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Circuos Integrados (ICS) (10403)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28EW01GABA1HJS-0AAT | 16.4250 |  | 3072 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT28EW01 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 576 | Não Volátil | 1Gbit | 105 ns | Clarão | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||
 | MT28EW01GABA1HPC-0AAT | - | | 6867 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64 lbga | MT28EW01 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64 lbga (11x13) | download | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.104 | Não Volátil | 1Gbit | 105 ns | Clarão | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT28FW01GABA1HPC-0AAT | - | | 4747 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64 lbga | MT28FW01 | Flash - NEM | 1.7V ~ 3,6V | 64 lbga (11x13) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.104 | Não Volátil | 1Gbit | 105 ns | Clarão | 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| MT28FW512ABA1LJS-0AAT | - | | 3621 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT28FW512 | Flash - NEM | 1.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 576 | Não Volátil | 512MBIT | 105 ns | Clarão | 32m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT | - | | 4983 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOvel | 1.7V ~ 1,95V | 137-VFBGA (13x10.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.140 | 208 MHz | Não Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, Ram | 512m x 8 (Nand), 64m x 32 (lpdram) | Paralelo | - | |||
 | Mt29e1ht08emhbbj4-3: b | - | | 9608 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29E1HT08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | Não Volátil | 1.5tbit | Clarão | 192G x 8 | Paralelo | - | |||||
| Mt29e1t08cmhbbj4-3: b | - | | 5512 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29E1T08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 1TBIT | Clarão | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||
| Mt29e1t208echbbj4-3: b | - | | 1986 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29E1T208 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | Não Volátil | 1.125tbit | Clarão | 144G x 8 | Paralelo | - | |||||
| Mt29e384g08ebhbbj4-3: b | - | | 5304 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29E384G08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 384Gbit | Clarão | 48g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29E3T08EUHBBM4-3: b | - | | 2330 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | - | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 3tbit | Clarão | 384g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29E512G08CKCCBH7-6: c | - | | 2465 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 152-TBGA | MT29E512G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 152-TBGA (14x18) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Paralelo | - | |||
| Mt29e6t08ethbbm5-3: b | - | | 6375 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E6T08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | - | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 6tbit | Clarão | 768g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f128g08aecbbh6-6it: b | - | | 3794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 152-VBGA (14x18) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Não Volátil | 128 gbit | Clarão | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F16G08ABAWP-AIT: b | - | | 2017 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F16G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 960 | Não Volátil | 16gbit | Clarão | 2g x 8 | Paralelo | - | |||
 | Mt29f1g16abbeah4-atx: e | - | | 2223 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - NAND | 1.7V ~ 1,95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
| Mt29f1ht08emcbbj4-37: b | - | | 9498 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 267 MHz | Não Volátil | 1.5tbit | Clarão | 192G x 8 | Paralelo | - | |||
| Mt29f1ht08emhbbj4-3r: b | - | | 5211 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 1.5tbit | Clarão | 192G x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f1t08cucbbh8-6r: b | - | | 9836 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 152 lbga | MT29F1T08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 152-lbga (14x18) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Não Volátil | 1TBIT | Clarão | 128g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F256G08AMCBBH7-6IT: b | - | | 4611 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 152-TBGA | MT29F256G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 152-TBGA (14x18) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT41K512M16HA-107G: a | - | | 7600 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (9x14) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volátil | 8gbit | 20 ns | Dram | 512m x 16 | Paralelo | - | |
 | Mt41k64m16tw-125: j | - | | 1548 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (8x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 800 MHz | Volátil | 1Gbit | 13,75 ns | Dram | 64m x 16 | Paralelo | - | |
| EDW4032BABG-80-FD | - | | 9576 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 170-TFBGA | EDW4032 | Sgram - gddr5 | 1,31V ~ 1,65V | 170-FBGA (12x14) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.440 | 2 GHz | Volátil | 4gbit | Bater | 128m x 32 | Paralelo | - | ||
| MT49H16M18CTR-25: b | - | | 3809 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT49H16M18 | Dram | 1.7V ~ 1,9V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 400 MHz | Volátil | 288Mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Paralelo | - | |
| MT41K256M8V89CWC1 | - | | 7641 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | Volátil | 2gbit | Dram | 256m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F256G08CBHBBJ4-3R: b | - | | 9609 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - NAND (MLC) | 2,5V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F2G08ABBEAH4-AITX: e | 3.7059 | | 3848 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - NAND | 1.7V ~ 1,95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 256m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08CUHBBM4-3R: b | - | | 5195 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F2T08 | Flash - NAND | 2,5V ~ 3,6V | - | - | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Não Volátil | 2tbit | Clarão | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f4g08abadah4-aatx: d | 5.4563 | | 9466 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F4G08ABADAWP-AATX: d | 7.6100 | | 353 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 960 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F4G08ABADAWP-AITX: d | 7.1900 | | 256 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 960 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - |
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