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MEMÓRIA (847)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Nomes de Ulros | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25F64FQ2GR | 1.5077 |  | 3349 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (4x4) | - | 1970-GD25F64FQ2GRTR | 3.000 | 200 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | ||
| GD25LE128ELIGR | 1.4105 | | 3377 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-XFBGA, WLCSP | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-WLCSP | download | 1970-GD25LE128ELIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 6 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
| GD25LE16ETIGR | 0,5242 | | 5143 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LE16ETIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 6 ns | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
| GD25Q64EYJGR | 1.0249 | | 8062 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD25Q64EYJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | 7 ns | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s | 140µs, 4ms | |
| GD55X01GEB2RY | 20.2027 | | 9611 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55X | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55X01GEB2ry | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - e/sctal e/s, dtr | - | ||
| GD25LB256EBiry | 2.3562 | | 9106 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | download | 1970-GD25LB256EBiry | 4.800 | 166 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 6 ns | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 70µs, 1,2ms | |
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| GD25WD80ETIGY | 0,3640 | | 4418 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 3,6V | 8-SOP | download | 1970-GD25WD80ETigy | 4.320 | 104 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - e/s dupla | 100µs, 6ms | |
| GD25LB128EWIGR | 1.4109 | | 1554 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25LB128EWIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD25LE32ELIGR | 0,7582 | | 7661 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 10-XFBGA, WLCSP | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 10-WLCSP | download | 1970-GD25LE32ELIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 6 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
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| GD25F256FB2ry | 3.4593 | | 6033 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25F256FB2ry | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||
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| GD25D40CEIGR | 0,3167 | | 8682 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (3x2) | download | 1970-GD25D40CEIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Não Volátil | 4MBIT | 6 ns | Clarão | 512k x 8 | Spi - e/s dupla | 50µs, 4ms | |
| GD25Q80ES2GR | 0,5090 | | 5610 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | 1970-GD25Q80ES2GRTR | 2.000 | 133 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 7 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s | 140µs, 4ms | |
| Gd25lf255edigy | 2.1590 | | 8261 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25LF255EWigy | 5.700 | 166 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | ||
| GD25LQ128EQEGR | 1.8538 | | 3854 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (4x4) | download | 1970-GD25LQ128EQEGRTR | 3.000 | 120 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 6 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 100µs, 4ms | |
| GD25LQ20SIGR | 0,3167 | | 4317 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LQ20esigrtr | 2.000 | 133 MHz | Não Volátil | 2MBIT | 6 ns | Clarão | 256k x 8 | Spi - quad e/s | 60µs, 2,4ms | |
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| GD9FS4G8F2AMGI | 6.9852 | | 1155 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 48-TSOP i | download | 1970-GD9FS4G8F2AMGI | 960 | Não Volátil | 4gbit | 22 ns | Clarão | 512m x 8 | Onfi | 25ns | ||
| GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | | 8654 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 48-TSOP i | download | 1970-GD9FS4G8F3AMGI | 960 | Não Volátil | 4gbit | 22 ns | Clarão | 512m x 8 | Onfi | 25ns | ||
| GD55F512MFWIGR | 4.3329 | | 5638 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 1970-GD55F512MFWIGRTR | 3.000 | |||||||||||||||
| GD25Q128EYJGR | 1.4911 | | 7018 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD25Q128EYJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 7 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 140µs, 4ms | |
| GD25LQ20EKIGR | 0,3786 | | 6749 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1,5X1,5) | download | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 2MBIT | 6 ns | Clarão | 256k x 8 | Spi - quad e/s | 60µs, 2,4ms | |
| GD25LE128EWJGY | 1.5901 | | 1919 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | download | 1970-GD25LE128EWJGY | 5.700 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 6 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms | |
| GD25B16AGR | 0,8845 | | 5550 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25B16AGRTR | 3.000 | Não Volátil | 16MBIT | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||
| GD55T01GEY2GR | 16.7580 | | 7366 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55T | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD55T01GEY2GRTR | 3.000 | 200 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | ||
| GD25F128esig | 1.1590 | | 6397 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 1970-GD25F128esigrtr | 2.000 | |||||||||||||||
| GD25LQ256DWAGY | 4.2161 | | 5956 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25LQ256DWAGY | 5.700 | 104 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 6 ns | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 4ms |
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