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Gerenciento de Energia (PMIC) (311)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | SiC Programmable | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Tipo de Canal | Configuraça acionada | Número de motoristas | Tipo de Portão | Tensão lógica - vil, vih | Corrente - Saís de Pico (Fonte, Pia) | Tempo de Ascensão / Outono (Typ) | Tensão Lateral Alta - Max (Bootstrap) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXDN404SIA | - |  | 7115 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDN404 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 35V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Q3206197A | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 2,5V | 4a, 4a | 16ns, 13ns | |||
 | IX2A11P1 | - | | 7203 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | - | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IX2A11 | - | Não Verificado | - | 8-DIP | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 300 | - | - | - | - | - | - | |||||
| Ix2a11s1t/r | - | | 4902 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IX2A11 | - | Não Verificado | - | 8-SOIC | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | - | - | - | - | - | |||||
 | Ix4r11m6t/r | - | | 7060 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 16-VDFN | IX4R11 | Não inversor | Não Verificado | 10V ~ 20V | 16 MLP (7x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, N-Canal MOSFET | 6V, 7V | 4a, 4a | 23ns, 22ns | 650 v | |||
| IX6R11M6 | - | | 1075 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 16-VDFN | Ix6r11 | Não inversor | Não Verificado | 10V ~ 35V | 16 MLP (7x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, N-Canal MOSFET | 6V, 9,5V | - | 25ns, 17ns | 600 v | |||
| IX6S11S6 | - | | 5839 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | PAD DE 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm) | IX6S11 | - | Não Verificado | - | 18-SOIC-EP | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 168 | - | - | - | - | - | - | |||||
 | IXA531L4 | - | | 2285 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 44-lcc (J-Lead) | IXA531 | Inversora | Não Verificado | 8V ~ 35V | 44-PLCC (16.54x16.54) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3-fase | Meia-Ponte | 6 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 600mA, 600mA | 125ns, 50ns | 650 v | |||
| IXA531S10T/R. | - | | 4030 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 48-TFQFN PAD EXPOSTO | IXA531 | Inversora | Não Verificado | 8V ~ 35V | 48 MLP (7x7) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3-fase | Meia-Ponte | 6 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 600mA, 600mA | 125ns, 50ns | 650 v | |||
| IXA611M6T/R. | - | | 7264 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 16-VDFN | IXA611 | Não inversor | Não Verificado | 10V ~ 35V | 16 MLP (7x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, N-Canal MOSFET | 6V, 7V | 600mA, 600mA | 23ns, 22ns | 650 v | |||
| IXBF14N250 | - | | 1270 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | - | Através do buraco | I4 -PAC ™ -5 (3 leads) | IXBF14 | - | Não Verificado | - | Isoplus I4-PAC ™ | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | - | - | - | - | - | ||||
 | IXD611S7 | - | | 2291 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXD611 | Não inversor | Não Verificado | 10V ~ 35V | 14-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 424 | Independente | Meia-Ponte | 2 | IGBT, N-Canal MOSFET | 2.4V, 2.7V | 600mA, 600mA | 28ns, 18ns | 600 v | |||
 | IXDD404SIA-16 | - | | 8007 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | IXDD404 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 35V | 16-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 2,5V | 4a, 4a | 16ns, 13ns | ||||
| IXDD409PI | - | | 5652 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IXDD409 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 35V | 8-DIP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3,5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | ||||
 | IXDD415SI | - | | 3908 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 28-SOIC (0,295 ", Largura de 7,50 mm) | IXDD415 | Não inversor | Não Verificado | 8V ~ 30V | 28-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 27 | Independente | Lado Baixo | 2 | N-Canal, Mosfet de Canal P. | 0,8V, 3,5V | 15a, 15a | 4,5ns, 3,5ns | ||||
| IXDD430MCI | - | | 4520 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-5 | IXDD430 | Não inversor | Não Verificado | 8.5V ~ 35V | To-220-5 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3,5V | 30a, 30a | 18ns, 16ns | ||||
 | IXDD430YI | - | | 9155 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-6, D²PAK (5 leads + guia), to-263ba | IXDD430 | Não inversor | Não Verificado | 8.5V ~ 35V | TO-263-5 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3,5V | 30a, 30a | 18ns, 16ns | ||||
| IXDD504SIA | - | | 6826 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDD504 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||
| IXDD509D1T/R. | - | | 5908 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | IXDD509 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 2,4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||
| IXDD509SIA | - | | 3799 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDD509 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 2,4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||
 | IXDD514D1 | - | | 4403 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | IXDD514 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 1V, 2,5V | 14a, 14a | 25ns, 22ns | ||||
| IXDD514D1T/R. | - | | 2764 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | IXDD514 | Não inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 1V, 2,5V | 14a, 14a | 25ns, 22ns | ||||
| IXDE504SIA | - | | 3991 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDE504 | Inversora | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||
| IXDE509PI | - | | 1276 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IXDE509 | Inversora | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-DIP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 2,4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | ||||
| Ixde514siat/r | - | | 3584 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDE514 | Inversora | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Solteiro | Lado Baixo | 1 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 1V, 2,5V | 14a, 14a | 25ns, 22ns | ||||
| IXDF402SIA | - | | 4142 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDF402 | Inversor, inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 35V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 2a, 2a | 8ns, 8ns | ||||
| IXDF502D1 | - | | 2936 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | IXDF502 | Inversor, inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 2a, 2a | 7,5ns, 6,5ns | ||||
| Ixdf504d1t/r | - | | 4041 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | IXDF504 | Inversor, inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||
| Ixdf504siat/r | - | | 3690 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDF504 | Inversor, inversor | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | ||||
| IXDI502SIA | - | | 4930 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IXDI502 | Inversora | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 2a, 2a | 7,5ns, 6,5ns | ||||
| IXDI504D1 | - | | 7874 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | IXDI504 | Inversora | Não Verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | Independente | Lado Baixo | 2 | MOSFET IGBT, N-Canal, | 0,8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns |
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