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Circuos Integrados (ICS) (847)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Nomes de Ulros | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LF128EQIGR | 1.4109 |  | 5794 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (4x4) | download | 1970-GD25LF128EQIGRTR | 3.000 | 166 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD55LT01GEB2ry | 16.0875 | | 1948 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT01GEB2RY | 4.800 | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||
| GD25B32CS2GR | 0,9688 | | 7690 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B32CS2GRTR | 2.000 | 80 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 7 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 60µs, 4ms | |
| GD25LQ255EWIGY | 2.1965 | | 8546 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25LQ255EWigy | 5.700 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | - | ||
| GD25X512MEBARY | 11.2385 | | 2421 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25X | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25X512MEBARY | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - e/s octal | - | ||
| GD25LR512MEFIRY | 4.9631 | | 5294 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LR512MEFIRY | 1.760 | 200 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||
| GD25LQ255EFJRR | 2.8683 | | 7649 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | download | 1970-GD25LQ255EFJRRTR | 1.000 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | - | ||
| GD25Q256EYJGR | 2.7672 | | 6615 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD25Q256EYJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||
| GD25LQ16AGR | 0,9688 | | 2887 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 2,1V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25LQ16AGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 6 ns | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 100µs, 4ms | |
| Gd5f1gq5ueyjgr | 2.9324 | | 5226 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 7 ns | Clarão | 256m x 4 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 600µs | |
| GD25LE64ETIGR | 0,8045 | | 1377 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | download | 1970-GD25LE64ETIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | 6 ns | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
| Gd25lx512mefirr | 6.7411 | | 5150 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LX | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LX512MEFirrtr | 1.000 | 200 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - e/sctal e/s, dtr | - | ||
| GD25UF64EQIGR | 1.0390 | | 6007 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25UF | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.14V ~ 1,26V | 8-USON (4x4) | - | 1970-GD25UF64EQIGRTR | 3.000 | 120 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | ||
| GD25B256EFIRR | 2.4461 | | 8258 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOP | download | 1970-GD25B256EFIRR | 1.000 | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||
| GD25LR256EB2ry | 4.2826 | | 6794 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25LR256EB2ry | 4.800 | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||
| Gd5f2gq5reyihy | 3.9138 | | 4288 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5reyihy | 4.800 | 80 MHz | Não Volátil | 2gbit | 11 ns | Clarão | 512m x 4 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 600µs | |
| Gd5f1gq5ueyihr | 2.3508 | | 9700 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 7 ns | Clarão | 256m x 4 | Spi - quad e/s, dtr | 600µs | |
| GD25Q256EBiry | 2.2897 | | 3527 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | download | 1970-GD25Q256EBiry | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||
| GD25B512MEF2RR | 6.7701 | | 1028 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOP | - | 1970-GD25B512MEF2RRTR | 1.000 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD25LR256EFIRR | 2.8974 | | 4907 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LR256EFIRTR | 1.000 | 104 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 9 ns | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 70µs, 1,2ms | |
| Gd9au8g8e3amgi | 14.6400 | | 3554 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9A | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | download | 1970-GD9AU8G8E3AMGI | 960 | Não Volátil | 8gbit | 18 ns | Clarão | 1g x 8 | Paralelo | 20ns | ||
| GD25LB512MEF2RR | 7.0523 | | 3698 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LB512MEF2RRTR | 1.000 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD9FS2G6F2AMGI | 4.7450 | | 2141 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 48-TSOP i | download | 1970-GD9FS2G6F2AMGI | 960 | Não Volátil | 2gbit | 20 ns | Clarão | 128m x 16 | Onfi | 25ns | ||
| GD25R128EWIGR | 1.7152 | | 8921 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25R128EWIGRTR | 3.000 | 200 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||
| Gd9fs2g8f2algi | 4.7455 | | 9013 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 63-FBGA (9x11) | download | 1970-GD9FS2G8F2algi | 2.100 | Não Volátil | 2gbit | 20 ns | Clarão | 256m x 8 | Onfi | 25ns | ||
| GD25LQ32ETigy | 0,6080 | | 4126 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | download | 1970-GD25LQ32ETigy | 4.320 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 6 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
| Gd9fs4g8f3algi | 7.0554 | | 4942 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Bandeja | Ativo | download | 1970-GD9FS4G8F3ALGI | 2.100 | |||||||||||||||
| GD25LT512MEBARY | 10.1346 | | 4484 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LT | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25LT512MEBARY | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD25LE16EEGR | 0,5678 | | 4022 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | download | 1970-GD25LE16EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 6 ns | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
| GD25LB512MEY2GY | 7.1953 | | 5315 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - |
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