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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Agência de AprovAção Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) ATUAL - Hold (ih) Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max) Circuito de Cruzamento zero Estótico dv/dt (min) Corrente - Trigger de LED (IFT) (Max) LIGUE A HORA
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-La, e 1.7900
RFQ
 ECAD 3649 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% A 500µA 600% A 500µA 3µs, 3µs 300mv
TLP2161(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161 (F) -
RFQ
 ECAD 8290 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TLP2161 DC 2 Push-Pul, Totem Pólo 2.7V ~ 5,5V 8-so download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP2161F Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10mA 2500VRMS 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP182(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (BL, e 0,5700
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP182 (BLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp161g (u, c, f) -
RFQ
 ECAD 8267 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP161G Ur 1 Triac 6-MFSOP, 4 Chumbo download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 MA 2500VRMS 400 v 70 MA 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA -
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (F) -
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP550 DC 1 Transistor 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 10% A 16MA - 300ns, 1µs -
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (TPL, e 0,5700
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP117(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 8565 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 5 leads TLP117 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 5,5V 6-MFSOP, 5 LIDERANCA download Rohs Compatível 1 (ilimito) 5A991 8541.49.8000 3.000 10 MA 50MBD 3ns, 3ns 1.6V 25Ma 3750VRMS 1/0 10kV/µs 20ns, 20ns
TLP718F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 8340 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de largura) TLP718 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 4.5V ~ 20V Asa de Gaivota de 6-SDIP download 264-TLP718F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3mA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP181(GR,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP181 (gr, t) -
RFQ
 ECAD 1568 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP181 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp9114b (San-tl, f -
RFQ
 ECAD 5590 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9114B (SAN-TLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP785F(D4TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4tels, f -
RFQ
 ECAD 6633 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4Telsf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (f) -
RFQ
 ECAD 6116 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, SE 0,5900
RFQ
 ECAD 3461 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP185 DC 1 Transistor 6-SOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP331(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp331 (f) -
RFQ
 ECAD 6386 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP331 DC 1 Transistor Com base 6-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (J, F) -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor 8-DIP download Rohs Compatível Não Aplicável TLP759 (JF) Ear99 8541.49.8000 50 8Ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - 200ns, 300ns -
TLP2630(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 9395 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP2630 - 1 (ilimito) 264-TLP2630 (TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
RFQ
 ECAD 8672 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 leads TLP3042 BSI, Semko, Ur 1 Triac 6-DIP (Corte), 5 Chumbo download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 400 v 100 ma 600µA (Typ) Sim 200V/µs 10mA -
TLP183(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BLL, e 0,5100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (BLLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 200% @ 5MA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Gr, e 0,5100
RFQ
 ECAD 2219 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C172, F) -
RFQ
 ECAD 3338 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP733 DC 1 Transistor Com base 6-DIP - Rohs Compatível Não Aplicável TLP733 (D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1.500 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 60 MA 4000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRH-LF6, f -
RFQ
 ECAD 5475 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (GRH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 2264 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP download 264-TLP626 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 3007 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP121 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Chumbo - Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP121 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (Y-TPL, e 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4COS-LF2, f -
RFQ
 ECAD 9163 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimito) 264-TLP732 (D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2 (F) -
RFQ
 ECAD 5043 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 2 Transistor 8-DIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8 µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 100% A 1MA 1200% A 1MA 10µs, 8 µs 400mv
TLP552(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (F) -
RFQ
 ECAD 7108 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP552 - 1 (ilimito) 264-TLP552 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-Bll, e 0,5500
RFQ
 ECAD 5999 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP385 DC 1 Transistor 6-SO, 4 FILDER download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP385 (D4-Blle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (TPL, e 0,8200
RFQ
 ECAD 5753 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP265 CQC, cur, ur 1 Triac 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 MA 3750VRMS 600 v 70 MA 1MA (Typ) Não 500V/µs (Typ) 10mA 20µs
TLP785(D4GL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GL-T6, f 0,7400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP785 DC 1 Transistor 4-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável Ear99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
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