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MEMÓRIA (847)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q64EWEGR | 1.1653 |  | 9016 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25Q64EWGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | 7 ns | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s | 140µs, 4ms | ||
| Gd5f2gq5rfbigy | 4.3225 | | 7761 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Bandeja | Ativo | - | 1970-GD5F2GQ5RFBIGY | 4.800 | ||||||||||||||||
| GD25WD20ETIGR | 0,2490 | | 4515 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-SOP | download | 1970-GD25WD20Tigrtr | 3.000 | 104 MHz | Não Volátil | 2MBIT | 6 ns | Clarão | 256k x 8 | Spi - e/s dupla | 100µs, 6ms | ||
| GD25LQ80ESIGR | 0,3786 | | 2065 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | download | 1970-GD25LQ80esigrtr | 2.000 | 133 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | ||
| Gd5f2gq5rey2gy | 6.4904 | | 4881 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5Rey2GY | 4.800 | 80 MHz | Não Volátil | 2gbit | 11 ns | Clarão | 512m x 4 | Spi - quad e/s, dtr | 600µs | ||
| GD5F2GQ5Reyigr | 4.1912 | | 3314 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD5F2GQ5Reyigrtr | 3.000 | 80 MHz | Não Volátil | 2gbit | 11 ns | Clarão | 256m x 8 | Spi - quad e/s | 600µs | ||
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| GD25LE32ENIGR | 0,7090 | | 6615 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x4) | download | 1970-GD25LE32ENIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 6 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | ||
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| Gd5f1gq5rey2gy | 3.7639 | | 1158 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD5F1GQ5Rey2GY | 4.800 | 104 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 9,5 ns | Clarão | 256m x 4 | Spi - quad e/s, dtr | 600µs | ||
| GD25T512MEYIGR | 5.2458 | | 5902 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25T | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25T512Meyigrtr | 3.000 | 200 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | |||
| GD25LQ40ESIGR | 0,3619 | | 2530 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LQ40ESIGRTR | 2.000 | 133 MHz | Não Volátil | 4MBIT | 6 ns | Clarão | 512k x 8 | Spi - quad e/s | 60µs, 2,4ms | ||
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| GD25B256EFIRY | 2.4461 | | 9293 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOP | download | 1970-GD25B256EFIRY | 1.760 | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||
| GD55B01GEY2GY | 13.1250 | | 2399 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD55B01GEY2GY | 8542.32.0071 | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD25LD05CKIGR | 0,2865 | | 1092 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1,5X1,5) | download | 1970-GD25LD05CKIGRTR | 3.000 | 50 MHz | Não Volátil | 512kbit | 12 ns | Clarão | 64k x 8 | Spi - e/s dupla | 55µs, 6ms | ||
| GD55LF511MEWIGR | 4.3329 | | 5111 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 1970-GD55LF511Mewigrtr | 3.000 | ||||||||||||||||
| GD55B02GEB2ry | 26.6125 | | 7728 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55B02GEB2ry | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 256m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||
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| GD25LT512MEB2ry | 8.8046 | | 2037 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LT | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25LT512MEB2ry | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||
| GD25LD80ETigy | 0,3167 | | 7655 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | download | 1970-GD25LD80ETigy | 4.320 | 50 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 12 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - e/s dupla | 100µs, 6ms | ||
| GD25LQ80EEIGR | 0,4368 | | 6050 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | download | 1970-GD25LQ80EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | ||
| GD55LB01GEFIRR | 9.2951 | | 9808 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LB | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | download | 1970-GD55LB01GEFirrtr | 1.000 | 166 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 6 ns | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 70µs, 1,2ms | ||
| GD25B32AGR | 0,9968 | | 3390 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25B32AGRTR | 3.000 | Não Volátil | 32Mbit | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||
| GD5F4GM8UEWIGY | 6.1180 | | 5267 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD5F4GM8UEWIGY | 5.700 | 133 MHz | Não Volátil | 4gbit | 7 ns | Clarão | 512m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | 600µs | ||
| GD25Q20ETJGR | 0,3468 | | 7610 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | download | 1970-GD25Q20ETJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 2MBIT | 7 ns | Clarão | 256k x 8 | Spi - quad e/s | 140µs, 4ms | ||
| GD25LR128EWIGR | 1.8258 | | 4313 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25LR128EWIGRTR | 3.000 | 200 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||
| GD25WQ128EWIGR | 1.4385 | | 7179 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25WQ128EWIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 8 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 120µs, 4ms |
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