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Gerenciamento de energia (PMIC)(1138)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Aplicativos Tipo de montagem Pacote/Caso Tipo Características Número básico do produto Tipo de entrada Frequência Tecnologia Tensão - Entrada (Máx.) Tipo de saída Proporção - Entrada:Saída Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Função Atual - Saída/Canal Tensão - Alimentação (Vcc/Vdd) Interface Número de saídas Atual - Quiescente (QI) Atual - Fornecimento (Máx.) Interruptor(es) Interno(s) Topologia Proteção contra falhas Recursos de controle Tensão - Alimentação (Máx.) Configuração de saída Atual - Saída Rds ativado (tipo) Tensão - Carga Tipo de motor - passo a passo Tipo de motor - CA, CC Resolução de etapas Escurecimento Tensão - Alimentação (Mín.) Tensão - Saída Tipo de interruptor Corrente - Saída (Máx.) Tensão - Saída (Min/Fixo) Tensão - Saída (Máx.) Número de reguladores Queda de Tensão (Máx.) PSRR Recursos de proteção
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A,L3F 0,4600
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 ECAD 10 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR8BM Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XDFN 5,5V Fixo 5-DFNB (1,2x1,2) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Limite atual, ativar Positivo 800ma 0,95 V - 1 0,225 V a 800 mA - Sobrecorrente, sobretemperatura, bloqueio de subtensão (UVLO)
TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285,LF -
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 ECAD 5637 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR2LN Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XFDFN TCR2LN285 5,5V Fixo 4-SDFN (0,8x0,8) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Habilitar Positivo 200mA 2,85 V - 1 0,36 V a 150 mA - Sobrecorrente
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33UTE85LF 0,5000
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 ECAD 27 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície 6-SMD (5 cabos), cabo plano TAR5S33 15V Fixo UFV download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Habilitar Positivo 200mA 3,3V - 1 0,2 V a 50 mA 70dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,Q(J -
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 ECAD 5930 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Volume Obsoleto -40°C ~ 105°C Através do furo Pacote completo TO-220-3 TA58L06 29V Fixo PARA-220NIS download 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 50 mA - Positivo 250mA 6V - 1 0,4 V a 200 mA - Sobrecorrente, sobretemperatura
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F,LF 7.4500
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 135°C (TJ) Finalidade Geral Montagem em superfície 42-SOP (0,330", 8,40 mm de largura), 31 derivações, almofada exposta IGBT 13,5V 31-HSSOP - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) 1.000 Driver - Totalmente Integrado, Controle e Power Stage PWM Meia Ponte (3) 3A 13,5 V ~ 450 V Multifásico DC sem escova (BLDC) -
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105,LF -
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 ECAD 9926 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR2LN Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XFDFN TCR2LN105 5,5V Fixo 4-SDFN (0,8x0,8) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Habilitar Positivo 200mA 1,05 V - 1 1,38 V a 150 mA - Sobrecorrente
TB67S209FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG,EL 1.6644
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 ECAD 2320 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -20°C ~ 85°C Finalidade Geral Montagem em superfície Almofada exposta 48-WFQFN TB67S209 NMOS, PMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) download Compatível com ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver - Totalmente Integrado, Controle e Power Stage Paralelo Meia Ponte (4) 3A 10V ~ 47V Bipolar DC escovado 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TB62215AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG,C8,EL 1.9973
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 ECAD 5550 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -20°C ~ 85°C (TA) Finalidade Geral Montagem em superfície 28-BSOP (0,346", 8,80 mm de largura) + 2 abas de aquecimento TB62215 MOSFET de potência 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP download Compatível com ROHS3 TB62215AFGC8EL EAR99 8542.39.0001 2.000 Driver - Totalmente Integrado, Controle e Power Stage Paralelo Meia Ponte (4) 3A 10V ~ 38V Bipolar DC escovado 1, 1/2, 1/4
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12,L3F 0,1538
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 ECAD 9066 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR8BM Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XDFN TCR8BM12 5,5V Fixo 5-DFNB (1,2x1,2) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Limite atual, ativar Positivo 800ma 1,2 V - 1 0,26 V a 800 mA 98dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105,LM(CT 0,4900
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 ECAD 5 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR3DF Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície SC-74A, SOT-753 TCR3DF105 5,5V Fixo SMV download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Habilitar Positivo 300mA 1,05 V - 1 0,77 V a 300 mA 70dB (1kHz) Corrente de irrupção, sobrecorrente, sobretemperatura
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG(EL) 8.2600
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 ECAD 53 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba Automotivo, AEC-Q100 Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 150°C (TA) Finalidade Geral Montagem em superfície, flanco molhável Almofada exposta 48-VFQFN MOSFET de potência 3 V ~ 5,5 V, 4,5 V ~ 28 V 48-VQFN (7x7) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) EAR99 8542.39.0001 2.000 Controladoria - Gestão Atual IPS Pré-Piloto - Meia Ponte (3) - - Multifásico DC sem escova (BLDC) -
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105,LF 0,1357
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 ECAD 9636 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR4DG Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG105 5,5V Fixo 4-WCSPE (0,65x0,65) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5.000 Habilitar Positivo 420mA 1,05 V - 1 0,991 V a 420 mA 70dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F(TE12L,F) -
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 ECAD 3844 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montagem em superfície TO-243AA TA48L033 16V Fixo PW-MINI (SOT-89) - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.000 800 µA 5 mA - Positivo 150mA 3,3V - 1 0,5 V a 100 mA 68dB (120Hz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG10,LF 0,2531
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 ECAD 6785 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR15AG Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C (TJ) Montagem em superfície 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG10 5,5V Fixo 6-WCSPF (0,80x1,2) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5.000 40 µA Habilitar Positivo 1,5A 1V - 1 0,228V a 1,5A 95dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura, bloqueio de subtensão (UVLO)
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A,LM(CT 0,4100
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 ECAD 6 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR3UF Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície SC-74A, SOT-753 TCR3UF105 5,5V Fixo SMV - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 580 nA Habilitar Positivo 300mA 1,05 V - 1 1.057 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FTG,8,EL 2.3700
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 ECAD 2373 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Finalidade Geral Montagem em superfície Almofada exposta 32-VFQFN TB6642 Bi-CMOS 10V ~ 45V 32-VQFN (5x5) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) EAR99 8542.39.0001 2.000 Driver - Totalmente Integrado, Controle e Power Stage Paralelo, PWM Meia Ponte (2) 1,5A 10V ~ 45V - DC escovado -
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18,LF 0,3700
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 ECAD 9501 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR3DM Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-UDFN TCR3DM18 5,5V Fixo 4-DFN (1x1) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Habilitar Positivo 300mA 1,8V - 1 0,38 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TBD62503APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503APG 1.3600
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 ECAD 1 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Através do furo 16 DIP (0,300", 7,62 mm) - Um ser determinado62503 Invertendo Canal N 1:1 16-DIP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) TBD62503APG(Z,Hz) EAR99 8542.39.0001 25 Não obrigatório Ligado/Desligado 7 - Lado Baixo - 50 V (máx.) Finalidade Geral 300mA
TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG,EL 1.7809
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 ECAD 6157 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Finalidade Geral Montagem em superfície Almofada exposta 48-WFQFN NMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) download 4.000 Driver - Totalmente Integrado, Controle e Power Stage Ligado/Desligado - - 10V ~ 40V Unipolar - -
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG,EL 2.7700
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 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -20°C ~ 85°C (TA) Finalidade Geral Montagem em superfície Almofada exposta 36-WFQFN TB67S512 MOSFET de potência 2 V ~ 5,5 V 36-WQFN (6x6) download Compatível com ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver - Totalmente Integrado, Controle e Power Stage PWM Pré-Piloto - Meia Ponte (4) 2A 10V ~ 35V Bipolar DC escovado 1, 1/2, 1/4
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1.9400
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 ECAD 6671 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Tubo Ativo -40°C ~ 85°C Através do furo 18 DIP (0,300", 7,62mm) - Um ser determinado62381 - Canal N 1:1 18-DIP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 4,5 V ~ 5,5 V Ligado/Desligado 8 - Lado Baixo 1Ohm 0V ~ 50V Finalidade Geral 500mA
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105,LF 0,1344
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 ECAD 1346 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR5AM Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C (TJ) Montagem em superfície Almofada exposta 4-XDFN TCR5AM105 5,5V Fixo 5-DFNB (1,2x1,2) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Habilitar Positivo 500mA 1,05 V - 1 0,25 V a 500 mA 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobrecorrente, sobretemperatura, bloqueio de subtensão (UVLO)
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105,L3F 0,4100
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 ECAD 333 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR5BM Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XDFN TCR5BM105 5,5V Fixo 5-DFNB (1,2x1,2) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Habilitar Positivo 500mA 1,05 V - 1 0,14 V a 500 mA 98dB (1kHz) Sobrecorrente, sobretemperatura
TCR2EN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN32,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XFDFN 5,5V Fixo 4-SDFN (0,8x0,8) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 264-TCR2EN32LF(SETR EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Habilitar Positivo 200mA 3,2 V - 1 0,18 V a 150 mA - Sobrecorrente
TCR2LN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13,LF -
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 ECAD 2410 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR2LN Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XFDFN TCR2LN13 5,5V Fixo 4-SDFN (0,8x0,8) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Habilitar Positivo 200mA 1,3 V - 1 1,11 V a 150 mA - Sobrecorrente
TC62D749CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG,C,EL,B -
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 ECAD 2473 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montagem em superfície 24-SOP (0,236", 6,00 mm de largura) Linear TC62D749 - 24-SSOP download 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.000 90mA 16 Sim Registro de turno 5,5V - 3V 17V
TCR2LN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31,LF(SE 0,3800
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 ECAD 9 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR2LN Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C (TJ) Montagem em superfície Almofada exposta 4-XFDFN 5,5V Fixo 4-SDFN (0,8x0,8) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Habilitar Positivo 200mA 3,1V - 1 0,28 V a 150 mA - Sobrecorrente
TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185,LM(CT 0,3500
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 ECAD 6 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba TCR2EE Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície SOT-553 TCR2EE185 5,5V Fixo ESV download RoHS não compatível 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Habilitar Positivo 200mA 1,85V - 1 0,31 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sobrecorrente
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG,EL -
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 ECAD 8068 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montagem em superfície 24-SOP (0,236", 6,00 mm de largura) Linear TC62D722 - 24-SSOP download 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.000 90mA 16 Sim Registro de turno 5,5V - 3V 17V
TCR2EN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 85°C Montagem em superfície Almofada exposta 4-XFDFN 5,5V Fixo 4-SDFN (0,8x0,8) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Habilitar Positivo 200mA 2,1 V - 1 0,29 V a 300 mA, 0,3 V a 300 mA - Sobrecorrente
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

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  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almofada exposta 196-LFBGA

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