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Circuos Integrados (ICS) (10403)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E512M32D2FW-046 AUT: d | - |  | 4416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: d | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | Mt53e1g32d2fw-046 ait: c | - | | 5951 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT: c | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 32Gbit | 3,5 ns | Dram | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAAT: b | - | | 4582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT: b | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT: C tr | - | | 6418 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AAT: Ctr | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 32Gbit | 3,5 ns | Dram | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAT: B TR | - | | 1661 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAT: BTR | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| N25Q128A13ESFA0F | 4.0000 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.000 | 108 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi | 8ms, 5ms | ||||||||
| M29F800FB5AM6F2 | 5.0000 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-SOIC | Flash - NEM | 4.5V ~ 5,5V | 44-SOIC (0,496 ", 12,60 mm de largura) | - | 3277-M29F800FB5AM6F2TR | 500 | Não Volátil | 8MBIT | 55 ns | Clarão | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||||
| Mtfc4gacaalt-4m it tr | 5.6500 | | 16 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 100-TBGA | Flash - NAND | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs Compatível | 3277-MTFC4GACAALT-4MITTR | 1.000 | Não Volátil | 32Gbit | Clarão | 4g x 8 | Emmc_4.5 | ||||||||||
 | Mtfc2gmdea-0m wt | - | | 5737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Bandeja | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 153-WFBGA | Mtfc2g | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0036 | 1.520 | Não Volátil | 16gbit | Clarão | 2g x 8 | Mmc | - | ||||
 | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbit | 500 ps | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | |||
 | Mt40a2g8nea-062e: r | 21.7650 | | 3877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (7,5x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 557-MT40A2G8NEA-062E: r | 1.260 | 1.6 GHz | Volátil | 16gbit | 13,75 ns | Dram | 2g x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| M50FW080N1 | - | | 8949 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | M50FW080 | Flash - NEM | 3V ~ 3,6V | 40-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 250 ns | Clarão | 1m x 8 | Paralelo | - | ||
| MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT | - | | 1549 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOvel | 1.7V ~ 1,95V | 137-VFBGA (13x10.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.140 | 208 MHz | Não Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, Ram | 512m x 8 (Nand), 64m x 32 (lpdram) | Paralelo | - | ||||
| MT46H256M32L4SA-48 WT: c | - | | 3947 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 168-TFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1,95V | 168-TFBGA (12x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 208 MHz | Volátil | 8gbit | 5 ns | Dram | 256m x 32 | Paralelo | 14.4ns | ||
 | M25PX64SOVZM6TP TR | - | | 2377 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | M25PX64 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-T-PBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi | 15ms, 5ms | |||
 | MT41K256M8DA-107 IT: K TR | - | | 7395 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-FBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 256m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT53B2DBDS-DC | - | | 2016 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr4 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | Volátil | Dram | |||||||||||
| MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E. | - | | 8457 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 556-WFBGA | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 556-WFBGA (12,4x12.4) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT41K128M16JT-125 AAT: K. | - | | 4302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (8x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volátil | 2gbit | 13,75 ns | Dram | 128m x 16 | Paralelo | - | ||
 | EDB5432BEBH-1DAAT-FR TR | - | | 3839 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 134-VFBGA | EDB5432 | Sdram - Móvel LPDDR2 | 1.14V ~ 1,95V | 134-VFBGA (10x11,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 533 MHz | Volátil | 512MBIT | Dram | 16m x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT29F1G01AAADDH4-ITX: D tr | - | | 7275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | MT29F1G01 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 1g x 1 | Spi | - | ||||
| M29W640GL70ZF3E | - | | 2089 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-TBGA | M29W640 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-TBGA (10x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 136 | Não Volátil | 64MBIT | 70 ns | Clarão | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | Mt48lc8m8a2p-75 it: g | - | | 5794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 1.000 | 133 MHz | Volátil | 64MBIT | 5.4 ns | Dram | 8m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | N25q064a13ese40e | - | | 9138 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | N25Q064A13 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-so w | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 16m x 4 | Spi | 8ms, 5ms | |||
 | Mt46v32m16p-6t l it: f | - | | 6334 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2.3V ~ 2,7V | 66-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 167 MHz | Volátil | 512MBIT | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT47H128M8B7-5E L: A TR | - | | 1824 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 92-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 92-FBGA (11x19) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 1Gbit | 600 ps | Dram | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F4G01ABBFDWB-IT: f | 4.2200 | | 8957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-udfn | MT29F4G01 | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 83 MHz | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 4g x 1 | Spi | - | |||
| M58LT256KST8ZA6F TR | - | | 7509 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-TBGA | M58LT256 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 52 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 85 ns | Clarão | 16m x 16 | Paralelo | 85ns | |||
 | Mt29f256g08aucabh3-10itz: a | 252.4600 | | 247 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100 lbga | MT29F256G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 100 lbga (12x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
| Mtfc64gaoamea-wt | 21.1200 | | 8866 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | MTFC64 | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1.520 |
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