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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Gd9fu2g8f3algi | 4.5698 | ![]() | 4053 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 63-FBGA (9x11) | download | 1970-GD9FU2G8F3ALGI | 2.100 | Não Volátil | 2gbit | 18 ns | Clarão | 256m x 8 | Paralelo | 20ns | ||||||||
![]() | GD25LE80ELIGR | 0,4666 | ![]() | 3418 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-XFBGA, WLCSP | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-WLCSP | download | 1970-GD25LE80eligrtr | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |||||||
![]() | GD25WQ80ESIGR | 0,4368 | ![]() | 7786 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-SOP | download | 1970-GD25WQ80esigrtr | 2.000 | 104 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 12 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s | 120µs, 4ms | |||||||
![]() | GD25Q128EBiry | 1.2979 | ![]() | 4294 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | download | 1970-GD25Q128EBiry | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 7 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 70µs, 2,4ms | |||||||
![]() | GD25LQ32DQIGR | - | ![]() | 6828 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | GD25LQ32 | Flash - NEM | 1.65V ~ 2V | 8-USON (4x4) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 2.4ms | |||
![]() | GD25LQ64EW2GR | 1.3970 | ![]() | 6830 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25LQ64EW2GRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | 6 ns | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |||||||
![]() | Gd9fu2g6f2amgi | 4.7034 | ![]() | 6944 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | download | 1970-GD9FU2G6F2AMGI | 960 | Não Volátil | 2gbit | 18 ns | Clarão | 128m x 16 | Onfi | 20ns | ||||||||
![]() | GD25LB16EWIGR | 0,6261 | ![]() | 1694 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 2,1V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25LB16EWIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 6 ns | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |||||||
![]() | GD25VQ32CTIGR | - | ![]() | 6010 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | GD25VQ32 | Flash - NEM | 2.3V ~ 3,6V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 9.000 | 104 MHz | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 50µs, 2,4ms | |||
![]() | GD25Q20CTIG | 0,2564 | ![]() | 8326 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | GD25Q20 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Não Volátil | 2MBIT | Clarão | 256k x 8 | Spi - quad e/s | 50µs, 2,4ms | |||
![]() | Gd25lq128esjgr | 1.2408 | ![]() | 7176 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | download | 1970-GD25LQ128ESJGRTR | 2.000 | 120 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 6 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 60µs, 2,4ms | |||||||
![]() | Gd5f4gm8rewigy | 6.2510 | ![]() | 1422 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD5F4GM8rewigy | 5.700 | 104 MHz | Não Volátil | 4gbit | 9 ns | Clarão | 1g x 4 | Spi - quad e/s, dtr | 600µs | |||||||
![]() | Gd5f4gq6reyjgy | 7.7273 | ![]() | 5411 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD5F4GQ6Reyjgy | 4.800 | 80 MHz | Não Volátil | 4gbit | 11 ns | Clarão | 512m x 8 | Spi - quad e/s | 600µs | |||||||
![]() | Gd5f1gq5reyihy | 2.3962 | ![]() | 9242 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD5F1GQ5Reyihy | 4.800 | 104 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 9,5 ns | Clarão | 256m x 4 | Spi - quad e/s, dtr | 600µs | |||||||
![]() | GD25LQ20CE2GR | 0,5678 | ![]() | 2925 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 2,1V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25LQ20CE2GRTR | 3.000 | 90 MHz | Não Volátil | 2MBIT | 7 ns | Clarão | 256k x 8 | Spi - quad e/s | 80µs, 3ms | |||||||
![]() | GD25WQ32ENIGR | 0,7582 | ![]() | 3291 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-USON (3x4) | download | 1970-GD25WQ32enigrtr | 3.000 | 104 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 8 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 120µs, 4ms | |||||||
![]() | GD25B32ES2GR | 0,8999 | ![]() | 7610 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B32ES2GRTR | 2.000 | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||||||||
![]() | GD25Q64Ezigy | 0,8923 | ![]() | 9870 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | download | 1970-GD25Q64Ezigy | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | 7 ns | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s | 70µs, 2,4ms | |||||||
![]() | GD25LD40EEIGR | 0,3318 | ![]() | 7225 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | download | 1970-GD25LD40EEIGRTR | 3.000 | 50 MHz | Não Volátil | 4MBIT | 12 ns | Clarão | 512k x 8 | Spi - e/s dupla | 100µs, 6ms | |||||||
![]() | GD25B128esigy | 1.1590 | ![]() | 1482 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | download | 1970-GD25B128esigy | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 7 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 70µs, 2,4ms | |||||||
![]() | Gd9fu4g8f2amgi | 7.0543 | ![]() | 7078 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | download | 1970-GD9FU4G8F2AMGI | 960 | Não Volátil | 4gbit | 18 ns | Clarão | 512m x 8 | Onfi | 20ns | ||||||||
![]() | Gd5f4gq6rf9igy | - | ![]() | 7119 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8 llga | GD5F4GQ6 | Flash - NAND | 1.7V ~ 2V | 8-lga (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1970-GD5F4GQ6RF9IGY | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 300 | 80 MHz | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||
![]() | GD25WD40CTIGR | 0,4800 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | GD25WD40 | Flash - NEM | 1,65V ~ 3,6V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | Não Volátil | 4MBIT | Clarão | 512k x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||
![]() | GD25LQ80AGR | 0,7363 | ![]() | 7204 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25LQ80AGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 100µs, 4ms | |||||||
![]() | GD25VQ20CSIGR | - | ![]() | 5754 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | GD25VQ20 | Flash - NEM | 2.3V ~ 3,6V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Não Volátil | 2MBIT | Clarão | 256k x 8 | Spi - quad e/s | 50µs, 3ms | |||
![]() | GD25B256EYIGR | 2.3105 | ![]() | 2302 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD25B256EYIGRTR | 3.000 | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||||||||
![]() | Gd25lf128esig | 1.2681 | ![]() | 7624 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | download | 1970-GD25LF128esigrtr | 2.000 | 166 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||||||||
![]() | GD25Q80CSIG | 0.3045 | ![]() | 8907 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | GD25Q80 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Não Volátil | 8MBIT | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s | 50µs, 2,4ms | |||
![]() | GD55LT01GEBiry | 10.8794 | ![]() | 5698 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT01GEBiry | 4.800 | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||||||||
![]() | Gd9fu2g8f2algi | 4.5698 | ![]() | 7867 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 63-FBGA (9x11) | download | 1970-GD9FU2G8F2algi | 2.100 | Não Volátil | 2gbit | 18 ns | Clarão | 256m x 8 | Onfi | 20ns |
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