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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130 (GB-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9661 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP130 AC, DC 1 Transistor Com base 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP550 ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp550, f) -
RFQ
 ECAD 8887 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GB, e 0,5000
RFQ
 ECAD 1400 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (GBE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6n137f -
RFQ
 ECAD 3245 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo 0 ° C ~ 70 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) 6N137 DC 1 ColeCionador Aberto 4.5V ~ 5,5V 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500VRMS 1/0 200V/µs, 500V/µs (Typ) 75ns, 75ns
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP155 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO, 5 FLEDER download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750VRMS 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9160t (tpl, f 7.4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) DC 1 MOSFET 16-SO download 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 1.65V 30 mA 5000VRMS - - 1ms, 1ms (max) -
TLP385(GRH-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPR, e 0,5400
RFQ
 ECAD 5721 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 4795 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP2768 DC 1 ColeCionador Aberto 2.7V ~ 5,5V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP2768F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 MA 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25Ma 5000VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (TA, F) -
RFQ
 ECAD 4822 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP630 AC, DC 1 Transistor Com base 6-DIP download 264-TLP630 (TAF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 1127 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (ilimito) 264-TLP331 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 8469 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-G-TP6, f -
RFQ
 ECAD 8326 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4-G-TP6FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP627(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 2664 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP627 DC 1 Darlington 4-SMD download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 150mA 40µs, 15µs 300V 1.15V 60 MA 5000VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1.2V
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651 (O, F) -
RFQ
 ECAD 4853 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP651 DC 1 Transistor Com base 8-DIP - Rohs Compatível Não Aplicável TLP651 (DE) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 5000VRMS 19% a 16mA - 300ns, 500ns -
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4GB-TL, e 0,6100
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP383 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHF7, f -
RFQ
 ECAD 7137 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4GHF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GB, e 0,5600
RFQ
 ECAD 2272 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP182 (GBE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPR, e 0,8700
RFQ
 ECAD 5699 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP387 DC 1 Darlington 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível Não Aplicável Ear99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% A 1MA - 50µs, 15µs 1v
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (e) -
RFQ
 ECAD 1657 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs, 7µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 400% @ 5MA 7µs, 7 µs 300mv
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
RFQ
 ECAD 8672 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads TLP3042 BSI, Semko, Ur 1 Triac 6-DIP (Corte), 5 Chumbo download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 400 v 100 ma 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA -
TLP2312(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (V4-TPL, e 1.7100
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura), 5 leads TLP2312 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 2.2V ~ 5,5V 6-SO, 5 FLEDER download 1 (ilimito) 264-TLP2312 (V4-TPLETR Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 5Mbps 2,2ns, 1,6ns 1.53V 8Ma 3750VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (Y-TPL, e 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4OM5TRUCF -
RFQ
 ECAD 5428 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160J - 1 (ilimito) 264-TLP160J (V4OM5TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4y-tpl, e 0,5600
RFQ
 ECAD 1433 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP161J(V4-U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4-U, C, F) -
RFQ
 ECAD 3578 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (ilimito) 264-TLP161J (V4-UCF) tr Ear99 8541.49.8000 150
TLP550(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Hitachi, F) -
RFQ
 ECAD 9304 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimito) 264-TLP550 (Hitachif) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5772(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772 (TP, e 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) TLP5772 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 6-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1.65V 8Ma 5000VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (Hit-Bl-L1, f -
RFQ
 ECAD 5237 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimito) 264-TLP532 (Hit-Bl-L1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp266j (v4t7tr, e 0,9300
RFQ
 ECAD 2986 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TLP Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP266 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 mA 3750VRMS 600 v 70 MA 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA 30µs
TLP160G(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp160g (u, f) -
RFQ
 ECAD 6312 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP160G Ur 1 Triac 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 70 MA 600µA (Typ) Não 200V/µs 10mA 30µs
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