SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.)
TLP550(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(Y,F) -
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ECAD 7449 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550(YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP734F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-C174,F) -
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ECAD 1372 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP734 CC 1 Transistor 6-DIP - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP734F(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2703(TP,E 1.4400
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ECAD 5 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2703 CC 1 Darlington 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 80mA - 18V 1,47V 20 mA 5000Vrms 900% a 500 µA 8000% @ 500µA 330ns, 2,5µs -
TLP385(D4-GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-GRL,E 0,5400
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ECAD 1695 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP385(D4-GRLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
4N30(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N30(CURTO,F) -
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ECAD 6210 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm) 4N30 CC 1 Darlington comBase 6-DIP - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 4N30(CURTO) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1,15 V 80 mA 2500 Vrms - - 5µs, 40µs (máx.) 1V
TLP131(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GR,F) -
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ECAD 3937 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores TLP131 CC 1 Transistor com Base 6-MFSOP, 5 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP131(GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BL-LF7,F -
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ECAD 6770 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4BL-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(Y-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(Y-LF7,F) -
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ECAD 6990 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(Y-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781(D4-GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GB-LF6,F -
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ECAD 3421 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781 CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781(D4-GB-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP184(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GR,SE 0,5100
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ECAD 4422 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP184 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) TLP184(GRSE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP731(D4-GR-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GR-LF1,F -
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ECAD 2116 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimitado) 264-TLP731(D4-GR-LF1F EAR99 8541.49.8000 50
TLP9121A(KBDGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(KBDGBTL,F -
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ECAD 9340 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A(KBDGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP627MF(D4-F4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(D4-F4,E 0,9200
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ECAD 7685 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP627 CC 1 Darlington 4-DIP download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110µs, 30µs 1,2 V
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB-TPR,SE 0,5100
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ECAD 4005 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP184 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP785(D4GR-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GR-T6,F -
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ECAD 3480 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4GR-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2366(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(E) 1.4200
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ECAD 107 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2366 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 chumbo download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 20MBd 15ns, 15ns 1,61V 25mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
TLP2704(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(TP,E 1.4600
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ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2704 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 30 V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 15 mA - - 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP558(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP558(F) -
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ECAD 2611 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP558 CC 1 Tri-Estado 4,5 V ~ 20 V 8-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP558F EAR99 8541.49.8000 50 40 mA 5Mbps 35ns, 20ns 1,55V 10mA 2500 Vrms 1/0 1kV/µs 400ns, 400ns
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y-TPL,E 0,5000
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ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP183 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 150% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GR-F6,F -
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ECAD 7555 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(D4GR-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRH-T7,F -
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ECAD 2497 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4GRH-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP759(IGM-TP5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(IGM-TP5,J,F -
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ECAD 2062 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 8-SMD, asa de gaivota TLP759 CC 1 Transistor com Base 8-SMD download 264-TLP759(IGM-TP5JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1,65V 25 mA 5000Vrms 25% a 10mA 75% @ 10mA - -
TLP531(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GRL,F) -
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ECAD 5523 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531(GRLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2161(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161(TP,F) -
Solicitação de cotação
ECAD 3368 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TLP2161 CC 2 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 2500 Vrms 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP785F(Y,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(Y,F -
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ECAD 5182 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(YF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2261(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(TP4,E 1.2038
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ECAD 5468 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 8-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2261 CC 2 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO download Compatível com RoHS TLP2261(TP4E EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 5000Vrms 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP759F(ABBTP4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(ABBTP4,J,F -
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ECAD 8064 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 8-SMD, asa de gaivota TLP759 CC 1 Transistor com Base 8-SMD download 264-TLP759F(ABBTP4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP126(ASAHID,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126(ASAHID,F) -
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ECAD 4731 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP126 - 1 (ilimitado) 264-TLP126(ASAHIDF) EAR99 8541.49.8000 150
TLP759(IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(IGM,J,F) -
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ECAD 9198 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) CC 1 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP759(IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1,65V 25 mA 5000Vrms 25% a 10mA 75% @ 10mA - -
TLP121(GRL-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRL-TPR,F) -
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ECAD 2000 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(GRL-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque