SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Agência de Aprovação Número de canais Tipo de saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Atual - Saída/Canal Taxa de dados Tempo de subida/descida (tipo) Tensão - Saída (Máx.) Tensão - Direta (Vf) (Typ) Corrente - DC direto (se) (máx.) Tensão - Isolamento Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Atual - Espera (Ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade transitória de modo comum (mín.) Atraso de propagação tpLH / tpHL (máx.) Taxa de transferência atual (min) Taxa de transferência atual (máx.) Hora de ligar/desligar (típico) Saturação Vce (Máx.) Circuito de Passagem Zero Estático dV/dt (Min) Corrente - Disparador de LED (Ift) (Máx.) Hora de ligar
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(Y-TP7,F) -
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ECAD 1764 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(Y-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(PED-TL,F) -
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ECAD 8768 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9114B(PED-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(E 0,9000
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ECAD 8368 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP627 CC 1 Darlington 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP627M(E EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50 mA 5000Vrms - 1000% @ 1mA 110µs, 30µs 1,2 V
TLP2770(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(D4,E 2.2400
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ECAD 9458 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP2770 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 20MBd 1,3s, 1s 1,5 V 8mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4FUNBLL,F -
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ECAD 3703 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4FUNBLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP734F(GB-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(GB-LF4,M,F -
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ECAD 8810 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F(GB-LF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(GRH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GRH-TP,SE 0,5900
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ECAD 9517 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP291 CC 1 Transistor 4-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP183(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GRL,E 0,5100
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ECAD 9052 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP183 CC 1 Transistor 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP183(GRLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP550(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(HITACHI,F) -
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ECAD 9304 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550(HITACHIF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2958F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F(F) -
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ECAD 4972 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C Através do furo 8 DIP (0,300", 7,62mm) TLP2958 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 3V ~ 20V 8-DIP download 264-TLP2958F(F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 15ns, 10ns 1,55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP628M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(LF5,E 0,9100
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ECAD 9981 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP628 CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP628M(LF5E EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10µs, 10µs 400mV
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
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ECAD 8672 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores TLP3042 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6-DIP (corte), 5 derivações download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 5000Vrms 400V 100 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA -
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y-LF7,F -
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ECAD 9772 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montagem em superfície 4-SMD, asa de gaivota TLP781F CC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimitado) 264-TLP781F(D4-Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP3033(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3033(S,C,F) -
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ECAD 3200 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto - Através do furo 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 condutores TLP3033 SEMKO, UR 1 Triac 6-DIP (corte), 5 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP3033(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000Vrms 250 V 100 mA - Sim - 5mA -
TLP121(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(TPR,F) -
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ECAD 7190 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SMD (4 derivações), asa de gaivota TLP121 CC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP121(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GB-TPL,F) -
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ECAD 8605 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores TLP131 CC 1 Transistor com Base 6-MFSOP, 5 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP131(GB-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP531(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(BL-LF2,F) -
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ECAD 4859 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531(BL-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(SANYD,F) -
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ECAD 1971 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -55°C ~ 100°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) CA, CC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626(SANYDF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y-LF6,F -
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ECAD 6945 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -55°C ~ 110°C Através do furo 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 CC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimitado) 264-TLP785(Y-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,15 V 60 mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400mV
TLP627-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4(HITOMK,F) -
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ECAD 2239 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (ilimitado) 264-TLP627-4(HITOMKF) EAR99 8541.49.8000 25
TLP9148J(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(ND-TL,F) -
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ECAD 2452 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9148J(ND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP9121A(YSKGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(YSKGBTL,F -
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ECAD 5286 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9121A(YSKGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(TPL,E 0,9000
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TLP Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 4 condutores TLP266 1 Triac 6-POP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27V 30 mA 3750 Vrms 600V 70 mA 600µA (Típico) Sim 200 V/µs 10mA 30µs
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-TP,E 1.7900
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ECAD 1944 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300mV
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303(TPL,E 0,8300
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ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura), 5 condutores TLP2303 CC 1 Transistor 6-SO, 5 chumbo download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 80mA - 18V - 20 mA 3750 Vrms 500% @ 5mA - - -
TLP2161(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161(F) -
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ECAD 8290 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TLP2161 CC 2 Empurre-Puxe, Totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP2161F EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 15MBd 3s, 3s 1,5 V 10mA 2500 Vrms 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV-TPL,F) -
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ECAD 1862 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 100°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura), 5 condutores TLP137 CC 1 Transistor com Base 6-MFSOP, 5 derivações - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) TLP137(BV-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8µs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10µs, 8µs 400mV
TLP5772(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(TP,E 2.4000
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ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 110°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) TLP5772 CC 1 Empurre-Puxe, Totem 10V~30V 6-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15s, 8s 1,65V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(TP4,E 1.9900
Solicitação de cotação
ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 125°C Montagem em superfície 6-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) CC 1 Empurre-Puxe, Totem 15V~30V 6-SO download 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(4LGBTRE 1.7900
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ECAD 8134 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 125°C Montagem em superfície 16-SOIC (0,179", 4,55 mm de largura) TLP292 CA, CC 4 Transistor 16-SO download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrms 100% a 500 µA 600% @ 500µA 3µs, 3µs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque