SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (tipo) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0,6100
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ECAD 6152 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP291 CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP754(MBI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(MBI,F) -
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ECAD 7757 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP754 CC 1 Abrir coletor 4,5 V ~ 30 V 8-DIP download 264-TLP754(MBIF) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(Y-TPL,E 0,5500
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ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP182 CA, CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GB-LF7,F) -
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ECAD 3093 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(GB-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL-TPL,F) -
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ECAD 1068 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(LF1,F) -
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ECAD 3080 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP525 CSA, cUL, UL 1 Triac 4-SMD download 264-TLP525G(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 1,15V 50 mA 2500 Vrms 400 V 100 mA 600µA Não 200 V/µs 10mA -
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-SD,F -
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ECAD 2574 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-GR-SDF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15V 60 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP385(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4,E 0,5400
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ECAD 4303 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP385(D4E EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP293-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(TP,E 1.6000
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ECAD 4090 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP293 CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP2531(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(F) -
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ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP2531 CC 2 Transistor 8-DIP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 - - 15V 1,65V 25 mA 2500 Vrms 19% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP550(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(HITACHI,F) -
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ECAD 9304 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550(HITACHIF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-GRH,E 0,5400
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ECAD 5312 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP385(D4-GRHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TR,E 0,9300
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ECAD 2986 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TLP Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP266 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27V 30 mA 3750 Vrms 600V 70 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPR,F) -
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ECAD 5563 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP124 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8µs 80V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTRE 1.7900
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ECAD 2512 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP121(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(Y,F) -
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ECAD 5341 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(YF) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPL,U,F) 1.0712
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ECAD 2518 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP3902 CC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivações download Compatível com RoHS TLP3902(TPLUF) EAR99 8541.49.8000 3.000 5µA - 7V 1,15V 50 mA 2500 Vrms - - 600µs, 2ms -
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4BL-TR,E 0,5600
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ECAD 2213 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP385 CC 1 Transistor 6-SO, 4 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(BLL-TP,E) -
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ECAD 2482 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP290 CA, CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 4µs, 7µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300mV
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4-TPR,E 0,8500
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP265 CQC, cUR, UR, VDE 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27V 50 mA 3750 Vrms 600V 70 mA 1mA (tipo) Não 500V/µs (Típico) 10mA 20µs
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(YH,E 0,5100
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ECAD 1248 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP183 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP183(SIM EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP734F(GB-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(GB-LF4,M,F -
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ECAD 8810 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F(GB-LF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-GB,E 1.7900
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ECAD 6099 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(4LGBTRE 1.7900
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ECAD 8134 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118(MBHA-TL,F) -
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ECAD 4507 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9118(MBHA-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(TPL,E 0,9000
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TLP Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP266 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27V 30 mA 3750 Vrms 600V 70 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLX9309(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9309(TPL,F 3.6000
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ECAD 4 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLX9309 CC 1 Transistor 6-SO, 5 chumbo download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25mA - - 1,6V 15 mA 3750 Vrms 15% a 7mA 300% a 7mA - -
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4COS-TP5,F -
Solicitação de cotação
ECAD 2015 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) CC 1 Transistor com Base 8-DIP download 264-TLP750(D4COS-TP5F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65V 25 mA 5000Vrms 10% @ 16mA - 200ns, 1µs -
TLP265J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4,E 0,8400
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ECAD 125 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP265 CQC, cUR, UR, VDE 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP265J(V4E EAR99 8541.49.8000 125 1,27V 50 mA 3750 Vrms 600V 70 mA 1mA (tipo) Não 500V/µs (Típico) 10mA 20µs
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-T7,F -
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ECAD 5839 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785F(D4Y-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque