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Circuos Integrados (ICS) (10403)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt29f1t08emcagj4-5m: a | - |  | 7807 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Obsoleto | 1.120 | Não Volátil | 1TBIT | Clarão | 128g x 8 | Paralelo | ||||||||
 | MT29F256G08CMCABH2-12Z: a | - | | 5478 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-TBGA | MT29F256G08 | Flash - NAND (MLC) | 2.7V ~ 3,6V | 100-TBGA (12x18) | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.120 | 83 MHz | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F4G01ABAFDWB-IT: f | - | | 6253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-udfn | MT29F4G01 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -Mt29f4g01abafdwb-it: ftr | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.560 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 4g x 1 | Spi | - | ||
 | MT29F4G08ABAFAWP-AITES: f | - | | 5951 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | 1 (ilimito) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 960 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29F512G08EEHAFJ4-3RES: a | - | | 3574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - NAND (TLC) | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 | - | | 4759 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | Mt29vzzz7 | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
| Mt29vzzzad8hqkpr-053 w es.g8c | - | | 2779 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | Mt29vzzzad8 | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
| Mt29vzzzad8hqkwl-053 W.G8C | - | | 4428 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | Mt29vzzzad8 | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT ES: B | - | | 5864 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.2V | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 933 MHz | Volátil | 8gbit | Dram | 256m x 32 | - | - | |||||||
| MT52L4DAGN-DC | - | | 4759 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | CAIXA | Ativo | MT52L4 | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1.190 | |||||||||||||||||
| MT53B1DATG-DC | - | | 6798 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | Sdram - móvel lpddr4 | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 960 | Volátil | Dram | |||||||||||||||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT ES: B | - | | 2097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53B256 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (11x14.5) | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.6 GHz | Volátil | 8gbit | Dram | 256m x 32 | - | - | ||||
| MT53B4DBDT-DC | - | | 9040 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | MT53B4 | Sdram - móvel lpddr4 | - | Obsoleto | 1.360 | Volátil | Dram | ||||||||||||||||
| MT53B512M64D4TX-053 WT: c | - | | 8720 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT53B768M32D4TT-062 WT ES: B | - | | 9147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.680 | 1.6 GHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 768m x 32 | - | - | ||||
| Mt53d1g32d4nq-053 wt es: e | - | | 9457 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - | - | |||||||
| Mt53d1g64d8nw-046 wt es: e | - | | 2632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G64 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 1g x 64 | - | - | |||||||
| Mt53d2g32d8qd-046 wt es: e | - | | 5835 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 2g x 32 | - | - | |||||||
| Mt53d2g32d8qd-053 wt es: e | - | | 5666 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 2g x 32 | - | - | |||||||
| MT53D4D1ASQ-DC | - | | 5547 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Descontinuado no sic | MT53D4 | - | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1.360 | ||||||||||||||||||
| MT53D4DARN-DC | - | | 4513 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Descontinuado no sic | MT53D4 | - | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1.008 | ||||||||||||||||||
| MT53D4DDSB-DC | - | | 1852 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | Volume | Ativo | MT53D4 | - | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1.190 | ||||||||||||||||||
 | MT53D512M32D2NP-046 WT ES: D | - | | 2275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 16gbit | Dram | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT53D512M64D4NZ-053 WT ES: D. | - | | 7083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 376-WFBGA | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT53D512M64D8HR-053 WT ES: B | - | | 6258 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 366-WFBGA | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 512m x 64 | - | - | |||
| Mt53d768m32d2ds-046 wt es: a | - | | 3645 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | Obsoleto | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 768m x 32 | - | - | |||||||||
| MT53D768M64D4SB-046 XT ES: A | - | | 2737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | Obsoleto | 1.190 | 2.133 GHz | Volátil | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | - | - | |||||||||
 | Mt53e1g32d4nq-053 wt: e | - | | 8142 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G32 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - | - | ||||||||
| Mt53e2g32d8qd-046 wt: e | - | | 7676 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 2g x 32 | - | - | ||||||||
 | MT61K256M32JE-12: a | - | | 4229 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 180-TFBGA | MT61K256 | Sgram - gddr6 | 1,31V ~ 1,39V | 180-FBGA (12x14) | download | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1,5 GHz | Volátil | 8gbit | Bater | 256m x 32 | Paralelo | - |
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