SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Frequencia do Relógio Tipo de Memória TAMANHO DA MEMÓRIA Tempo de Aceso Formato de Memória Organização de Memória Interface de Memória Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página
GD25LX512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEBIRY 6.3271
RFQ
ECAD 6051 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX Bandeja Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 24-TBGA Flash - NEM (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LX512Mebiry 4.800 200 MHz Não Volátil 512MBIT Clarão 64m x 8 Spi - e/sctal e/s, dtr -
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIG -
RFQ
ECAD 4889 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) GD25LD40 Flash - NEM 1.65V ~ 2V 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 20.000 50 MHz Não Volátil 4MBIT Clarão 512k x 8 Spi - e/s dupla 97µs, 6ms
GD9FU1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fu1g8f3algi 2.4985
RFQ
ECAD 3762 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Bandeja Ativo download 1970-GD9FU1G8F3ALGI 2.100
GD25B128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EWIGR 2.1800
RFQ
ECAD 6120 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN Flash - NEM (SLC) 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (5x6) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3.000 133 MHz Não Volátil 128Mbit 7 ns Clarão 16m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2,4ms
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWIGY 0,8112
RFQ
ECAD 4020 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Bandeja Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície PAD EXPOSTO DE 8-WDFN Flash - NEM (SLC) 2.7V ~ 3,6V 8-WSON (5x6) download 1970-GD25Q64EWigy 5.700 133 MHz Não Volátil 64MBIT 7 ns Clarão 8m x 8 Spi - quad e/s 70µs, 2,4ms
GD25LD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CKIGR 0,2929
RFQ
ECAD 4889 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-XFDFN PAD EXPOSTO Flash - NEM (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (1,5X1,5) download 1970-GD25LD10CKIGRTR 3.000 50 MHz Não Volátil 1Mbit 12 ns Clarão 128k x 8 Spi - e/s dupla 55µs, 6ms
GD25LE80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80EEIGR 0,4659
RFQ
ECAD 2264 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-XFDFN PAD EXPOSTO Flash - NEM (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (3x2) download 1970-GD25LE80EEIGRTR 3.000 133 MHz Não Volátil 8MBIT 6 ns Clarão 1m x 8 Spi - quad e/s, qpi 60µs, 2,4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque