SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP183(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (e 0,5100
RFQ
ECAD 103 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (V4-TPL, e 1.0500
RFQ
ECAD 9559 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. - - TLP2362 DC 1 ColeCionador Aberto 2.7V ~ 5,5V - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.55V 25Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TP, F) -
RFQ
ECAD 9211 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP120 (GR-TPF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767 (e 2.5400
RFQ
ECAD 5138 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP2767 AC, DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 6-SO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 50MBD 2ns, 1ns 2.1V (Máximoo) 15m 5000VRMS 1/0 25kV/µs 20ns, 20ns
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281 (GB-TP, F) -
RFQ
ECAD 2615 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) TLP281 DC 1 Transistor 4-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Sony-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5109 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Chumbo - 1 (ilimito) 264-TLP127 (Sony-TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 4538 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP137 DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP137 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (gr, f 0,7200
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download Rohs Compatível Não Aplicável TLP785F (GRF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0,6000
RFQ
ECAD 9189 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPL, e 0,5600
RFQ
ECAD 8469 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP161J(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp161j (ift5, u, c, f -
RFQ
ECAD 8740 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (ilimito) 264-TLP161J (IFT5UCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (TPL, e 0,9000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TLP Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP266 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 mA 3750VRMS 600 v 70 MA 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA 30µs
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (y, f) -
RFQ
ECAD 6910 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP551 DC 1 Transistor Com base 8-DIP - Rohs Compatível Não Aplicável TLP551 (YF) Ear99 8541.49.8000 125 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 10% A 16MA - 300ns, 1µs -
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, E) -
RFQ
ECAD 5085 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 9µs, 9 µs 300mv
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPRS, F) -
RFQ
ECAD 5023 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP124 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP124 (TPRSF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8 µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP121(GRH-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRH-TPR, F) -
RFQ
ECAD 4690 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GRH-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (e 0,5700
RFQ
ECAD 125 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4DMT7TRCF -
RFQ
ECAD 8447 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimito) 264-TLP161J (V4DMT7TRCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP121(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB-TPL, F) -
RFQ
ECAD 2862 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6n137f -
RFQ
ECAD 3245 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 0 ° C ~ 70 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N137 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 5,5V 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 1/0 200V/µs, 500V/µs (Typ) 75ns, 75ns
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4lgbtre 1.7900
RFQ
ECAD 8134 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP293-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (e 1.6300
RFQ
ECAD 4531 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP293-4 (e (t Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
4N38(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38 (Curto, F) -
RFQ
ECAD 1929 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N38 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 80V 1.15V 80 MA 2500VRMS 10% a 10mA - 3µs, 3µs 1v
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-FD, F) -
RFQ
ECAD 5912 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-Y-FDF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GR-TPL, e 0,5200
RFQ
ECAD 4529 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TP6, F) 0,6400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP785 DC 1 Transistor 4-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (GB, E) 1.6300
RFQ
ECAD 280 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP290 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 100% a 5mA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (la-tp, e 1.7900
RFQ
ECAD 1266 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP183(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp183 (grl, e 0,5100
RFQ
ECAD 9052 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (GRLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPL, e 0,5400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

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