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Circuitos Integrados (CIs)(312)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Aplicativos | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Atual - Fornecimento | Tensão - Entrada | SIC programável | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Função | Tipo de canal | Método de detecção | Precisão | Atual - Saída | Configuração orientada | Número de motoristas | Tipo de portão | Tensão Lógica - VIL, VIH | Corrente - Saída de pico (fonte, coletor) | Tempo de subida/descida (tipo) | Tensão lateral alta - Máx. (Bootstrap) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IX6R11S6 | - |  | 8614 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 18-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | IX6R11 | Não Inversor | Não selecionado | 10V ~ 35V | 18-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 42 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, MOSFET do canal N | 6 V, 9,6 V | 6A, 6A | 25ns, 17ns | 600 V | ||||||||||
 | IXDN430CI | - | | 8483 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-5 | IXDN430 | Não Inversor | Não selecionado | 8,5 V ~ 35 V | PARA-220-5 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 3,5 V | 30A, 30A | 18, 16 | |||||||||||
 | IXDD509SIAT/R | - | | 6072 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXDD509 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 2,4 V | 9A, 9A | 25ns, 23ns | |||||||||||
 | IXDD504D2 | - | | 7330 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | IXDD504 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 8-DFN (4x5) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Independente | Lado inferior | 2 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 3 V | 4A, 4A | 9ns, 8ns | |||||||||||
| IXDD409CI | - | | 8339 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-5 | IXDD409 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 35 V | PARA-220-5 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 3,5 V | 9A, 9A | 10ns, 10ns | |||||||||||
 | IX6611TR | - | | 5525 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Sobretensão, proteção contra subtensão | Montagem em superfície | Almofada exposta 16-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IX6611 | 3mA | 13V ~ 25V | 16-SOIC-EP | download | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | |||||||||||||||||||
| IXDF404SIA | - | | 5653 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXDF404 | Inversor, Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 35 V | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Independente | Lado inferior | 2 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 2,5 V | 4A, 4A | 16, 13 | |||||||||||
| IX2R11M6T/R | - | | 7154 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 16-VDFN | IX2R11 | Não Inversor | Não selecionado | 10V ~ 35V | 16-MLP (7x6) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, MOSFET do canal N | 6V, 9,5V | 2A, 2A | 8ns, 7ns | 500 V | ||||||||||
| IXDE514SIA | - | | 3143 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXDE514 | Invertendo | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 1V, 2,5V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||||
| IXB611S1 | - | | 1234 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Obsoleto | - | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXB611 | - | Não selecionado | - | 8-SOIC | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
| IXDN509D1T/R | - | | 6892 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-VDFN | IXDN509 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 2,4 V | 9A, 9A | 25ns, 23ns | |||||||||||
 | IXDI414YI | - | | 7427 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-6, D²Pak (5 derivações + guia), TO-263BA | IXDI414 | Invertendo | Não selecionado | 4,5 V ~ 35 V | PARA-263-5 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 3,5 V | 14A, 14A | 22, 20 | |||||||||||
| IXJ611S1T/R | - | | 7970 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXJ611 | - | Não selecionado | - | 8-SOIC | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
| IXH611S1T/R | - | | 8925 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXH611 | - | Não selecionado | - | 8-SOIC | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
| IXH611S1 | - | | 2721 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Obsoleto | - | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXH611 | - | Não selecionado | - | 8-SOIC | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
| IXDI509D1T/R | - | | 9676 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-VDFN | IXDI509 | Invertendo | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 2,4 V | 9A, 9A | 25ns, 23ns | |||||||||||
| IXDI409CI | - | | 1818 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-5 | IXDI409 | Invertendo | Não selecionado | 4,5 V ~ 35 V | PARA-220-5 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 3,5 V | 9A, 9A | 10ns, 10ns | |||||||||||
 | IXE611P1 | - | | 1323 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Obsoleto | - | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | IXE611 | - | Não selecionado | - | 8-DIP | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
| IXDN404PI | - | | 1249 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | IXDN404 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 35 V | 8-DIP | download | Não aplicável | REACH não afetado | IXDN404PI-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Independente | Lado inferior | 2 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 2,5 V | 4A, 4A | 16, 13 | ||||||||||
| IXDN514D1T/R | - | | 1580 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-VDFN | IXDN514 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 1V, 2,5V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||||
| IXD611P7 | - | | 8646 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 14 DIP (0,300", 7,62 mm) | IXD611 | Não Inversor | Não selecionado | 10V ~ 35V | 14-PDIP | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, MOSFET do canal N | 2,4 V, 2,7 V | 600ma, 600ma | 28, 18 | 600 V | ||||||||||
| IXDI514SIAT/R | - | | 9456 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXDI514 | Invertendo | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 1V, 2,5V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||||
| IXDN509PI | - | | 9381 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 8 DIP (0,300", 7,62mm) | IXDN509 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 2,4 V | 9A, 9A | 25ns, 23ns | |||||||||||
| IXDF402SI | - | | 4127 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXDF402 | Inversor, Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 35 V | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | Q2687800 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Independente | Lado inferior | 2 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 0,8 V, 3 V | 2A, 2A | 8ns, 8ns | ||||||||||
 | IXCP10M35S | - | | 2990 | 0,00000000 | IXYS | IXC | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Através do furo | PARA-220-3 | IXCP10 | - | PARA-220-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador atual | - | - | 10mA | ||||||||||||||||
 | IXCY10M45A | - | | 3584 | 0,00000000 | IXYS | IXC | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IXCY10 | - | TO-252AA | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador atual | - | - | 60mA | ||||||||||||||||
| IXS839BQ2 | - | | 8246 | 0,00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 10-VFDFN | IXS839 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 5,5 V | 10-QFN (3x3) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 121 | Sincrono | Meia-Ponte | 2 | MOSFET do canal N | 0,8V, 2V | 2A, 4A | 20ns, 15ns | 24 V | ||||||||||
| IXDN514SIAT/R | - | | 2307 | 0,00000000 | IXYS | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IXDN514 | Não Inversor | Não selecionado | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Solteiro | Lado inferior | 1 | MOSFET IGBT, Canal N, Canal P | 1V, 2,5V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||||
| IXCY10M45S-TRL | 1.7645 | | 5533 | 0,00000000 | IXYS | IXC | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IXCY10 | 450V | TO-252AA | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 238-IXCY10M45S-TRLTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Regulador atual | - | - | 100mA | |||||||||||||||
 | IXA611S3 | - | | 3473 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | IXA611 | Não Inversor | Não selecionado | 10V ~ 35V | 16-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 368 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, MOSFET do canal N | 6V, 7V | 600ma, 600ma | 23, 22 | 650 V |
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