SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.)
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4TELS-T6,F -
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ECAD 5195 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781(D4TELS-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF2,F -
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ECAD 1476 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732(D4GRH-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GB,E 0,5600
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ECAD 2272 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP182 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP182(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(MBHAGBTLF -
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ECAD 1213 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A(MBHAGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(LF4,E 1.8500
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ECAD 6302 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP5702 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 10V~30V 6-SO download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,65V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB,E 0,7900
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ECAD 8875 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP388 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(TPL,E 1.4100
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ECAD 4087 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2304 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 30 V 6-SO, 5 chumbo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 15 mA 1MBd - 1,55V 25mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BLL-F7,F -
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ECAD 3316 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(D4-TP,F) -
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ECAD 7485 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) CC 1 Transistor Asa de gaivota 6-SDIP - 264-TLP719(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (máx.) -
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(D4C20TPE 3.3300
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ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP3910 CC 2 Fotovoltaico 6-SO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - - 24V 3,3V 30 mA 5000Vrms - - 300µs, 100µs -
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL-TPL,F) -
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ECAD 1068 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF5,F) -
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ECAD 2264 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP626 CA, CC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626(LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP759(D4TEIGF2J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4TEIGF2J,F -
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ECAD 2055 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) CC 1 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP759(D4TEIGF2JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B(C,F) 3.2100
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ECAD 8 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores TLP591 CC 1 Fotovoltaico 6-DIP, 5 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 24µA - 7V 1,4 V 50 mA 2500 Vrms - - 200µs, 3ms -
TLP9114B(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(HNE-TL,F) -
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ECAD 9858 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - EAR99 8541.49.8000 1
TLP719F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(F) -
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ECAD 3997 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) TLP719 CC 1 Transistor com Base 6-SDIP - 264-TLP719F(F) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1,65V 25 mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F(ABB-TP,F) -
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ECAD 6660 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) TLP716 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SDIP download 264-TLP716F(ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 15MBd 15ns, 15ns 1,65V 20mA 5000Vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP5705H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(E 1.9300
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ECAD 2268 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) CC 1 Empurre-Puxe, Totem 15V~30V 6-SO download 1 (ilimitado) 264-TLP5705H(E EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPL,U,F) 1.0712
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ECAD 2518 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP3902 CC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivações download Compatível com RoHS TLP3902(TPLUF) EAR99 8541.49.8000 3.000 5µA - 7V 1,15V 50 mA 2500 Vrms - - 600µs, 2ms -
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BL,F) -
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ECAD 2145 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(BLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(HNE-TL,F) -
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ECAD 8396 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9104(HNE-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP512(NEMIC-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC-TP1,F -
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ECAD 8791 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Fita e Carretel (TR) Obsoleto TLP512 - 1 (ilimitado) 264-TLP512(NEMIC-TP1FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP754(MBI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(MBI,F) -
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ECAD 7757 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP754 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 30 V 8-DIP download 264-TLP754(MBIF) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(LF1,F) -
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ECAD 2723 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 8-SMD, asa de gaivota TLP2530 CC 2 Transistor com Base 8-SMD download 264-TLP2530(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65V 25 mA 2500 Vrms 7% @ 16mA 30% @ 16mA 300ns, 500ns -
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4GBTRE 1.6300
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ECAD 8493 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(GB-TPL,E 0,8300
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP188 CC 1 Transistor 6-POP download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP2630(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(ESTETE,F) -
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ECAD 8093 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP2630 - 1 (ilimitado) 264-TLP2630(MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRT7FD,F -
Solicitação de cotação
ECAD 4341 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4GRT7FDFTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C174,F) -
Solicitação de cotação
ECAD 4345 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimitado) 264-TLP733F(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(GR,F) -
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ECAD 6523 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP620 CA, CC 2 Transistor 8-DIP download 264-TLP620-2(GRF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque