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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32800D-6BI | - |  | 2686 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volátil | 256Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT53B768M32D4NQ-062 AIT: B TR | - | | 9970 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 200-VFBGA | MT53B768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.6 GHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 768m x 32 | - | - | ||||
 | CY7C199D-10VXI | 3.0700 | | 723 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 28-BSOJ (0.300 ", 7,62 mm de largura) | CY7C199 | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-SOJ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.350 | Volátil | 256kbit | 10 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 10ns | ||||
 | NDS76PT5-16AT TR | 2.6335 | | 4158 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 1982-NDS76PT5-16ATTR | 1.000 | ||||||||||||||||||||
| MX29GL512GUXFI-11Q | 7.3590 | | 7804 | 0,00000000 | Macronix | MX29GL | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 64 lbga, cspbga | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 64-LFBGA, CSP (11x13) | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX29GL512GUXFI-11Q | 144 | Não Volátil | 512MBIT | 110 ns | Clarão | 64m x 8, 32m x 16 | CFI | 110ns | ||||||||
| 7008L12pfi | - | | 6204 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 100-lqfp | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7008L12PFI | 1 | Volátil | 512kbit | 12 ns | Sram | 64k x 8 | Paralelo | 12ns | |||||||||
 | 7130LA25TFI8 | - | | 4091 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 64-LQFP | 7130LA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 64-TQFP (10x10) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 500 | Volátil | 8kbit | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | CY62137BV18LL-70BAI | 3.2000 | | 6 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2 ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - Assíncrono | 1,75V ~ 1,95V | 48-FBGA (7x7) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 2MBIT | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | STK14CA8-NF45ITR | - | | 3215 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 32-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | STK14CA8 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 2.7V ~ 3,6V | 32-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Não Volátil | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | AS7C1024B-12JCNTR | 2.9779 | | 7595 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm de largura) | AS7C1024 | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 32-SOJ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||
 | 24LC16B-I/STG | - | | 2316 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | 24LC16B | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | Não Volátil | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | I²C | 5ms | ||||
| 5YZ54AA-C | 197.5000 | | 1132 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-5YZ54AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR | - | | 7103 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 169-TFBGA | MTFC32G | Flash - NAND | - | 169-TFBGA (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Mmc | - | |||||
 | DS1245WP-100+ | 34.7088 | | 1956 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./maxim Integrado | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | Módulo 34-PowerCap ™ | DS1245W | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 3V ~ 3,6V | Módulo de 34-PowerCap | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -4941-ds1245wp-100+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | Não Volátil | 1Mbit | 100 ns | NVSRAM | 128k x 8 | Paralelo | 100ns | |||
 | MX25U25635FXDI-10G | - | | 1246 | 0,00000000 | Macronix | MX25XXX35/36 - MXSMIO ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 24-TBGA | MX25U25635 | Flash - NEM | 1.65V ~ 2V | 24-CSPBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 480 | 108 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | 30µs, 3ms | ||||
 | 93C76BT-I/MS | - | | 4621 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | 93C76 | EEPROM | 4.5V ~ 5,5V | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | Não Volátil | 8kbit | EEPROM | 512 x 16 | Micro -onda | 2ms | ||||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR | 29.4000 | | 7673 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATEST | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
 | W987D6HBGX7E | - | | 8443 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Bandeja | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 54-TFBGA | W987D6 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1.7V ~ 1,95V | 54-VFBGA (8x9) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 312 | 133 MHz | Volátil | 128Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MX29F040CTI-70G | 4.3700 | | 10 | 0,00000000 | Macronix | MX29F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MX29F040 | Flash - NEM | 4.5V ~ 5,5V | 32-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | Não Volátil | 4MBIT | 70 ns | Clarão | 512k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | AS4C64M8D3-12BIN | 4.8188 | | 8635 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 78-VFBGA | AS4C64 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-1430 | Ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 800 MHz | Volátil | 512MBIT | 20 ns | Dram | 64m x 8 | Paralelo | |||
 | CY62167DV30LL-55ZXI | 17.6700 | | 63 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | CY62167 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 48-TSOP i | download | 17 | Volátil | 16MBIT | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | Não Verificado | ||||||||
 | IS61DDB41M36A-300M3LI | - | | 2884 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 165 lbga | IS61DDB41 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1,71V ~ 1,89V | 165-LFBGA (15x17) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32..0002 | 105 | 300 MHz | Volátil | 36Mbbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
| AS7C34098B-10BAN | 5.2554 | | 2315 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 48-LFBGA | SRAM - Assíncrono | 2.7V ~ 3,6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS7C34098B-10BAN | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volátil | 4MBIT | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | R1EX24004ATAS0A#S0 | 0,8200 | | 42 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | R1EX24004 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | Não Aplicável | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Não Volátil | 4kbit | 900 ns | EEPROM | 512 x 8 | I²C | 5ms | |||||
 | GS8662D18BGD-400I | 194.5700 | | 15 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 165 lbga | GS8662D | SRAM - Quad Port, Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FPBGA (13x15) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 2364-GS8662D18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | |||
 | S29GL512S10TFI020 | 9.1200 | | 4 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-S | Tira | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | S29GL512 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 2832-S29GL512S10TFI020 | 55 | Não Volátil | 512MBIT | 100 ns | Clarão | 32m x 16 | Paralelo | 60ns | Não Verificado | ||||||
| AS4C256M16D3LC-10BAN | 14.6900 | | 209 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 96-TFBGA | AS4C256 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (7,5x13.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS4C256M16D3LC-10BAN | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 933 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS42VM32400E-75BLI-TR | - | | 5365 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 90-TFBGA | IS42VM32400 | SDRAM - Mobile | 1.7V ~ 1,95V | 90-TFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 2.500 | 133 MHz | Volátil | 128Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 7132LA55p | - | | 1231 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 7132la | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 48-PDIP | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 7 | Volátil | 16kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | BR25H040FVM-2CTR | 0,5700 | | 7839 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-VSSOP, 8 msop (0,110 ", 2,80 mm de largura) | BR25H040 | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | Não Volátil | 4kbit | EEPROM | 512 x 8 | Spi | 4ms |
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