SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Aplicações Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Caractersticas Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Tensão - Entrada (Max) Tipo de Sanda Número de Circuitos Razão - Entrada: Saís Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Tipo Lógico Número de Elementos Número de bits por elemento Corrente - Saís Alta, Baxa Função Tensão - Supimento, Único/Duplo (±) Tensão - Deslocamento de Entrada (Max) Corrente - Viés de Entrada (Max) Corrente - Saís (Typ) Corrente - Quiescent (Max) CMRR, PSRR (TIP) Atraso de Propagação (Max) Histerese Número de Entradas Tensão - Supimento (VCC/VDD) Interface Número de Sandas Atraso da propagação máxima @ v, max cl ATUAL - QUIESCENTE (QI) ATUAL - SUPIGILO (MAX) Nível Lógico de Entrada - Baixo Nível Lógico de Entrada - Alto Topologia Frequencia - Comutação Protegão de Falhas Recursos de Controle Configuraça de Sanda Retificador Síncrono Corrente - Saís RDS EM (Typ) Tensão - Carga Tipo de motor - Stepper TIPO DE MOTOR - AC, CC Resolução de etapas Tipo de interruptor Corrente - Saís (máx) Tensão - Saís (min/fixo) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Entrada (min) Número de Reguladores Abandono de Tensão (Max) PSRR Recursos de Proteção
TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ -
RFQ
ECAD 6418 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Bandeja Obsoleto -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Objetivo Geral Através do buraco Lidera o Formados Em 25-SIP TB62215 Power MOSFET 4,75V ~ 5,25V 25-Hzip download 1 (ilimito) TB62215AHQ (O) Ear99 8542.39.0001 504 Motor Paralelo Meia Ponte (4) 3a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF (TE12L, Q) -
RFQ
ECAD 5726 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TCV71 5.6V Ajustável Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Afastamento 1 Buck 1MHz Positivo Sim 6a 0,8V 5.6V 2.7V
TB67S549FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb67s549ftg, el 1.9800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Objetivo Geral Montagem na Superfície Exposto de 24-VFQFN PAD TB67S549 DMOS 4.5V ~ 33V 24-QFN (4x4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 4.000 Motor Pwm Meia Ponte (2) 1.2a 4.5V ~ 33V Bipolar DC Escovado 1 ~ 1/32
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN115, LF (SE 0,3800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-XFDFN PAD EXPOSTO 5.5V FIXO 4-SDFN (0,8x0,8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 1.15V - 1 0,65V A 150mA - Sobre um corrente
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, 6murf (m -
RFQ
ECAD 9977 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo TA78L015 35V FIXO LSTM download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 1 6,5 Ma - Positivo 150mA 15V - 1 1.7V @ 40MA (Typ) 40dB (120Hz) Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TB67S103AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S103AFTG, EL 1.6439
RFQ
ECAD 3309 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Objetivo Geral Montagem na Superfície 48 WFQFN PAD Exposto TB67S103 Power MOSFET 4,75V ~ 5,25V 48-WQFN (7x7) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 4.000 Motor Spi Meia Ponte (4) 3a 10V ~ 47V Bipolar - 1 ~ 1/32
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62216fng, c8, el 2.8000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Objetivo Geral Montagem na Superfície 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm de largura) Pad Exposto TB62216 Power MOSFET 4,75V ~ 5,25V 48-HTSSOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Ear99 8542.39.0001 1.000 Motor Pwm Meia Ponte (4) 2a 10V ~ 38V - DC Escovado -
7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1T125fu, lf 0,4400
RFQ
ECAD 7759 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba 7ul Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 7ul1T125 - 3 Estados 2.3V ~ 3,6V USV download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Buffer, inversor de Não 1 1 8MA, 8MA
TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFNG, EL 1.0600
RFQ
ECAD 5309 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 16-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) - TBD62503 Inversora N-canal 1: 1 16-ssop download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.000 Não é necessário ON/OFF 7 - Lado Baixo - 50V (Max) Objetivo Geral 300mA
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14, LM (CT 0,3300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TCR2EF Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 TCR2EF14 5.5V FIXO Smv download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 1.4V - 1 0,42V A 150mA 73dB (1KHz) Sobre um corrente
TCR2EE31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE31, LM (CT 0,0680
RFQ
ECAD 4405 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TCR2EE Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SOT-553 TCR2EE31 5.5V FIXO Esv download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 3.1V - 1 0,2V A 150mA 73dB (1KHz) Sobre um corrente
TBD62083AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG -
RFQ
ECAD 3773 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 18-SOIC (0,276 ", 7,00 mm de largura) - TBD62083 Inversora N-canal 1: 1 18-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 40 Não é necessário ON/OFF 8 - Lado Baixo - 50V (Max) Objetivo Geral 500mA
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF32, LM (CT 0,0906
RFQ
ECAD 4668 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr3df Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 5.5V FIXO Smv download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 3.000 Habilitar Positivo 300mA 3.2V - 1 0,25V A 300mA 70dB (1KHz) Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG, EL 1.5300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Objetivo Geral Montagem na Superfície Pad de 8-soic (0,154 ", 3,90mm de largura) TB67H451 Bicdmos - 8-HSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 264-TB67H451AFNGELCT Ear99 8542.39.0001 3.500 Motor Pwm Pré -Driver - Meia Ponte 3.5a 4.5V ~ 44V Bipolar DC Escovado -
TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X, LF -
RFQ
ECAD 6745 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-UFQFN PAD EXPOSTO Objetivo Geral TC75W70 Push-pull SOT-902 download 1 (ilimito) Ear99 8542.33.0001 5.000 2 1.3V ~ 5,5V 6mv @ 3V 1pa @ 3V 18MA @ 3V 47µA - 800ns -
TA58M06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S, Q (j -
RFQ
ECAD 2343 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TA58M06 29V FIXO To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 MA - Positivo 500mA 6V - 1 0,65V A 500mA - Sobre um corrente, uma reversa de temperatura ea polaridade
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr3dm105, lf 0,4500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr3dm Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-AUDFN PAD EXPOSTO TCR3DM105 5.5V FIXO 4-DFN (1x1) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Habilitar Positivo 300mA 1.05V - 1 0,75V A 300mA 70dB (1KHz) Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20, LM (CT 0,3300
RFQ
ECAD 8680 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TCR2EF Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 TCR2EF20 5.5V FIXO Smv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 2V - 1 0,31V A 150mA 73dB (1KHz) Sobre um corrente
TCR2DG21,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg21, lf 0,1394
RFQ
ECAD 8943 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr2dg Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-UFBGA, WLCSP 5.5V FIXO 4-WCSP (0,79x0,79) download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 3.000 70 µA Habilitar Positivo 200Ma 2.1V - 1 0,15V A 100mA - Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33, LF (SE 0,4800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-AUDFN PAD EXPOSTO 5.5V FIXO 4-DFN (1x1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 10.000 Habilitar Positivo 300mA 3.3V - 1 0,23V A 300mA - Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27, LM (CT 0,0680
RFQ
ECAD 1161 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TCR2EE Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SOT-553 TCR2EE27 5.5V FIXO Esv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 2.7V - 1 0,23V A 150mA 73dB (1KHz) Sobre um corrente
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335, LM (CT 0,4900
RFQ
ECAD 2885 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr3df Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 TCR3DF335 5.5V FIXO Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Habilitar Positivo 300mA 3.35V - 1 0,25V A 300mA 70dB (1KHz) Corrente de Entrada, Acima da temperatura, Sobre uma temperatura
TC7PZ05FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ05FU, LJ (CT 0,3300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tc7pz Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DRENO ABERTO 7pz05 2 1,65V ~ 5,5V US6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Inversor -, 32mA 1 µA 2 3,5ns @ 5V, 50pf - -
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF (T6L1, Q) -
RFQ
ECAD 6410 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-252-6, DPAK (5 leads + guia) TA48S033 16V FIXO 5-HSIP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.000 1.7 MA 20 MA Habilitar Positivo 1a 3.3V - 1 0,68V @ 1A (Typ) 63dB (120Hz) Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A, LF 0,1357
RFQ
ECAD 7913 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TCR5am Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XDFN PAD EXPOSTO 5.5V FIXO 5-DFNB (1,2x1.2) download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA Limita atual, ativar Positivo 500mA 1v - 1 0,25V A 500mA 90dB (1KHz) Sobre um Corrente, Sobre uma temperatura, Sob Bloqueio de Tensão (UVLO)
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41, LM (CT 0,3500
RFQ
ECAD 233 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TCR2EE Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SOT-553 TCR2EE41 5.5V FIXO Esv download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 4.1V - 1 0,2V A 150mA 73dB (1KHz) Sobre um corrente
TA78L007AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L007AP, F (j -
RFQ
ECAD 6232 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo TA78L007 35V FIXO LSTM download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 1 6,5 Ma - Positivo 150mA 7V - 1 1.7V @ 40MA (Typ) 46dB (120Hz) Sobre um corrente
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285, LF (SE 0,3800
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-XFDFN PAD EXPOSTO 5.5V FIXO 4-SDFN (0,8x0,8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 2.85V - 1 0,21V A 150mA - Sobre um corrente
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK1024G, LF 0,5600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 6-UFBGA, WLCSP Descarga de Carga TCK1024 Não inversor Canal P. 1: 1 6-WCSPE (0,80x1.2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 5.000 - ON/OFF 1 LimitAção ATUAL (FIXA), Sobre Temperatura, Corrente Reversa Lado Alto 31mohm 1.4V ~ 5,5V Objetivo Geral 1.54a
TCR2DG27,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2dg27, lf 0,1394
RFQ
ECAD 3734 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr2dg Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-UFBGA, WLCSP 5.5V FIXO 4-WCSP (0,79x0,79) download ROHS3 Compatível Ear99 8542.39.0001 3.000 70 µA Habilitar Positivo 200Ma 2.7V - 1 0,12V A 100mA - Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque