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Circuos Integrados (ICS) (2120)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Aplicações Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Caractersticas Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia ATUAL - SUPIGILO Tensão - Entrada (Max) Tipo de Sanda Número de Circuitos Razão - Entrada: Saís Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Tipo Lógico Número de Elementos Número de bits por elemento Corrente - Saís Alta, Baxa Função Corrente - Quiescent (Max) Táxons de giro -3db largura de banda Corrente - Sanda / Canal Tipo de Amplificador ATUAL - VIés de Entrada Tensão - Deslocamento de Entrada Tensão - Extensão de Oferta (min) Tensão - Extensão de Oferta (Máximoo) Número de Entradas Número de E/S. Processador Principal TAMANHO DO NUCLEO Velocidade CONCETIDIDADE Periféricos TAMANHO da Memória do Programa Tipo de Memória do Programa TAMANHO DA EEPROM TAMANHO DA RAM Tensão - Supimento (VCC/VDD) Conversa de Dadas Tipo de Oscilador Circuito de Interruptor Circuito multiplexador/desmultiplexador Resistência No Estado (Máximo) Mais canal um canal (Δron) Tensão - Supimento, Único (V+) Tensão - Supimento, Duplo (V ±) Tempo de Mudança (Ton, Toff) (Max) Injeção de carga Capacitância de Canal (CS (Off), CD (Off)) Corrente - Vazamento (IS (Off)) (Max) Crosstalk Táxons de Dadas Interface Frequencia do Relógio Sinal de Entrada Sinal de Sanda Número de Sandas Fonte de Supigo de Tensão Tipo de Gatilho Atraso da propagação máxima @ v, max cl ATUAL - QUIESCENTE (QI) ATUAL - SUPIGILO (MAX) CapacitânCia de Entrada Nível Lógico de Entrada - Baixo Nível Lógico de Entrada - Alto CIRCIOLO Circuos Independes Tipo de Tradutor Tipo de Canal Canais por Circuito Tensão - VCCA Tensão - VCCB Interruptor InternO (s) Topologia Frequencia - Comutação Protegão de Falhas Recursos de Controle Tensão - Supimento (Max) Configuraça de Sanda Retificador Síncrono Corrente - Saís RDS EM (Typ) Tensão - Carga Tipo de motor - Stepper TIPO DE MOTOR - AC, CC Resolução de etapas Escurecimento Tensão - Supimento (min) Tensão - Sanda Tipo de interruptor Corrente - Saís (máx) Tensão - Saís (min/fixo) Tensão - Sanda (Máx) Tensão - Entrada (min) Número de Reguladores Abandono de Tensão (Max) PSRR Recursos de Proteção
TC74LCX32FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX32FT (EL) -
RFQ
 ECAD 2207 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba 74LCX Digi-Reel® Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) - 74LCX32 4 1,65V ~ 3,6V 14-TSSOP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.000 Ou portão 24MA, 24MA 10 µA 2 5.5ns @ 3.3V, 50pf 0,8V 2V
7UL1G34FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g34fs, lf 0,4600
RFQ
 ECAD 5413 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba 7ul Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SOT-953 7ul1G34 - - 0,9V ~ 3,6V fsv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 10.000 Buffer, inversor de Não 1 1 8MA, 8MA
TCV7100F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 8795 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TCV71 5.5V Ajustável Adiantamento de 8-SOP (5x5) download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Afastamento 1 Buck 800kHz Positivo Sim 2.5a 0,8V 5.5V 2.7V
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786APG 1.8200
RFQ
 ECAD 221 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco 18-DIP (0,300 ", 7,62 mm) - TBD62786 Inversora Canal P. 1: 1 18-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 20 2V ~ 50V ON/OFF 8 - Lado Alto 1.6ohm 0V ~ 50V Objetivo Geral 400mA
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP (Tori, FM -
RFQ
 ECAD 7522 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo TA78L008 35V FIXO LSTM download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 1 6,5 Ma - Positivo 150mA 8V - 1 1.7V @ 40MA (Typ) 45dB (120Hz) Sobre um corrente
TC7WPB9307FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9307FK, LF (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC7WP Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 8-VFSOP (0,091 ", Largura de 2,30 mm) Interruptor de Barroamento TC7WPB9307 1,65V ~ 5V, 2,3V ~ 5,5V 8-SSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 - Fornecimento Duplo 2 x 1: 1 1
TCK127BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tck127bg, lf 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 4-XFBGA, CSPBGA Descarga de Carga, táxons de táxons Controlada TCK127 Não inversor Canal P. 1: 1 4-WCSPG (0,65x0,65) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 5.000 Não é necessário ON/OFF 1 - Lado Alto 343mohm 1V ~ 5,5V Objetivo Geral 1a
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S (fjtn, aq) -
RFQ
 ECAD 4671 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TA58M08 29V FIXO To-220nis download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 MA - Positivo 500mA 8V - 1 0,65V A 500mA - Sobre um corrente, uma reversa de temperatura ea polaridade
TB67B000AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AHG 7.3500
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -30 ° C ~ 115 ° C. Objetivo Geral Através do buraco Módulo de 30-Powerdip TB67B000 IGBT 13.5V ~ 16,5V 30-HDIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 15 Motor Pwm Meia Ponte (3) 2a 50V ~ 450V Multifásica DC SEM ESCOVA (BLDC) -
TCR2EN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-XFDFN PAD EXPOSTO 5.5V FIXO 4-SDFN (0,8x0,8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Habilitar Positivo 200Ma 1.9V - 1 0,29V A 300mA, 0,3V A 300mA - Sobre um corrente
74HCT4052D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT4052D 0,4800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 74HCT4052 2 16-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.500 180MHz Sp4t 4: 1 150OHM 6ohm 4.5V ~ 5,5V ± 1V ~ 5V 60ns, 48ns - 3.5pf 2µA -60db @ 1MHz
TC7SH34F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34F, LJ (CT 0,0721
RFQ
 ECAD 4597 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC7SH Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 TC7SH34 - Push-pull 2V ~ 5,5V Smv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Buffer, inversor de Não 1 1 8MA, 8MA
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62771ftg, 8, el 1.5500
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Luz de Fundo Montagem na Superfície 20 WFQFN PAD Exposto Regulador DC DC TB62771 200kHz ~ 2mHz 20-WQFN (4x4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 5.000 150mA 4 Sim Step-up (Boost) 40V Pwm 4.75V 45V
TMPM4G9FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm4g9fdfg (dbb) 11.5500
RFQ
 ECAD 6171 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TX04 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Montagem na Superfície 100-lqfp TMPM4G9 100-LQFP (14x14) download Rohs Compatível 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4f Core Único de 32 bits 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512kb (512k x 8) Clarão 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3,6V A/D 24x12b; D/A 2x8b Interno
TC7SP3125CFC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage TC7SP3125CFC (TE85L -
RFQ
 ECAD 1552 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC7SP Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 6-XFDFN PAD EXPOSTO - TC7SP3125 Tri-State, Não Invertido 1 CST6C - 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 5.000 - - - Nível de Tensão Unidirecional 1 1,1 V ~ 2,7 V 1,65 V ~ 3,6 V
7UL1G07FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g07fu, lf 0,3600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montagem na Superfície 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 7ul1G07 - DRENO ABERTO 0,9V ~ 3,6V USV - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Buffer, inversor de Não 1 1 -, 8Ma
74LCX374FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX374FT (AE) 0.1156
RFQ
 ECAD 4097 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba 74LCX Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) D-TYPE 74LCX374 Tri-State, Não Invertido 2V ~ 3,6V 20-TSSOPB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.500 1 8 24MA, 24MA Padrão 150 MHz Borda Positiva 8,5ns @ 3,3V, 50pf 10 µA 7 pf
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25, LM (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8549 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr3df Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 TCR3DF25 5.5V FIXO Smv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Habilitar Positivo 300mA 2.5V - 1 0,31V A 300mA 70dB (1KHz) Sobre um corrente, Sobre uma temperatura
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP (TE6, F, M -
RFQ
 ECAD 9780 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C. Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo TA78L005 35V FIXO LSTM download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 1 6 MA - Positivo 150mA 5V - 1 1.7V @ 40MA (Typ) 49dB (120Hz) -
TC74LCX245F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage Tc74lcx245f (el, k, f 0,6200
RFQ
 ECAD 8530 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba 74LCX Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 20-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) 74LCX245 - 3 Estados 1,65V ~ 3,6V 20-SOP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.000 Transceptor, Inversor Não 1 8 24MA, 24MA
TC7SZ02F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02F, LJ (CT 0,0721
RFQ
 ECAD 7018 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC7SZ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 - 7SZ02 1 1,8V ~ 5,5V Smv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Nem Portão 32mA, 32mA 2 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TC7SZ00F(TE85L,JF) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ00F (TE85L, JF) 0,4500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC7SZ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 - 7SZ00 1 1,8V ~ 5,5V Smv download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 NAND GATE 32mA, 32mA 2 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TC74VHC165FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC165FTELM -
RFQ
 ECAD 2109 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC74VHC Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 16-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) 74VHC165 Complementar 2V ~ 5,5V 16-TSSOP download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 2.000 Registro de Turno 1 8 Paralelo ou serial a serial
TLP7820(A,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (a, e -
RFQ
 ECAD 4823 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Obsoleto Sentindo o ATUAL, Gerenciento de Energia Montagem na Superfície 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) Isolamento TLP7820 8-so - 1 (ilimito) 264-TLP7820 (AE Obsoleto 50
TCV7104FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7104FN (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3500 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SMD, Chumbo Plano TCV71 5.5V Ajustável PS-8 (2.9x2.4) download 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Afastamento 1 Buck 1,5MHz Positivo Sim 2a 0,8V 5.5V 2.7V
TC75S101FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage TC75S101FE, LM (T. -
RFQ
 ECAD 4561 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SOT-553 TC75S101 63µA - 1 Esv download 1 (ilimito) Ear99 8542.33.0001 3.000 0,15V/µs 1,5 mA Objetivo Geral 0,1 PA 1,2 mv 1,5 v 5,5 v
TC7SZ125F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ125F, LJ (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC7SZ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 TC7SZ125 - 3 Estados 1,8V ~ 5,5V Smv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Buffer, inversor de Não 1 1 32mA, 32mA
TCR4DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr4dg30, lf 0,1357
RFQ
 ECAD 9599 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Tcr4dg Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG30 5.5V FIXO 4-WCSPE (0,65x0,65) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 5.000 Habilitar Positivo 420mA 3V - 1 0,291V A 420mA 70dB (1KHz) Sobre um Corrente, Sobre uma temperatura, Curto -Circito
TC4S584F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tc4s584f, lf 0,3800
RFQ
 ECAD 7134 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba TC4S Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 85 ° C. Montagem na Superfície SC-74A, SOT-753 Schmitt Trigger TC4S584 1 3V ~ 18V Smv download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 3.000 Inversor 3,4mA, 3,4mA 4 µA 1 120ns @ 15V, 50pf 1.1V ~ 3,3V 3.35V ~ 10.6V
TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S112PG, HJ 2.4300
RFQ
 ECAD 211 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tubo Ativo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Objetivo Geral Através do buraco 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TB67S112 Power MOSFET 2V ~ 5,5V 16-DIP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8542.39.0001 25 Motor Paralelo Meia Ponte 1.5a 4.5V ~ 47V Unipolar - -
  • Daily average RFQ Volume

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    Unidade de produto padrão

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    2800+

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