||
![]() | TLP385(D4-GRL,E | 0,5400 | ![]() | 1695 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP385(D4-GRLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||
![]() | 4N30(CURTO,F) | - | ![]() | 6210 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N30 | CC | 1 | Darlington comBase | 6-DIP | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 4N30(CURTO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 30V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrms | - | - | 5µs, 40µs (máx.) | 1V | ||||||
![]() | TLP131(GR,F) | - | ![]() | 3937 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores | TLP131 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-MFSOP, 5 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP131(GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||
![]() | TLP781F(D4BL-LF7,F | - | ![]() | 6770 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4BL-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
![]() | TLP781F(Y-LF7,F) | - | ![]() | 6990 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(Y-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
![]() | TLP781(D4-GB-LF6,F | - | ![]() | 3421 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4-GB-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
![]() | TLP184(GR,SE | 0,5100 | ![]() | 4422 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | TLP184(GRSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||
![]() | TLP731(D4-GR-LF1,F | - | ![]() | 2116 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731(D4-GR-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP9121A(KBDGBTL,F | - | ![]() | 9340 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(KBDGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627MF(D4-F4,E | 0,9200 | ![]() | 7685 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP627 | CC | 1 | Darlington | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60µs, 30µs | 300V | 1,25 V | 50 mA | 5000Vrms | 1000% @ 1mA | - | 110µs, 30µs | 1,2 V | ||||||||
![]() | TLP184(GB-TPR,SE | 0,5100 | ![]() | 4005 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||
![]() | TLP785(D4GR-T6,F | - | ![]() | 3480 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785(D4GR-T6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
| TLP2366(E) | 1.4200 | ![]() | 107 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLP2366 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 chumbo | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20MBd | 15ns, 15ns | 1,61V | 25mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 40ns, 40ns | ||||||||
| TLP2704(TP,E | 1.4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2704 | CC | 1 | Abrir coletor | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 mA | - | - | 1,55V | 20mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 400ns, 550ns | ||||||||
![]() | TLP558(F) | - | ![]() | 2611 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP558 | CC | 1 | Tri-Estado | 4,5 V ~ 20 V | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP558F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40 mA | 5Mbps | 35ns, 20ns | 1,55V | 10mA | 2500 Vrms | 1/0 | 1kV/µs | 400ns, 400ns | ||||||
![]() | TLP183(Y-TPL,E | 0,5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP183 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrms | 150% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||
![]() | TLP785(D4GR-F6,F | - | ![]() | 7555 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785(D4GR-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
![]() | TLP781F(D4GRH-T7,F | - | ![]() | 2497 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4GRH-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
![]() | TLP759(IGM-TP5,J,F | - | ![]() | 2062 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP759 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-SMD | download | 264-TLP759(IGM-TP5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 25% a 10mA | 75% @ 10mA | - | - | ||||||||
![]() | TLP531(GRL,F) | - | ![]() | 5523 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531(GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2161(TP,F) | - | ![]() | 3368 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TLP2161 | CC | 2 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 mA | 15MBd | 3s, 3s | 1,5 V | 10mA | 2500 Vrms | 2/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||
![]() | TLP785F(Y,F | - | ![]() | 5182 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F(YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||
| TLP2261(TP4,E | 1.2038 | ![]() | 5468 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2261 | CC | 2 | Empurre-Puxe, Totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | download | Compatível com RoHS | TLP2261(TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 15MBd | 3s, 3s | 1,5 V | 10mA | 5000Vrms | 2/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||
![]() | TLP759F(ABBTP4,J,F | - | ![]() | 8064 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP759 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-SMD | download | 264-TLP759F(ABBTP4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||
![]() | TLP126(ASAHID,F) | - | ![]() | 4731 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP126 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP126(ASAHIDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759(IGM,J,F) | - | ![]() | 9198 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP759(IGMJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 25% a 10mA | 75% @ 10mA | - | - | |||||||||
![]() | TLP121(GRL-TPR,F) | - | ![]() | 2000 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP121 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP121(GRL-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV |

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