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Circuos Integrados (ICS) (10403)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Nomes de Ulros ECCN PACOTE PADROO Frequencia do Relógio Tipo de Memória TAMANHO DA MEMÓRIA Tempo de Aceso Formato de Memória Organização de Memória Interface de Memória Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página
MT29F8T08EWLCEM5-QJ:C Micron Technology Inc. Mt29f8t08ewlcem5-qj: c 242.1750
RFQ
 ECAD 9688 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ: c 1
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C Micron Technology Inc. Mt29f1t08eblcej4-es: c -
RFQ
 ECAD 6774 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES: c 1
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B TR 83.7750
RFQ
 ECAD 2318 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 95 ° C. Montagem na Superfície 556-TFBGA Sdram - móvel lpddr4 - 556-WFBGA (12,4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT: BTR 2.000 2.133 GHz Volátil 96Gbit Dram 1,5m x 64 - -
MT62F3G32D8DV-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR 94.8300
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 105 ° C. - - Sdram - móvel lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR 2.000 4.266 GHz Volátil 96Gbit Dram 3g x 32 Paralelo -
MT62F1G32D2DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 IT: B TR 25.1400
RFQ
 ECAD 3922 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 95 ° C. Montagem na Superfície 200-WFBGA Sdram - móvel lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023IT: BTR 2.000 3.2 GHz Volátil 32Gbit Dram 1g x 32 Paralelo -
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT: a 8.7450
RFQ
 ECAD 9329 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 CAIXA Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montagem na Superfície 200-TFBGA Sdram - móvel lpddr4 1,06V ~ 1,17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: a 1 2.133 GHz Volátil 4gbit 3,5 ns Dram 128m x 32 Paralelo 18ns
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C tr 60.5400
RFQ
 ECAD 1980 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: CTR 2.000
MT62F1G32D2DS-026 WT:C Micron Technology Inc. Mt62f1g32d2ds-026 wt: c 22.8450
RFQ
 ECAD 5308 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo -25 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 200-WFBGA Sdram - móvel lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-026WT: c 1 3.2 GHz Volátil 32Gbit Dram 1g x 32 Paralelo -
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C tr 90.4650
RFQ
 ECAD 6658 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -25 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 441-TFBGA Sdram - móvel lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: Ctr 2.000 4.266 GHz Volátil 128 gbit Dram 2g x 64 Paralelo -
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT: B TR 43.5300
RFQ
 ECAD 3305 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 95 ° C. Montagem na Superfície 441-TFBGA MT62F768 Sdram - móvel lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT: BTR 1.500 3.2 GHz Volátil 48Gbit Dram 768m x 64 Paralelo -
MT40A1G16KNR-075 IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075 IT: E TR 23.9400
RFQ
 ECAD 3355 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montagem na Superfície 96-TFBGA Sdram - ddr4 1.14V ~ 1,26V 96-FBGA (7,5x13.5) - 557-MT40A1G16KNR-075IT: ETR 2.000 1.333 GHz Volátil 16gbit 19 ns Dram 1g x 16 Paralelo 15ns
MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. Mt53e1g32d2fw-046 wt: a 22.0050
RFQ
 ECAD 9440 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montagem na Superfície 200-TFBGA Sdram - Móvel lpddr4x 1,06V ~ 1,17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046WT: a 1 2.133 GHz Volátil 32Gbit Dram 1g x 32 Paralelo 18ns
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR 83.2350
RFQ
 ECAD 3193 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -25 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 254-BGA Flash - NAND, DRAM - LPDDR4X - 254-mcp - 557-mt29vzzzbdafqkwl-046w.g0jtr 2.000 2.133 GHz Não Volátil, Volátil 2tbit (NAND), 48GBIT (LPDDR4X) Flash, Ram 256g x 8 (Nand), 1,5g x 32 (LPDDR4X) UFS2.1 -
MT29F4T08EMLCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QJ: c 83.9100
RFQ
 ECAD 5287 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: c 1
MTFC256GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC256GAZAOTD-AIT TR 90.5250
RFQ
 ECAD 9917 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - 557-MTFC256GAZAOTD-AATTR 2.000
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT: c 64.9800
RFQ
 ECAD 2649 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 CAIXA Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montagem na Superfície 200-TFBGA Sdram - Móvel lpddr4x 1,06V ~ 1,17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: c 1 2.133 GHz Volátil 64GBIT 3,5 ns Dram 2g x 32 Paralelo 18ns
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AAT: B TR 62.0700
RFQ
 ECAD 4623 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 105 ° C. Montagem na Superfície 441-TFBGA Sdram - móvel lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT: BTR 1.500 3.2 GHz Volátil 64GBIT Dram 1g x 64 Paralelo -
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AAT: b 47.8950
RFQ
 ECAD 5053 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 CAIXA Ativo - Montagem na Superfície 441-TFBGA MT62F768 Sdram - móvel lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: b 1 4.266 GHz Volátil 48Gbit Dram 768m x 64 Paralelo -
MT62F2G32D8DR-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D8DR-031 WT: B TR 47.0400
RFQ
 ECAD 5221 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - 557-MT62F2G32D8DR-031WT: BTR 2.000
MT62F1536M64D8CL-026 WT:B Micron Technology Inc. Mt62f1536m64d8cl-026 wt: b 55.3050
RFQ
 ECAD 6706 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - - - Sdram - móvel lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-026WT: b 1 3.2 GHz Volátil 96Gbit Dram 1,5g x 64 Paralelo -
MTFC32GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc32gasaons-it tr 20.8050
RFQ
 ECAD 2712 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montagem na Superfície 153-TFBGA Flash - NAND (SLC) 2.7V ~ 3,6V 153-TFBGA (11,5x13) - 557-MTFC32GASAONS-ITTR 2.000 52 MHz Não Volátil 256 gbit Clarão 32g x 8 UFS2.1 -
MT53E4G32D8GS-046 WT:C Micron Technology Inc. Mt53e4g32d8gs-046 wt: c 127.0200
RFQ
 ECAD 4438 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo -25 ° C ~ 85 ° C. - - Sdram - móvel lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WT: c 1 2.133 GHz Volátil 128 gbit Dram 4g x 32 Paralelo -
MT62F2G64D8EK-023 WT:B Micron Technology Inc. Mt62f2g64d8ek-023 wt: b 90.4650
RFQ
 ECAD 6037 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo -25 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 441-TFBGA Sdram - móvel lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT: b 1 4.266 GHz Volátil 128 gbit Dram 2g x 64 Paralelo -
MT29F2G01ABAGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AUT: g 3.2005
RFQ
 ECAD 6152 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT: g 1
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J Micron Technology Inc. Mt29gz5a5bpgga-046it.87j 9.0000
RFQ
 ECAD 4816 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 149-WFBGA Flash - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 1,06V ~ 1,17V, 1,7V ~ 1,95V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J 1 Não Volátil, Volátil 4gbit 25 ns Flash, Ram 512m x 8 Onfi 30ns
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: A TR 47.4300
RFQ
 ECAD 9577 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: ATR 2.000
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E Micron Technology Inc. Mt29f8t08ewleem5-qa: e -
RFQ
 ECAD 7472 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Obsoleto - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA: e Obsoleto 1
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT: C tr 42.4500
RFQ
 ECAD 6338 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montagem na Superfície 376-WFBGA Sdram - Móvel lpddr4x 1,06V ~ 1,17V 376-WFBGA (14x14) download 557-MT53E1G64D4NZ-046WT: Ctr 2.000 2.133 GHz Volátil 64GBIT 3,5 ns Dram 1g x 64 Paralelo 18ns
MTFC32GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AIT TR 21.1800
RFQ
 ECAD 3919 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q104 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montagem na Superfície 153-TFBGA Flash - NAND (SLC) 2.7V ~ 3,6V 153-TFBGA (11,5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AITTR 2.000 52 MHz Não Volátil 256 gbit Clarão 32g x 8 UFS2.1 -
MT62F2G32D4DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 IT: b 50.2800
RFQ
 ECAD 5505 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - Montagem na Superfície 200-WFBGA Sdram - móvel lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023IT: b 1 4.266 GHz Volátil 64GBIT Dram 2g x 32 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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