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Circuos Integrados (ICS) (10403)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A2G4SA-075 C: e | - |  | 5780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT40A2G4 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (7,5x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 557-MT40A2G4SA-075C: e | Obsoleto | 1.260 | 1,33 GHz | Volátil | 8gbit | 19 ns | Dram | 2g x 4 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT54W1MH18BF-5TR | 43.4700 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | SRAM - Síncrono | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 18Mbit | 450 ps | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | |||
 | Mt40a4g4dvn-068h: e | - | | 8206 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (7,5x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 557-MT40A4G4DVN-068H: e | Obsoleto | 210 | 1.467 GHz | Volátil | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Paralelo | - | |||
| Mt40a4g4dvn-075h: e | - | | 8926 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (7,5x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 557-MT40A4G4DVN-075H: e | Obsoleto | 210 | 1,33 GHz | Volátil | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Paralelo | - | |||
| MT58L128L32D1F-6 | 8.2200 | | 1583 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3,6V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volátil | 4MBIT | 3,5 ns | Sram | 128k x 32 | Paralelo | - | ||
 | Mt58l1my18ft-6.8 | 31.1000 | | 11 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | SRAM - Padrão | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbit | 6,8 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||||||
| MT54V1MH18EF-7.5 | - | | 4730 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | SRAM - Síncrono | 2.4V ~ 2,6V | 165-FBGA (13x15) | download | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbit | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | ||||||
| MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | | 4432 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT55L256L | SRAM - Síncrono, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volátil | 8MBIT | 8,5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT57V512H36AF-7.5 | 17.3600 | | 41 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | SRAM - Síncrono | 2.4V ~ 2,6V | 165-FBGA (13x15) | download | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbit | 3,6 ns | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | ||||||
| MT58L128V18PT-7.5 | 2.7800 | | 700 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | SRAM - Padrão | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20.1) | download | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 2MBIT | 4 ns | Sram | 128k x 18 | Paralelo | - | ||||||
| MT58L128L32F1T-8.5 | 3.0700 | | 3090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volátil | 4MBIT | 8,5 ns | Sram | 128k x 32 | Paralelo | - | ||
 | MT55L512L18FF-11 | 8.9300 | | 1825 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | MT55L512L | SRAM - Síncrono, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volátil | 8MBIT | 8,5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
 | MT40A512M16Z11BWC1 | 9.0100 | | 4406 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | Montagem na Superfície | Morrer | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | Wafer | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1 | Volátil | 8gbit | Dram | 512m x 16 | Paralelo | - | ||||||
| MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 | 3.5200 | | 5166 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Morrer | MT29F4G08 | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | Morrer | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | Mt29f8g08adafawp-mai: f | 11.6600 | | 999 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F8G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 8gbit | Clarão | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4G08ABAFAWP-IT: f | 4.2200 | | 933 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| Mt29f8g08adafawp-aat: f | 12.8500 | | 241 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F8G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 8gbit | Clarão | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4G08ABAFAWP-AAT: f | 5.3900 | | 564 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT: f | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
| Mt25ql128abb1ese-0aut | 5.9500 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | MT25QL128 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-so | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.500 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 5 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi | 1,8ms | ||
| MT52L256M64D2QB-125 XT: B TR | - | | 5570 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | MT52L256 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.2V | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | MT52L256M64D2QB-125XT: BTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.000 | 800 MHz | Volátil | 16gbit | Dram | 256m x 64 | - | - | ||||||
| MT53D4G16D8AL-062 WT: E TR | - | | 3057 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D4G16 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | MT53D4G16D8AL-062WT: ETR | Obsoleto | 2.000 | 1.6 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 4g x 16 | - | - | |||||||
 | MT53D512M16D1DS-046 AAT: D TR | 10.3200 | | 8692 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53D512M16D1DS-046AAT: DTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 8gbit | Dram | 512m x 16 | - | - | ||
| MT53E128M16D1DS-053 AIT: A TR | - | | 4114 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053AIT: ATR | Obsoleto | 2.000 | 1.866 GHz | Volátil | 2gbit | Dram | 128m x 16 | - | - | |||||||
 | MT53E1536M32D4DT-046 AIT: A TR | - | | 4559 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E1536 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53E1536M32D4DT-046AIT: ATR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 48Gbit | Dram | 1,5g x 32 | - | - | |||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A TR | - | | 7665 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: ATR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 1g x 64 | - | - | ||||||
| MT53E256M32D2DS-053 AIT: B TR | 14.0850 | | 3984 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53E256 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53E256M32D2DS-053AIT: BTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volátil | 8gbit | Dram | 256m x 32 | - | - | ||
| MT53E384M32D2DS-046 AUT: E TR | 13.5900 | | 1483 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53E384 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53E384M32D2DS-046AUT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 12 gbit | Dram | 384m x 32 | - | - | ||
| MT53E384M32D2DS-046 WT: E TR | - | | 5803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53E384 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | MT53E384M32D2DS-046WT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 12 gbit | Dram | 384m x 32 | - | - | |||
| MT53E384M32D2DS-053 AIT: E TR | 10.7700 | | 3771 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53E384 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53E384M32D2DS-053AIT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volátil | 12 gbit | Dram | 384m x 32 | - | - | ||
| MT53E768M32D4DT-046 AAT: E TR | 29.2650 | | 5600 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-VFBGA | MT53E768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MT53E768M32D4DT-046AAT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 768m x 32 | - | - |
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