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Optoisolators (1738)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Número de Canais Tipo de Sanda Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Corrente - Sanda / Canal Táxons de Dadas Tempo de Ascensão / Outono (Typ) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Para um Frente (VF) (Typ) Corrente - DC Forward (If) (Max) Tensão - Isolamento Entradas - Lado 1/Lado 2 Imunidade Transitória de Modo Comum (min) Atraso de Propagação TPLH / TPHL (MAX) Táxons de transfermincia atual (min) Taxa de transfermincia ATUAL (MAX) LIGUE ON / LIGUE OFF HORA (TIP) Saturação VCE (Max)
4N35(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Curto-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 1515 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto 4n35 - 1 (ilimito) 264-4N35 (Short-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
4N35(SHORT-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Short-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 6362 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto 4n35 - 1 (ilimito) 264-4N35 (Short-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785 (y-lf6, f -
RFQ
 ECAD 6945 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (Y-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TL, U, C, F -
RFQ
 ECAD 4923 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160J - 1 (ilimito) 264-TLP160J (T7TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1651 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Montagem na Superfície 16-SMD TLP620 AC, DC 4 Transistor 16-SMD download 264-TLP620-4 (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(D4BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4bll-lf6, f -
RFQ
 ECAD 7971 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4BLL-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4-fungr, f -
RFQ
 ECAD 7829 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-FUNGRF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (YH, f -
RFQ
 ECAD 8103 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785 (YHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 2158 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781F (GRL-TP7F) Tr Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4-yh, f) -
RFQ
 ECAD 5200 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-YHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4ght7, f -
RFQ
 ECAD 6227 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP785F (D4GHT7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(D4-YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH-LF6, f -
RFQ
 ECAD 9575 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4-YH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4-GRL,F,W Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GRL, F, W -
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-GRLFW Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 200% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(D4-GR-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-G-TC, F. -
RFQ
 ECAD 5980 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (D4-G-TCF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% a 5mA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-TP6, f -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP785 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP785 (BLL-TP6FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(D4GRH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRH-TP6, f -
RFQ
 ECAD 5325 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (D4GRH-TP6FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 5929 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota TLP781 DC 1 Transistor 4-SMD download 1 (ilimito) 264-TLP781 (YH-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP781F(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (grh, f) -
RFQ
 ECAD 8682 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C. Através do buraco 4-DIP (0,400 ", 10,16mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP download 1 (ilimito) 264-TLP781F (GRHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3µs, 3µs 400mv
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, E) -
RFQ
 ECAD 3061 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 110 ° C. Montagem na Superfície 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de largura) TLP291 DC 1 Transistor 4-SO download Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 300mv
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (Costpluc, f -
RFQ
 ECAD 3149 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP190 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download 264-TLP190B (Costplucf Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp759 (mbs-it, j, f) -
RFQ
 ECAD 1082 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor Com base 8-DIP download 264-TLP759 (MBS-ITJF) Ear99 8541.49.8000 1 8Ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% a 16mA - - -
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (TOJ2GBTF (o -
RFQ
 ECAD 3905 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLX9185 DC 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (o Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3µs, 5 µs 80V 1.27V 30 mA 3750VRMS 20% a 5mA 600% a 5mA 5 µs, 5 µs 400mv
TLP620-4(D4GB-F1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4GB-F1, f -
RFQ
 ECAD 4840 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 4 Transistor 16-DIP download 264-TLP620-4 (D4GB-F1F Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 100% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp731 (gr, f) -
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimito) 264-TLP731 (GRF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP620-4(BL-FNC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (BL-FNC, F) -
RFQ
 ECAD 6875 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C. Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 4 Transistor 16-DIP download 264-TLP620-4 (BL-FNCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% a 5mA 600% a 5mA 3µs, 3µs 400mv
TLP250H(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-TP1, F) 1.7900
RFQ
 ECAD 7192 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 8-SMD, Asa de Gaivota TLP250 DC 1 Push-Pul, Totem Pólo 10V ~ 30V 8-SMD download Rohs Compatível Não Aplicável Ear99 8541.49.8000 1.500 2.5 a - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750VRMS 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (YH, e 0,5100
RFQ
 ECAD 1248 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura), 4 leads TLP183 DC 1 Transistor 6-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) TLP183 (YHE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750VRMS 75% a 5mA 150% @ 5MA 3µs, 3µs 300mv
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (PED-TL, F) -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba * Volume Obsoleto - 264-TLP9114B (PED-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 9293 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP191 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download 264-TLP191B (TPLUCF) Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 3ms -
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp3902 (tpl, u, f) 1.0712
RFQ
 ECAD 2518 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-SMD (4 leads), Asa de Gaivota TLP3902 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 Chumbo download Rohs Compatível TLP3902 (TPLUF) Ear99 8541.49.8000 3.000 5µA - 7V 1.15V 50 MA 2500VRMS - - 600µs, 2ms -
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