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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Agência de Aprovação | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Atual - Espera (Ih) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (tipo) | Saturação Vce (Máx.) | Circuito de Passagem Zero | Estático dV/dt (Min) | Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) | Hora de ligar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP291(BLL-TP,SE | 0,6100 | ![]() | 6152 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP291 | CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP754(MBI,F) | - | ![]() | 7757 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP754 | CC | 1 | Abrir coletor | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | download | 264-TLP754(MBIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55V | 20mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP182(Y-TPL,E | 0,5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP781F(GB-LF7,F) | - | ![]() | 3093 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(GB-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP121(BL-TPL,F) | - | ![]() | 1068 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP121 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP121(BL-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP525G(LF1,F) | - | ![]() | 3080 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP525 | CSA, cUL, UL | 1 | Triac | 4-SMD | download | 264-TLP525G(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15V | 50 mA | 2500 Vrms | 400 V | 100 mA | 600µA | Não | 200 V/µs | 10mA | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F(D4-GR-SD,F | - | ![]() | 2574 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4-GR-SDF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP385(D4,E | 0,5400 | ![]() | 4303 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP385(D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP293-4(TP,E | 1.6000 | ![]() | 4090 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP293 | CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP2531(F) | - | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP2531 | CC | 2 | Transistor | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 2500 Vrms | 19% @ 16mA | - | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||
![]() | TLP550(HITACHI,F) | - | ![]() | 9304 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550(HITACHIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385(D4-GRH,E | 0,5400 | ![]() | 5312 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP385(D4-GRHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
![]() | TLP266J(V4T7TR,E | 0,9300 | ![]() | 2986 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27V | 30 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | ||||||||||||||||
![]() | TLP124(TPR,F) | - | ![]() | 5563 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP124 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 8µs, 8µs | 80V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP292-4(V4GBTRE | 1.7900 | ![]() | 2512 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP121(Y,F) | - | ![]() | 5341 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP121 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP121(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | TLP3902(TPL,U,F) | 1.0712 | ![]() | 2518 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP3902 | CC | 1 | Fotovoltaico | 6-MFSOP, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | TLP3902(TPLUF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 5µA | - | 7V | 1,15V | 50 mA | 2500 Vrms | - | - | 600µs, 2ms | - | |||||||||||||||
![]() | TLP385(D4BL-TR,E | 0,5600 | ![]() | 2213 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP385 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivações | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP290(BLL-TP,E) | - | ![]() | 2482 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 4µs, 7µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP265J(V4-TPR,E | 0,8500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27V | 50 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 1mA (tipo) | Não | 500V/µs (Típico) | 10mA | 20µs | |||||||||||||||
![]() | TLP183(YH,E | 0,5100 | ![]() | 1248 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP183 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP183(SIM | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
![]() | TLP734F(GB-LF4,M,F | - | ![]() | 8810 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F(GB-LF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4-GB,E | 1.7900 | ![]() | 6099 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP292-4(4LGBTRE | 1.7900 | ![]() | 8134 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% a 500 µA | 600% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP9118(MBHA-TL,F) | - | ![]() | 4507 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLP9118(MBHA-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP266J(TPL,E | 0,9000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27V | 30 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | ||||||||||||||||
| TLX9309(TPL,F | 3.6000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores | TLX9309 | CC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 chumbo | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25mA | - | - | 1,6V | 15 mA | 3750 Vrms | 15% a 7mA | 300% a 7mA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP750(D4COS-TP5,F | - | ![]() | 2015 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | 264-TLP750(D4COS-TP5F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 5000Vrms | 10% @ 16mA | - | 200ns, 1µs | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP265J(V4,E | 0,8400 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP265J(V4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27V | 50 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 1mA (tipo) | Não | 500V/µs (Típico) | 10mA | 20µs | ||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4Y-T7,F | - | ![]() | 5839 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F(D4Y-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV |

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