SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Frequencia do Relógio Tipo de Memória TAMANHO DA MEMÓRIA Tempo de Aceso Formato de Memória Organização de Memória Interface de Memória Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CEIGR -
RFQ
ECAD 3916 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-XFDFN PAD EXPOSTO GD25VQ20 Flash - NEM 2.3V ~ 3,6V 8-USON (2x3) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Não Volátil 2MBIT Clarão 256k x 8 Spi - quad e/s 50µs, 3ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
ECAD 6545 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25VE20 Flash - NEM 2.1V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Não Volátil 2MBIT Clarão 256k x 8 Spi - quad e/s -
GD25VE40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CTIG 0,3686
RFQ
ECAD 4974 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25VE40 Flash - NEM 2.1V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Não Volátil 4MBIT Clarão 512k x 8 Spi - quad e/s -
GD25VQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CSIG -
RFQ
ECAD 7941 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25VQ80 Flash - NEM 2.3V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Não Volátil 8MBIT Clarão 1m x 8 Spi - quad e/s 50µs, 3ms
GD25VQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CTIG -
RFQ
ECAD 5033 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25VQ80 Flash - NEM 2.3V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Não Volátil 8MBIT Clarão 1m x 8 Spi - quad e/s 50µs, 3ms
GD25VQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIGR -
RFQ
ECAD 9920 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25VQ16 Flash - NEM 2.3V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 2.000 104 MHz Não Volátil 16MBIT Clarão 2m x 8 Spi - quad e/s 50µs, 3ms
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
ECAD 3531 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25VQ16 Flash - NEM 2.3V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Não Volátil 16MBIT Clarão 2m x 8 Spi - quad e/s 50µs, 3ms
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
RFQ
ECAD 8137 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25VE16 Flash - NEM 2.1V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Não Volátil 16MBIT Clarão 2m x 8 Spi - quad e/s -
GD25VE32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CSIGR -
RFQ
ECAD 3345 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25VE32 Flash - NEM 2.1V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 2.000 104 MHz Não Volátil 32Mbit Clarão 4m x 8 Spi - quad e/s -
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIG -
RFQ
ECAD 7306 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25WD05 Flash - NEM 1,65V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 20.000 100 MHz Não Volátil 512kbit Clarão 64k x 8 Spi - quad e/s -
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CTIG -
RFQ
ECAD 5574 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25WD10 Flash - NEM 1,65V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 20.000 Não Volátil 1Mbit Clarão 128k x 8 Spi - quad e/s -
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq4ueyigy -
RFQ
ECAD 6722 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F1GQ4 Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Não Volátil 1Gbit Clarão 128m x 8 Spi - quad e/s 700µs
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq4Ufyigy -
RFQ
ECAD 2993 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F1GQ4 Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Não Volátil 1Gbit Clarão 128m x 8 Spi - quad e/s 700µs
GD5F2GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UFYIGY -
RFQ
ECAD 5750 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F2GQ4 Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Não Volátil 2gbit Clarão 256m x 8 Spi - quad e/s 700µs
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR -
RFQ
ECAD 8884 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F4GQ4 Flash - NAND 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Não Volátil 4gbit Clarão 512m x 8 Spi - quad e/s
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGY -
RFQ
ECAD 7820 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F4GQ4 Flash - NAND 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Não Volátil 4gbit Clarão 512m x 8 Spi - quad e/s
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR -
RFQ
ECAD 8974 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F4GQ4 Flash - NAND 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Não Volátil 4gbit Clarão 512m x 8 Spi - quad e/s
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UCYIGR -
RFQ
ECAD 4519 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD5F4GQ4 Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Não Volátil 4gbit Clarão 512m x 8 Spi - quad e/s
GD25D05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CKIGR 0,2725
RFQ
ECAD 6700 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-XFDFN PAD EXPOSTO GD25D05 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-USON (1,5X1,5) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 3.000 100 MHz Não Volátil 512kbit Clarão 64k x 8 Spi - e/s dupla 50µs, 4ms
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0,7100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-XFDFN PAD EXPOSTO GD25Q40 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-USON (2x3) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 3.000 80 MHz Não Volátil 4MBIT Clarão 512k x 8 Spi - quad e/s 50µs, 2,4ms
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWIGR 2.3000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN GD25LQ128 Flash - NEM 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Não Volátil 128Mbit 7 ns Clarão 16m x 8 Spi - quad e/s 60µs, 2,4ms
GD25LQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ENIGR 1.0900
RFQ
ECAD 871 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-AUDFN PAD EXPOSTO GD25LQ32 Flash - NEM 1.65V ~ 2V 8-USON (4x3) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 3.000 133 MHz Não Volátil 32Mbit 7 ns Clarão 4m x 8 Spi - quad e/s, qpi 60µs, 2,4ms
GD25Q16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ENIGR 0,8700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-AUDFN PAD EXPOSTO GD25Q16 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-USON (4x3) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 3.000 133 MHz Não Volátil 16MBIT 7 ns Clarão 2m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2ms
GD25Q16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETIGR 0,7500
RFQ
ECAD 26 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25Q16 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 3.000 133 MHz Não Volátil 16MBIT 7 ns Clarão 2m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2ms
GD25Q64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESIGR 1.1800
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25Q64 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 1970-GD25q64esigrtr 3A991B2A 8542.32.0071 2.000 133 MHz Não Volátil 64MBIT 7 ns Clarão 8m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2,4ms
GD25Q32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32esigr 0,9400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25Q32 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 2.000 133 MHz Não Volátil 32Mbit 7 ns Clarão 4m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2,4ms
GD25LQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32esigr 1.0100
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25LQ32 Flash - NEM 1.65V ~ 2V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 2.000 133 MHz Não Volátil 32Mbit 7 ns Clarão 4m x 8 Spi - quad e/s, qpi 60µs, 2,4ms
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16esigr 0,7100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) GD25Q16 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 2.000 133 MHz Não Volátil 16MBIT 7 ns Clarão 2m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2ms
GD25Q32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EWIGR 1.1100
RFQ
ECAD 5940 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN Flash - NEM (SLC) 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (5x6) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3.000 133 MHz Não Volátil 32Mbit 7 ns Clarão 4m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2,4ms
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYIGR 2.1300
RFQ
ECAD 8352 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN Flash - NEM (SLC) 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3.000 133 MHz Não Volátil 128Mbit 7 ns Clarão 16m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2,4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque