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Optoisoladores(1738)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Agência de Aprovação | Número de canais | Tipo de saída | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Atual - Saída/Canal | Taxa de dados | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão - Saída (Máx.) | Tensão - Direta (Vf) (Typ) | Corrente - DC direto (se) (máx.) | Tensão - Isolamento | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Atual - Espera (Ih) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | Imunidade transitória de modo comum (mín.) | Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) | Taxa de transferência atual (min) | Taxa de transferência atual (máx.) | Hora de ligar/desligar (típico) | Saturação Vce (Máx.) | Circuito de Passagem Zero | Estático dV/dt (Min) | Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) | Hora de ligar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP631(GB-TP1,F) | - |  | 7347 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP631(GB-TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP124(TPRS,F) | - | | 5023 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota | TLP124 | CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP124(TPRSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 8µs, 8µs | 80V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | ||||||||||||||
 | TLP2362(V4-TPL,E | 1.0500 | | 9559 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C | - | - | TLP2362 | CC | 1 | Abrir coletor | 2,7 V ~ 5,5 V | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | 10MBd | 30ns, 30ns | 1,55V | 25mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| TLP732(D4-GRL,F) | - | | 7537 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732(D4-GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP131(GB-TPL,F) | - | | 8605 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores | TLP131 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-MFSOP, 5 derivações | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP131(GB-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP781(D4-GRH,F) | - | | 5401 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4-GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP292-4(E | 1.7900 | | 5139 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP292-4(E(T | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
 | TLP182(Y-TPL,E | 0,5500 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP182 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP781(D4-BL-LF6,F | - | | 2876 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP781 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781(D4-BL-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP781F(D4-YH,F) | - | | 5200 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F(D4-YHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLX9291(OGI-TL,F(O | - | | 2489 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLX9291(OGI-TLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183(GB,E | 0,5000 | | 1400 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP183 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP183(GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
 | 6N136F | - | | 2215 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | 6N136 | CC | 1 | Transistor com Base | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 2500 Vrms | 19% @ 16mA | - | 200ns, 500ns | - | |||||||||||||||
| TLP785(D4GB-F6,F | - | | 5280 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785(D4GB-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP265J(TPL,E | 0,8200 | | 5753 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP265 | CQC, cUR, UR | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27V | 50 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 1mA (tipo) | Não | 500V/µs (Típico) | 10mA | 20µs | |||||||||||||||
| TLP2530(LF1,F) | - | | 2723 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SMD, asa de gaivota | TLP2530 | CC | 2 | Transistor com Base | 8-SMD | download | 264-TLP2530(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 2500 Vrms | 7% @ 16mA | 30% @ 16mA | 300ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
| TLP2768F(D4-TP,F) | - | | 4795 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm de largura) | TLP2768 | CC | 1 | Abrir coletor | 2,7 V ~ 5,5 V | Asa de gaivota 6-SDIP | download | 264-TLP2768F(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 20MBd | 30ns, 30ns | 1,55V | 25mA | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP9104(SND-TPL,F) | - | | 5940 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | * | Volume | Obsoleto | - | 264-TLP9104(SND-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2745(TP,E | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | TLP2745 | CC | 1 | Empurre-Puxe, Totem | 4,5 V ~ 30 V | 6-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 mA | - | 3s, 3s | 1,55V | 15mA | 5000Vrms | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||
 | 4N38(CURTO,F) | - | | 1929 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N38 | CC | 1 | Transistor com Base | 6-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 80V | 1,15V | 80 mA | 2500 Vrms | 10% @ 10mA | - | 3µs, 3µs | 1V | |||||||||||||||
| TLP624-2(F) | - | | 3253 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP624 | CC | 2 | Transistor | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 8µs, 8µs | 55V | 1,15V | 50 mA | 5000Vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10µs, 8µs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP785(D4GL-T6,F | 0,7400 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP266J(E | 0,8800 | | 125 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | TLP | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP266 | 1 | Triac | 6-POP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27V | 30 mA | 3750 Vrms | 600V | 70 mA | 600µA (Típico) | Sim | 200 V/µs | 10mA | 30µs | ||||||||||||||||
| TLP785F(BL-LF7,F | - | | 7849 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Através do furo | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-DIP | download | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F(BL-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | |||||||||||||||
| TLP785(GB-LF6,F | 0,6400 | | 79 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | TLP785 | CC | 1 | Transistor | 4-SMD | download | Compatível com RoHS | Não aplicável | TLP785(GB-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15V | 60 mA | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400mV | ||||||||||||||
| TLP550(F) | - | | 6265 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 100°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP550 | CC | 1 | Transistor | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15V | 1,65V | 25 mA | 2500 Vrms | 10% @ 16mA | - | 300ns, 1µs | - | |||||||||||||||
| TLP2601(F) | - | | 8371 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | TLP2601 | CC | 1 | Coletor aberto, Schottky fixado | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10MBd | 30ns, 30ns | 1,65V | 20mA | 2500 Vrms | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| TLP185(GB,SE | 0,6100 | | 8225 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 110°C | Montagem em superfície | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores | TLP185 | CC | 1 | Transistor | 6-POP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | TLP185(GBSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300mV | ||||||||||||||
| TLP293-4(V4LATPE | 1.6400 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) | TLP293 | CC | 4 | Transistor | 16-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25V | 50 mA | 3750 Vrms | 50% @ 500µA | 600% @ 500µA | 3µs, 3µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP2403(F) | - | | 3046 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 100°C | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TLP2403 | CC | 1 | Darlington comBase | 8-SO | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | TLP2403F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mA | - | 18V | 1,45V | 20 mA | 3750 Vrms | 500% a 1,6 mA | - | 300ns, 1µs | - |
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