MMBT3904LT3G da onsemi transistores bipolares únicos

ONSEMI MMBT3904LT3G+BOM

O ONSEMI MMBT3904LT3G é um transistor de silício NPN amplamente utilizado. É compatível com RoHS e qualificado pela AEC - Q101, adequado para eletrônicos automotivos e de uso geral. Alojado em um pacote compacto SOT - 23, possui uma classificação de tensão do coletor - emissor de 40 V e corrente de coletor contínua de 200 mA. Ideal para amplificação e comutação em circuitos, permite processamento eficiente de sinais e controle de corrente.

Recursos do ONSEMI MMBT3904LT3G

O MMBT3904LT3G da ONSEMI é um transistor de silício NPN de uso geral com vários recursos notáveis. É livre de Pb, livre de halogênio/BFR e compatível com RoHS, atendendo aos requisitos ambientais para produtos eletrônicos. O prefixo "S" indica sua adequação para aplicações automotivas e outras aplicações com requisitos exclusivos de mudança de controle e local, e é qualificado pela AEC - Q101 e compatível com PPAP, garantindo desempenho de alta confiabilidade em áreas automotivas e relacionadas.

Embalado no gabinete SOT - 23 (TO - 236), ele oferece um formato compacto, que é benéfico para projetos de circuitos com espaço limitado. Em termos de desempenho elétrico, possui classificação de Tensão Coletor - Emissor (VCEO) de 40 Vcc, Tensão Coletor - Base (VCBO) de 60 Vcc e Emissor - Tensão Base (VEBO) de 6,0 Vcc. A corrente contínua do coletor (IC) é de 200 mAdc, e o pico da corrente do coletor (ICM) pode chegar a 900 mAdc, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações de corrente baixa a média. Esses recursos tornam o MMBT3904LT3G uma escolha versátil e confiável para diferentes circuitos eletrônicos.

Aplicações do ONSEMI MMBT3904LT3G

O ONSEMI MMBT3904LT3G, um transistor de silício NPN altamente versátil, é amplamente utilizado em uma ampla gama de aplicações. No domínio da eletrônica automotiva, sua qualificação AEC - Q101 e capacidade PPAP fazem dele a escolha ideal. Pode ser empregado em unidades de controle de motores para gerenciar os sinais elétricos que regulam as funções do motor. Além disso, é útil em sistemas de iluminação automotiva, onde controla o fluxo de corrente para garantir uma operação estável e eficiente de faróis, lanternas traseiras e luzes internas. Para circuitos eletrônicos de uso geral, serve como um bloco de construção fundamental. Em circuitos de amplificação de áudio, o MMBT3904LT3G pode aumentar sinais de áudio fracos. Suas características de sinal pequeno, como um produto de corrente - ganho - largura de banda (fT) de 300 MHz, permitem que ele lide com sinais de áudio de alta frequência de maneira eficaz. Também é usado em circuitos de comutação. Com tempos de comutação relativamente baixos, como um tempo de atraso de até 35 ns e um tempo de subida de até 35 ns, ele pode ligar e desligar rapidamente, tornando-o adequado para aplicações que exigem transições rápidas de sinal, como circuitos lógicos digitais e sistemas de gerenciamento de energia.

Atributos de ONSEMI MMBT3904LT3G

Status	Ativo	Conformidade	PbAHP
Tipo de pacote	SOT-23-3	Esboço do caso	318-08
Tipo MSL	1	Temperatura MSL (°C)	260
Tipo de contêiner	CARRETEL	Quantidade do contêiner	10.000
NO alvo	N	Polaridade	NPN
Tipo	Finalidade Geral	VCE(sat) Máx. (V)	0,3
IC Cont. (UM)	0,2	VCEO Mín (V)	40
VCBO (V)	60	VEBO (V)	6
VBE(sábado) (V)	0,95	hFE mín.	100
hFE máx.	300	fT Min (MHz)	300
PTM Máx. (W)	0,225	Preço ($/Unidade)	US$ 0,0113

Folha de dados do ONSEMI MMBT3904LT3G

Transistores bipolares de categoria única ONSEMI MMBT3904LT3G

Transistores bipolares únicos, também conhecidos como transistores de efeito de campo (FETs), são dispositivos controlados por tensão onde apenas um tipo de portador de carga (portadores majoritários) participa do processo de condução. Isso contrasta com os transistores de junção bipolar (BJTs), que usam elétrons e lacunas.

Os FETs operam com base no princípio do efeito de campo elétrico. Por exemplo, em um MOSFET de modo de aprimoramento de canal N, uma tensão positiva aplicada entre a porta e a fonte cria um campo elétrico. Este campo repele os portadores majoritários (buracos) no substrato tipo P e atrai os portadores minoritários (elétrons), formando uma camada de inversão tipo N, ou um canal condutor entre a fonte e o dreno. Ao controlar a tensão porta-fonte, a largura deste canal pode ser ajustada, controlando assim a corrente dreno-fonte.

Esses transistores oferecem diversas vantagens. Eles têm alta impedância de entrada, o que significa que consomem muito pouca corrente da fonte do sinal de entrada. Esta propriedade é benéfica em aplicações onde é crucial minimizar o efeito de carga no sinal de entrada. Eles também consomem pouca energia, possuem boa estabilidade térmica e são altamente resistentes à radiação. Além disso, em circuitos integrados, ocupam menos área e possuem um processo de fabricação mais simples em comparação com alguns outros componentes.

Os transistores bipolares únicos podem ser classificados em dois tipos principais: transistores de efeito de campo de porta isolados (IGFETs), mais comumente conhecidos como transistores de efeito de campo de metal - óxido - semicondutor (MOSFETs) e transistores de efeito de campo de junção (JFETs). Os MOSFETs podem ainda ser divididos em tipos de canal N e canal P, bem como variedades de modo de aprimoramento e modo de esgotamento.

Entre os vários transistores bipolares únicos disponíveis, o ONSEMI MMBT3904LT3G é um transistor de silício NPN de uso geral. É amplamente utilizado em diversas aplicações, como amplificação de sinal e circuitos de comutação devido às suas características elétricas adequadas, incluindo uma tensão máxima coletor-emissor de 40 V, uma corrente máxima de coletor de 200 mA e uma frequência de transição de 300 MHz.

Comparação entre MMBT3904LT3G e MMBTA06LT1G

Fotos
Número da peça	MMBT3904LT3G+BOM	MMBTA06LT1G+BOM
Fabricante	Onsemi	Onsemi
Pacote	SOT23-3	SOT23-3
Descrição	transistores bipolares de 200mA NPN capaz de suportar até 60V	Transistor bipolar de pequeno sinal, NPN, Silício, TO-236, 0,5AI(C), 80V V(BR)CEO
Estoque	4681	6076
Status da peça	Ativo	Ativo
Conformidade	PbAHP	PbAHP
Esboço do caso	318-08	318-08
Tipo MSL	1	1
Temperatura MSL (°C)	260	260
Tipo de contêiner	CARRETEL	CARRETEL
Quantidade do contêiner	10.000	3.000
NO alvo	N	N
Polaridade	NPN	NPN
Tipo de fabricante	Finalidade Geral	Finalidade Geral
VCE(sat) Máx. (V)	0,3	0,25
IC Cont. (UM)	0,2	0,5
VCEO Mín (V)	40	80
VCBO (V)	60	80
VEBO (V)	6	4
hFE mín.	100	100
fT Min (MHz)	300	100
PTM Máx. (W)	0,225	0,225
Preço ($/Unidade)	US$ 0,0113	US$ 0,0165 Amostra
VBE(ligado) (V)	1.2
VBE(sábado) (V)	0,95
hFE máx.	300

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